公开(公告)号：US08703535B2

公开(公告)日：2014-04-22

申请号：US13490908

申请日：2012-06-07

申请人： MinJung Kim ,  DaeSik Choi ,  MinWook Yu ,  YiSu Park

发明人： MinJung Kim ,  DaeSik Choi ,  MinWook Yu ,  YiSu Park

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L23/49816 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2924/15311

摘要： A method of manufacture of an integrated circuit packaging system includes: providing a package substrate having a warpage-compensation zone with a substrate-interior layer exposed from a top substrate-cover, and the warpage-compensation zone having contiguous exposed portion of the substrate-interior layer over corner portions of the package substrate; connecting an integrated circuit die to the package substrate with an internal interconnect; and forming an encapsulation over the integrated circuit die, with the encapsulation directly on the substrate-interior layer in the warpage-compensation zone.

摘要翻译： 一种制造集成电路封装系统的方法包括：提供具有翘曲补偿区域的封装基板，其具有从顶部基板盖露出的基板内部层，并且所述翘曲补偿区域具有基板 - 在封装衬底的角部上的内层; 将集成电路管芯与内部互连连接到封装衬底; 以及在整个集成电路管芯上形成封装，其中封装直接在翘曲补偿区域中的衬底内层上。

公开(公告)号：US20130328179A1

公开(公告)日：2013-12-12

申请号：US13490908

申请日：2012-06-07

申请人： MinJung Kim ,  DaeSik Choi ,  MinWook Yu ,  YiSu Park

发明人： MinJung Kim ,  DaeSik Choi ,  MinWook Yu ,  YiSu Park

IPC分类号： H01L23/495 ,  H01L21/98

CPC分类号： H01L23/49816 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2924/15311

摘要： A method of manufacture of an integrated circuit packaging system includes: providing a package substrate having a warpage-compensation zone with a substrate-interior layer exposed from a top substrate-cover, and the warpage-compensation zone having contiguous exposed portion of the substrate-interior layer over corner portions of the package substrate; connecting an integrated circuit die to the package substrate with an internal interconnect; and forming an encapsulation over the integrated circuit die, with the encapsulation directly on the substrate-interior layer in the warpage-compensation zone.

摘要翻译： 一种制造集成电路封装系统的方法包括：提供具有翘曲补偿区域的封装基板，其具有从顶部基板盖暴露的基板内部层，并且所述翘曲补偿区域具有基板 - 在封装衬底的角部上的内层; 将集成电路管芯与内部互连连接到封装衬底; 以及在整个集成电路管芯上形成封装，其中封装直接在翘曲补偿区域中的衬底内层上。

公开(公告)号：US20130334714A1

公开(公告)日：2013-12-19

申请号：US13526877

申请日：2012-06-19

申请人： YiSu Park ,  KyungHoon Lee ,  JoungIn Yang ,  SangMi Park ,  DaeSik Choi

发明人： YiSu Park ,  KyungHoon Lee ,  JoungIn Yang ,  SangMi Park ,  DaeSik Choi

IPC分类号： H01L23/28 ,  H01L21/56

CPC分类号： H01L23/3135 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2924/15311

摘要： A method of manufacture of an integrated circuit packaging system includes providing a substrate; connecting an integrated circuit die; forming a molding having a temperature-dependent characteristic directly on the top surface of the substrate; and forming a coupling encapsulation having a coupled characteristic different from the temperature-dependent characteristic directly on the molding forms an encapsulation boundary between the coupling encapsulation and the molding.

摘要翻译： 一种集成电路封装系统的制造方法，包括：提供基板; 连接集成电路管芯; 在衬底的顶表面上直接形成具有温度依赖特性的模制品; 并且形成具有与温度相关特性不同的耦合特性的耦合封装，直接在模塑件上形成耦合封装和模制件之间的封装边界。

公开(公告)号：US09406579B2

公开(公告)日：2016-08-02

申请号：US13471314

申请日：2012-05-14

申请人： DaeSik Choi ,  JoungIn Yang ,  Sang Mi Park ,  WonIl Kwon ,  YiSu Park

发明人： DaeSik Choi ,  JoungIn Yang ,  Sang Mi Park ,  WonIl Kwon ,  YiSu Park

IPC分类号： H01L23/31 ,  H01L21/56 ,  H01L23/00 ,  H01L23/367 ,  H01L23/42

CPC分类号： H01L23/3121 ,  H01L21/563 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/367 ,  H01L23/42 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/00012

摘要： A semiconductor device has a substrate. An insulating layer is formed over a surface of the substrate. A semiconductor die is mounted over the surface of the substrate. A channel is formed in the insulating layer around the semiconductor die. An underfill material is deposited between the semiconductor die and the substrate and in the channel. A heat spreader is mounted over the semiconductor die with the heat spreader thermally connected to the substrate. A thermal interface material is formed over the semiconductor die. The underfill material is deposited between the semiconductor die and the substrate along a first edge of the semiconductor die and along a second edge of the semiconductor die opposite the first edge. The channel extends partially through the insulating layer formed over the substrate with the insulating layer maintaining coverage over the substrate within a footprint of the channel.

摘要翻译： 半导体器件具有基板。 在衬底的表面上形成绝缘层。 半导体管芯安装在衬底的表面上。 在半导体管芯周围的绝缘层中形成沟道。 在半导体管芯和衬底之间以及沟道中沉积底部填充材料。 散热器安装在半导体管芯上，散热器热连接到基板上。 在半导体管芯上形成热界面材料。 底部填充材料沿着半导体管芯的第一边缘并沿着与第一边缘相对的半导体管芯的第二边缘沉积在半导体管芯和衬底之间。 该通道部分地延伸穿过衬底上形成的绝缘层，其中绝缘层保持在通道的覆盖区内的衬底上的覆盖。

公开(公告)号：US08723310B2

公开(公告)日：2014-05-13

申请号：US13526877

申请日：2012-06-19

申请人： YiSu Park ,  KyungHoon Lee ,  Joungln Yang ,  SangMi Park ,  DaeSik Choi

发明人： YiSu Park ,  KyungHoon Lee ,  Joungln Yang ,  SangMi Park ,  DaeSik Choi

IPC分类号： H01L23/10

CPC分类号： H01L23/3135 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2924/15311

摘要： A method of manufacture of an integrated circuit packaging system includes providing a substrate; connecting an integrated circuit die; forming a molding having a temperature-dependent characteristic directly on the top surface of the substrate; and forming a coupling encapsulation having a coupled characteristic different from the temperature-dependent characteristic directly on the molding forms an encapsulation boundary between the coupling encapsulation and the molding.

摘要翻译： 一种集成电路封装系统的制造方法，包括：提供基板; 连接集成电路管芯; 在衬底的顶表面上直接形成具有温度依赖特性的模制品; 并且形成具有与温度相关特性不同的耦合特性的耦合封装，直接在模塑件上形成耦合封装和模制件之间的封装边界。

公开(公告)号：US20130300004A1

公开(公告)日：2013-11-14

申请号：US13471314

申请日：2012-05-14

申请人： DaeSik Choi ,  JoungIn Yang ,  Sang Mi Park ,  WonIl Kwon ,  YiSu Park

发明人： DaeSik Choi ,  JoungIn Yang ,  Sang Mi Park ,  WonIl Kwon ,  YiSu Park

IPC分类号： H01L23/28 ,  H01L21/56

CPC分类号： H01L23/3121 ,  H01L21/563 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/367 ,  H01L23/42 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/00012

摘要： A semiconductor device has a substrate. An insulating layer is formed over a surface of the substrate. A semiconductor die is mounted over the surface of the substrate. A channel is formed in the insulating layer around the semiconductor die. An underfill material is deposited between the semiconductor die and the substrate and in the channel. A heat spreader is mounted over the semiconductor die with the heat spreader thermally connected to the substrate. A thermal interface material is formed over the semiconductor die. The underfill material is deposited between the semiconductor die and the substrate along a first edge of the semiconductor die and along a second edge of the semiconductor die opposite the first edge. The channel extends partially through the insulating layer formed over the substrate with the insulating layer maintaining coverage over the substrate within a footprint of the channel.

摘要翻译： 半导体器件具有基板。 在衬底的表面上形成绝缘层。 半导体管芯安装在衬底的表面上。 在半导体管芯周围的绝缘层中形成沟道。 在半导体管芯和衬底之间以及沟道中沉积底部填充材料。 散热器安装在半导体管芯上，散热器热连接到基板上。 在半导体管芯上形成热界面材料。 底部填充材料沿着半导体管芯的第一边缘并且沿着与第一边缘相对的半导体管芯的第二边缘沉积在半导体管芯和衬底之间。 该通道部分地延伸穿过衬底上形成的绝缘层，其中绝缘层保持在通道的覆盖区内的衬底上的覆盖。

公开(公告)号：US20130328220A1

公开(公告)日：2013-12-12

申请号：US13494721

申请日：2012-06-12

申请人： KyungHoon Lee ,  JoungIn Yang ,  SangMi Park ,  YiSu Park ,  DaeSik Choi

发明人： KyungHoon Lee ,  JoungIn Yang ,  SangMi Park ,  YiSu Park ,  DaeSik Choi

IPC分类号： H01L23/28 ,  H01L21/56

CPC分类号： H01L23/3121 ,  H01L21/565 ,  H01L21/6836 ,  H01L23/49827 ,  H01L29/0657 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2924/014

摘要： A method of manufacture of an integrated circuit packaging system includes: providing a substrate; forming an integrated circuit device having a shaped side; mounting the integrated circuit device on the substrate; forming an encapsulation on the substrate and the integrate circuit device with the shaped side partially exposed from the encapsulation.

摘要翻译： 一种集成电路封装系统的制造方法，包括：提供基板; 形成具有成形侧的集成电路器件; 将集成电路器件安装在衬底上; 在衬底和集成电路器件上形成封装，其中成形侧部分地从封装暴露出来。

公开(公告)号：US20130299995A1

公开(公告)日：2013-11-14

申请号：US13466945

申请日：2012-05-08

申请人： KyungHoon Lee ,  JoungIn Yang ,  Sang Mi Park ,  DaeSik Choi ,  YiSu Park

发明人： KyungHoon Lee ,  JoungIn Yang ,  Sang Mi Park ,  DaeSik Choi ,  YiSu Park

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L21/50

CPC分类号： H01L21/563 ,  H01L24/16 ,  H01L24/29 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13113 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/13124 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/26175 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/83104 ,  H01L2224/83385 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00

摘要： A semiconductor device has a substrate and insulating layer formed over a surface of the substrate. A first conductive layer is formed over the surface of the substrate. A second conductive layer is formed over an opposing surface of the substrate. A conductive via is formed through the substrate. An opening is formed in the insulating layer while leaving the first conductive layer intact. The opening narrows with a non-linear side or linear side. The opening can have a rectangular shape. A semiconductor die is mounted over the surface of the substrate. An underfill material is deposited between the semiconductor die and substrate. The opening in the insulating layer reduces a flow rate of the underfill material proximate to the opening. The flow rate of the underfill material proximate to the opening is substantially equal to a flow rate of the underfill material away from the opening.

摘要翻译： 半导体器件具有在衬底的表面上形成的衬底和绝缘层。 在衬底的表面上形成第一导电层。 在衬底的相对表面上形成第二导电层。 通过衬底形成导电通孔。 在绝缘层中形成开口，同时保持第一导电层的完整性。 开口以非线性侧面或线性侧面变窄。 开口可以具有矩形形状。 半导体管芯安装在衬底的表面上。 在半导体管芯和衬底之间沉积底部填充材料。 绝缘层中的开口减小靠近开口的底部填充材料的流速。 靠近开口的底部填充材料的流速基本上等于底部填充材料远离开口的流速。

公开(公告)号：US09390945B2

公开(公告)日：2016-07-12

申请号：US13466945

申请日：2012-05-08

申请人： KyungHoon Lee ,  JoungIn Yang ,  Sang Mi Park ,  DaeSik Choi ,  YiSu Park

发明人： KyungHoon Lee ,  JoungIn Yang ,  Sang Mi Park ,  DaeSik Choi ,  YiSu Park

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L21/56 ,  H01L23/00

CPC分类号： H01L21/563 ,  H01L24/16 ,  H01L24/29 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13113 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/13124 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/26175 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/83104 ,  H01L2224/83385 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00

摘要： A semiconductor device has a substrate and insulating layer formed over a surface of the substrate. A first conductive layer is formed over the surface of the substrate. A second conductive layer is formed over an opposing surface of the substrate. A conductive via is formed through the substrate. An opening is formed in the insulating layer while leaving the first conductive layer intact. The opening narrows with a non-linear side or linear side. The opening can have a rectangular shape. A semiconductor die is mounted over the surface of the substrate. An underfill material is deposited between the semiconductor die and substrate. The opening in the insulating layer reduces a flow rate of the underfill material proximate to the opening. The flow rate of the underfill material proximate to the opening is substantially equal to a flow rate of the underfill material away from the opening.

摘要翻译： 半导体器件具有在衬底的表面上形成的衬底和绝缘层。 在衬底的表面上形成第一导电层。 在衬底的相对表面上形成第二导电层。 通过衬底形成导电通孔。 在绝缘层中形成开口，同时使第一导电层完好无损。 开口以非线性侧面或线性侧面变窄。 开口可以具有矩形形状。 半导体管芯安装在衬底的表面上。 在半导体管芯和衬底之间沉积底部填充材料。 绝缘层中的开口减小靠近开口的底部填充材料的流速。 靠近开口的底部填充材料的流速基本上等于底部填充材料远离开口的流速。