公开(公告)号：US20050035359A1

公开(公告)日：2005-02-17

申请号：US10711698

申请日：2004-09-30

申请人： Masahiro ISHIDA ,  Shinji NAKAMURA ,  Kenji ORITA ,  Osamu IMAFUJI ,  Masaaki YURI

发明人： Masahiro ISHIDA ,  Shinji NAKAMURA ,  Kenji ORITA ,  Osamu IMAFUJI ,  Masaaki YURI

IPC分类号： H01L21/205 ,  H01L21/20 ,  H01L21/338 ,  H01L29/04 ,  H01L29/20 ,  H01L29/205 ,  H01L29/812 ,  H01L29/861 ,  H01L33/00 ,  H01L33/06 ,  H01L33/12 ,  H01L33/14 ,  H01L33/16 ,  H01L33/22 ,  H01L33/32 ,  H01S5/223 ,  H01S5/323 ,  H01S5/343

CPC分类号： H01L33/0075 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02494 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02658 ,  H01L29/045 ,  H01L29/2003 ,  H01L33/007 ,  H01L33/0079

摘要： A substrate includes: a crystalline substrate including a primary surface and a crystal plane provided within the primary surface so as to have a surface orientation different from a surface orientation of the primary surface; a semiconductor layered structure grown over the crystalline substrate; and an active region provided at a portion in the semiconductor layer structure above the crystal plane.

摘要翻译： 基板包括：晶体基板，其包括主表面和设置在主表面内的晶面，以具有不同于主表面的表面取向的表面取向; 在晶体衬底上生长的半导体层状结构; 以及设置在半导体层结构中在晶面之上的部分的有源区。