公开(公告)号：US06274518B1

公开(公告)日：2001-08-14

申请号：US09546881

申请日：2000-04-10

申请人： Masaaki Yuri ,  Osamu Imafuji ,  Shinji Nakamura ,  Masahiro Ishida ,  Kenji Orita

发明人： Masaaki Yuri ,  Osamu Imafuji ,  Shinji Nakamura ,  Masahiro Ishida ,  Kenji Orita

IPC分类号： H01L2131

CPC分类号： H01L33/0075 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02494 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02661 ,  H01L21/02664 ,  H01L31/184 ,  H01L31/1852 ,  Y02E10/544 ,  Y02P70/521

摘要： The present invention provides a method for producing a group III nitride compound semiconductor substrate including: (a) forming a first semiconductor film over a substrate, the first semiconductor film made of a first group III nitride compound semiconductor and provided with a step; (b) forming a second semiconductor film made of a second group III nitride compound semiconductor having a different thermal expansion coefficient from that of the first group III nitride compound semiconductor on the first semiconductor film; and (c) cooling the substrate and separating the second semiconductor film from the first semiconductor film. Thus, a large-area group III nitride compound semiconductor substrate can be produced in high yields and with high reproducibility.

摘要翻译： 本发明提供了一种制造III族氮化物化合物半导体衬底的方法，包括：（a）在衬底上形成第一半导体膜，所述第一半导体膜由第一III族氮化物化合物半导体制成并具有步骤; （b）在第一半导体膜上形成具有与第一III族氮化物半导体不同的热膨胀系数的第二III族氮化物化合物半导体的第二半导体膜; 和（c）冷却基板并将第二半导体膜与第一半导体膜分离。 因此，可以以高产率和高重现性制造大面积III族氮化物化合物半导体衬底。

公开(公告)号：US20050035359A1

公开(公告)日：2005-02-17

申请号：US10711698

申请日：2004-09-30

申请人： Masahiro ISHIDA ,  Shinji NAKAMURA ,  Kenji ORITA ,  Osamu IMAFUJI ,  Masaaki YURI

发明人： Masahiro ISHIDA ,  Shinji NAKAMURA ,  Kenji ORITA ,  Osamu IMAFUJI ,  Masaaki YURI

IPC分类号： H01L21/205 ,  H01L21/20 ,  H01L21/338 ,  H01L29/04 ,  H01L29/20 ,  H01L29/205 ,  H01L29/812 ,  H01L29/861 ,  H01L33/00 ,  H01L33/06 ,  H01L33/12 ,  H01L33/14 ,  H01L33/16 ,  H01L33/22 ,  H01L33/32 ,  H01S5/223 ,  H01S5/323 ,  H01S5/343

CPC分类号： H01L33/0075 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02494 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02658 ,  H01L29/045 ,  H01L29/2003 ,  H01L33/007 ,  H01L33/0079

摘要： A substrate includes: a crystalline substrate including a primary surface and a crystal plane provided within the primary surface so as to have a surface orientation different from a surface orientation of the primary surface; a semiconductor layered structure grown over the crystalline substrate; and an active region provided at a portion in the semiconductor layer structure above the crystal plane.

摘要翻译： 基板包括：晶体基板，其包括主表面和设置在主表面内的晶面，以具有不同于主表面的表面取向的表面取向; 在晶体衬底上生长的半导体层状结构; 以及设置在半导体层结构中在晶面之上的部分的有源区。

公开(公告)号：US06821805B1

公开(公告)日：2004-11-23

申请号：US09680054

申请日：2000-10-05

申请人： Shinji Nakamura ,  Masahiro Ishida ,  Kenji Orita ,  Osamu Imafuji ,  Masaaki Yuri

发明人： Shinji Nakamura ,  Masahiro Ishida ,  Kenji Orita ,  Osamu Imafuji ,  Masaaki Yuri

IPC分类号： H01L2100

CPC分类号： C30B25/183 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02494 ,  H01L21/02516 ,  H01L21/0254 ,  H01L33/025 ,  H01L33/20 ,  H01L33/32 ,  H01S5/0207 ,  H01S5/3201 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/3203 ,  H01S5/32341

摘要： Disclosed is a semiconductor device which comprises a substrate in which surface is formed a depression having a closed figure when viewed from the substrate normal and a semiconductor layer which is formed on the surface of the substrate by crystal growth from at least an inside face of the depression.

摘要翻译： 公开了一种半导体器件，其包括基板，其中从基板法线观察时，表面形成有具有闭合图形的凹陷;以及半导体层，其通过晶体生长从基板法线的至少内表面形成在基板的表面上 萧条。

公开(公告)号：US6069394A

公开(公告)日：2000-05-30

申请号：US56500

申请日：1998-04-08

申请人： Tadao Hashimoto ,  Osamu Imafuji ,  Masaaki Yuri ,  Masahiro Ishida

发明人： Tadao Hashimoto ,  Osamu Imafuji ,  Masaaki Yuri ,  Masahiro Ishida

IPC分类号： C30B25/18 ,  H01L33/00 ,  H01S5/02 ,  H01S5/323 ,  H01L31/00 ,  H01L29/06 ,  H01L31/06 ,  H01L31/12

CPC分类号： H01L33/007 ,  B82Y20/00 ,  C30B25/18 ,  H01S2301/173 ,  H01S5/0207 ,  H01S5/021 ,  H01S5/2231 ,  H01S5/3201 ,  H01S5/34333

摘要： A sapphire substrate, a buffer layer of undoped GaN and a compound semiconductor crystal layer successively formed on the sapphire substrate together form a substrate of a light emitting diode. A first cladding layer of n-type GaN, an active layer of undoped In.sub.0.2 Ga.sub.0.8 N and a second cladding layer successively formed on the compound semiconductor crystal layer together form a device structure of the light emitting diode. On the second cladding layer, a p-type electrode is formed, and on the first cladding layer, an n-type electrode is formed. In a part of the sapphire substrate opposing the p-type electrode, a recess having a trapezoidal section is formed, so that the thickness of an upper portion of the sapphire substrate above the recess can be substantially equal to or smaller than the thickness of the compound semiconductor crystal layer.

公开(公告)号：US06909733B2

公开(公告)日：2005-06-21

申请号：US09968942

申请日：2001-10-03

申请人： Katsuya Samonji ,  Toru Takayama ,  Osamu Imafuji ,  Masaaki Yuri

发明人： Katsuya Samonji ,  Toru Takayama ,  Osamu Imafuji ,  Masaaki Yuri

IPC分类号： H01S5/30 ,  H01S5/20 ,  H01S5/22 ,  H01S5/223 ,  H01S5/32 ,  H01S5/323 ,  H01S5/00

CPC分类号： H01S5/32308 ,  H01S5/20 ,  H01S5/2004 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/2206 ,  H01S5/221 ,  H01S5/2231 ,  H01S5/3213

摘要： A semiconductor laser device comprises, on top of an active layer, an n-type cladding layer of Alx1Ga1−x1As and a p-type cladding layer of (AlxGa1−x)yIn1−yP for defining a barrier height. The p-type cladding layer for defining a barrier height contains more component elements than the n-type cladding layer. The potential difference between the conduction band edges of the p-type cladding layer for defining a barrier height and the active layer is greater than the potential difference between the conduction band edges of the n-type cladding layer and the active layer. The carriers in the active layer are prevented from overflowing into the p-type cladding layer and a material having a high thermal conductivity is used for the n-type cladding layer to prevent the phenomenon of thermal saturation, thereby providing improved optical output.

摘要翻译： 半导体激光器件包括在有源层的顶部上形成具有Al x 1 Ga 1-x As As的n型包覆层和（ 用于限定势垒高度的第1 -Y-P层中的至少一个。 用于限定势垒高度的p型包覆层包含比n型包覆层更多的组成元素。 用于限定势垒高度的p型覆层的导带边缘与有源层之间的电位差大于n型覆层和有源层的导带边缘之间的电位差。 有源层中的载流子被阻止溢出到p型包覆层中，并且具有高导热性的材料用于n型包覆层以防止热饱和现象，从而提供改善的光输出。

公开(公告)号：US06888870B2

公开(公告)日：2005-05-03

申请号：US10210656

申请日：2002-07-31

申请人： Koji Makita ,  Hideto Adachi ,  Toshiya Kawata ,  Hiroshi Asaka ,  Osamu Imafuji ,  Toshiya Fukuhisa ,  Akira Takamori

发明人： Koji Makita ,  Hideto Adachi ,  Toshiya Kawata ,  Hiroshi Asaka ,  Osamu Imafuji ,  Toshiya Fukuhisa ,  Akira Takamori

IPC分类号： H01S5/16 ,  H01S5/20 ,  H01S5/22 ,  H01S5/223 ,  H01S5/32 ,  H01S5/00

CPC分类号： H01S5/2231 ,  H01S5/2054 ,  H01S5/2081 ,  H01S5/2206 ,  H01S5/222 ,  H01S5/3211

摘要： A semiconductor laser has a first conduction-type cladding layer, an active layer, and a second conduction-type cladding layer formed on a first conduction-type semiconductor substrate. The second conduction-type cladding layer has a mesa-type stripe-shaped recessed portion in at least four spots, so as to form a central ridge portion, which constitutes a ridge-type current confinement portion, and two or more lateral ridge portions, which are positioned on both sides of the central ridge portion, have a height larger than to that of the central ridge portion, and include the second conduction-type cladding layer. An insulation film with a lower refractive index than the second conduction-type cladding layer is formed in a pair of stripes disposed respectively in the regions from the side surface of the second conduction-type cladding layer on both side surfaces of the central ridge portion toward the outside. The insulation film is not formed on the central ridge portion.

摘要翻译： 半导体激光器具有形成在第一导电型半导体基板上的第一导电型包覆层，有源层和第二导电型包覆层。 第二导电型包覆层在至少四个点中具有台面状的条状凹部，以形成构成脊型电流限制部的中心脊部分，以及两个以上的侧脊部， 位于中央脊部的两侧的高度比中心脊部的高度大，并且包括第二导电型包覆层。 具有比第二导电型包覆层低的折射率的绝缘膜分别形成在从第二导电型包覆层的侧表面在中心脊部的两个侧表面上的区域中分别设置的一对条带 外。 绝缘膜不形成在中心脊部上。

公开(公告)号：US06773948B2

公开(公告)日：2004-08-10

申请号：US10405791

申请日：2003-04-02

申请人： Shinji Nakamura ,  Masahiro Ishida ,  Masaaki Yuri ,  Osamu Imafuji ,  Kenji Orita

发明人： Shinji Nakamura ,  Masahiro Ishida ,  Masaaki Yuri ,  Osamu Imafuji ,  Kenji Orita

IPC分类号： H01L2100

CPC分类号： H01S5/2231 ,  H01S5/32341 ,  Y10S438/956

摘要： A semiconductor light emitting device of the present invention includes: a substrate; a light emitting layer; a semiconductor layer of a hexagonal first III-group nitride crystal; and a cladding layer of a second III-group nitride crystal. A stripe groove is provided in the semiconductor layer along a direction.

摘要翻译： 本发明的半导体发光器件包括：衬底; 发光层; 六方晶系的第一III族氮化物晶体的半导体层; 以及第二III族氮化物晶体的包覆层。 在半导体层中沿着<1,1，-2,0>方向设置条纹槽。

公开(公告)号：US06617182B2

公开(公告)日：2003-09-09

申请号：US09395261

申请日：1999-09-14

申请人： Masahiro Ishida ,  Shinji Nakamura ,  Kenji Orita ,  Osamu Imafuji ,  Masaaki Yuri

发明人： Masahiro Ishida ,  Shinji Nakamura ,  Kenji Orita ,  Osamu Imafuji ,  Masaaki Yuri

IPC分类号： H01L2100

CPC分类号： H01L33/0075 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02494 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02658 ,  H01L29/045 ,  H01L29/2003 ,  H01L33/007 ,  H01L33/0079

摘要： A semiconductor device includes: a crystalline substrate including a primary surface and a crystal plane provided within the primary surface so as to have a surface orientation different from a surface orientation of the primary surface; a semiconductor layered structure grown over the crystalline substrate; and an active region provided at a portion in the semiconductor layer structure above the crystal plane.

摘要翻译： 半导体器件包括：晶体衬底，其包括主表面和设置在主表面内的晶面，以具有不同于主表面的表面取向的表面取向; 在晶体衬底上生长的半导体层状结构; 以及设置在半导体层结构中在晶面之上的部分的有源区。

公开(公告)号：US06339014B1

公开(公告)日：2002-01-15

申请号：US09289960

申请日：1999-04-13

申请人： Masahiro Ishida ,  Masaaki Yuri ,  Osamu Imafuji ,  Tadao Hashimoto ,  Kenji Orita

发明人： Masahiro Ishida ,  Masaaki Yuri ,  Osamu Imafuji ,  Tadao Hashimoto ,  Kenji Orita

IPC分类号： H01L2120

CPC分类号： H01L33/025 ,  C30B25/02 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02543 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02658 ,  H01L33/0075

摘要： A method for growing a nitride compound semiconductor according to the present invention includes the step of growing a compound semiconductor expressed by a general formula AlxGa1-xN (where 0≦×≦1) on a nitride compound semiconductor substrate at a temperature of about 900° C. or more.

摘要翻译： 根据本发明的用于生长氮化物化合物半导体的方法包括在氮化物半导体衬底上在大约温度下生长由通式Al x Ga 1-x N（其中0 <= x <= 1）表示的化合物半导体的步骤 900℃以上。

公开(公告)号：US6150674A

公开(公告)日：2000-11-21

申请号：US434005

申请日：1999-11-04

申请人： Masaaki Yuri ,  Osamu Imafuji ,  Shinji Nakamura ,  Kenji Orita

发明人： Masaaki Yuri ,  Osamu Imafuji ,  Shinji Nakamura ,  Kenji Orita

IPC分类号： H01L33/00

CPC分类号： H01L33/0075

摘要： A semiconductor device includes a substrate formed of Al.sub.x Ga.sub.1-x N (0

摘要翻译： 半导体器件包括由Al x Ga 1-x N（0