公开(公告)号：US08679935B2

公开(公告)日：2014-03-25

申请号：US13303500

申请日：2011-11-23

申请人： Mongsup Lee ,  Inseak Hwang ,  Byoung-Yong Gwak ,  Sukhun Choi ,  Sang-Jun Lee

发明人： Mongsup Lee ,  Inseak Hwang ,  Byoung-Yong Gwak ,  Sukhun Choi ,  Sang-Jun Lee

IPC分类号： H01L21/20

CPC分类号： H01L28/91 ,  H01L27/10817 ,  H01L27/10852

摘要： The present disclosure describes methods of fabricating a semiconductor device. An exemplary method includes forming a metal pattern on a substrate and etching the metal pattern using an etchant including at least an alkaline solution and an oxidant to form a metal electrode, where at least a portion of the surface of the metal electrode is uneven.

摘要翻译： 本公开描述了制造半导体器件的方法。 一种示例性方法包括在衬底上形成金属图案，并使用至少包括碱性溶液和氧化剂的蚀刻剂蚀刻金属图案以形成金属电极，其中金属电极的表面的至少一部分是不均匀的。

公开(公告)号：US20120231601A1

公开(公告)日：2012-09-13

申请号：US13303500

申请日：2011-11-23

申请人： Mongsup Lee ,  Inseak Hwang ,  Byoung-Yong Gwak ,  Sukhun Choi ,  Sang-Jun Lee

发明人： Mongsup Lee ,  Inseak Hwang ,  Byoung-Yong Gwak ,  Sukhun Choi ,  Sang-Jun Lee

IPC分类号： H01L21/02

CPC分类号： H01L28/91 ,  H01L27/10817 ,  H01L27/10852

摘要： The present disclosure describes methods of fabricating a semiconductor device. An exemplary method includes forming a metal pattern on a substrate and etching the metal pattern using an etchant including at least an alkaline solution and an oxidant to form a metal electrode, where at least a portion of the surface of the metal electrode is uneven.

摘要翻译： 本公开描述了制造半导体器件的方法。 一种示例性方法包括在衬底上形成金属图案，并使用至少包括碱性溶液和氧化剂的蚀刻剂蚀刻金属图案以形成金属电极，其中金属电极的表面的至少一部分是不均匀的。

公开(公告)号：US08435830B2

公开(公告)日：2013-05-07

申请号：US12725647

申请日：2010-03-17

申请人： Junho Jeong ,  Sukhun Choi ,  Jangeun Lee ,  Kyunghyun Kim ,  Sechung Oh ,  Kyungtae Nam

发明人： Junho Jeong ,  Sukhun Choi ,  Jangeun Lee ,  Kyunghyun Kim ,  Sechung Oh ,  Kyungtae Nam

IPC分类号： H01L21/06

CPC分类号： H01L28/20 ,  H01L21/7684 ,  H01L27/101 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2436 ,  H01L43/12 ,  H01L45/04 ,  H01L45/06 ,  H01L45/08 ,  H01L45/085 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/126 ,  H01L45/143 ,  H01L45/144 ,  H01L45/147 ,  H01L45/1616 ,  H01L45/1625 ,  H01L45/1641

摘要： Methods of fabricating semiconductor devices are provided including forming a dielectric interlayer on a substrate, the dielectric interlayer defining an opening therein. A metal pattern is formed in the opening. An oxidization process is performed on the metal pattern to form a conductive metal oxide pattern, and the conductive metal oxide pattern is planarized. Related semiconductor devices are also provided.

摘要翻译： 提供了制造半导体器件的方法，包括在衬底上形成电介质中间层，电介质层间限定开口。 在开口中形成金属图案。 对金属图案进行氧化处理以形成导电金属氧化物图案，并且导电金属氧化物图案被平坦化。 还提供了相关的半导体器件。

公开(公告)号：US20130234269A1

公开(公告)日：2013-09-12

申请号：US13838598

申请日：2013-03-15

申请人： Sechung OH ,  Jangeun Lee ,  Jeahyoung Lee ,  Woojin Kim ,  Woo Chang Lim ,  Junho Jeong ,  Sukhun Choi

发明人： Sechung OH ,  Jangeun Lee ,  Jeahyoung Lee ,  Woojin Kim ,  Woo Chang Lim ,  Junho Jeong ,  Sukhun Choi

IPC分类号： H01L43/02

CPC分类号： H01L43/02 ,  B82Y25/00 ,  G11C11/16 ,  G11C11/161 ,  H01F10/123 ,  H01F10/3236 ,  H01F10/3254 ,  H01F10/3268 ,  H01F10/3286 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10

摘要： A magnetic memory device may include a first vertical magnetic layer, a non-magnetic layer on the first vertical magnetic layer, and a first junction magnetic layer on the non-magnetic layer, with the non-magnetic layer being between the first vertical magnetic layer and the first junction magnetic layer. A tunnel barrier may be on the first junction magnetic layer, with the first junction magnetic layer being between the non-magnetic layer and the tunnel barrier. A second junction magnetic layer may be on the tunnel barrier with the tunnel barrier being between the first and second junction magnetic layers, and a second vertical magnetic layer may be on the second junction magnetic layer with the second junction magnetic layer being between the tunnel barrier and the second vertical magnetic layer.

摘要翻译： 磁存储器件可以包括第一垂直磁性层，第一垂直磁性层上的非磁性层和非磁性层上的第一结磁性层，其中非磁性层位于第一垂直磁性层之间 和第一结磁性层。 隧道势垒可以在第一结磁性层上，其中第一结磁性层位于非磁性层和隧道势垒之间。 第二结磁性层可以在隧道势垒上，其中隧道势垒在第一和第二结磁层之间，第二垂直磁性层可以在第二结磁性层上，第二结磁性层位于隧道势垒之间 和第二垂直磁性层。

公开(公告)号：US20120091422A1

公开(公告)日：2012-04-19

申请号：US13221242

申请日：2011-08-30

申请人： Sukhun Choi ,  Boun Yoon ,  Kevin Ahn ,  Doo-Sung Yun

发明人： Sukhun Choi ,  Boun Yoon ,  Kevin Ahn ,  Doo-Sung Yun

IPC分类号： H01L45/00

CPC分类号： H01L27/2409 ,  H01L27/2463 ,  H01L27/2481 ,  H01L45/06

摘要： According to a method of fabricating the semiconductor memory device, a contact plug can be protected while mold openings are formed. A semiconductor memory device may include a mold dielectric layer on an entire surface of a substrate, the substrate including a first region and a second region. A contact plug may be provided in a contact hole formed through the mold dielectric layer in the first region. A variable resistor may be provided in a mold opening foamed through the mold dielectric layer in the second region. An upper surface of the contact plug may be at a level equal to or lower than an upper surface of the mold dielectric layer.

摘要翻译： 根据制造半导体存储器件的方法，可以在形成开口的同时保护接触塞。 半导体存储器件可以在衬底的整个表面上包括模具电介质层，该衬底包括第一区域和第二区域。 接触插塞可以设置在通过第一区域中的模具电介质层形成的接触孔中。 可变电阻器可以设置在通过第二区域中的模具电介质层发泡的模制开口中。 接触插塞的上表面可以处于等于或低于模具电介质层的上表面的水平。

公开(公告)号：US08129806B2

公开(公告)日：2012-03-06

申请号：US12686145

申请日：2010-01-12

申请人： Kyungtae Nam ,  Sukhun Choi ,  Jangeun Lee ,  Sechung Oh ,  Junho Jeong

发明人： Kyungtae Nam ,  Sukhun Choi ,  Jangeun Lee ,  Sechung Oh ,  Junho Jeong

IPC分类号： H01L29/82

CPC分类号： H01L27/228 ,  B82Y25/00 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1675 ,  H01F10/3254 ,  H01F10/3268 ,  H01L43/08

摘要： A magnetic memory device includes a magnetic tunnel junction (MTJ) structure and an electrode embedded in a dielectric structure. The MTJ structure includes a free layer. The electrode is formed of silicon-germanium and is electrically connected to the MTJ. The electrode heats the free layer to reduce the coercive force of the free layer to reduce a critical current density.

公开(公告)号：US08119425B2

公开(公告)日：2012-02-21

申请号：US12655862

申请日：2010-01-08

申请人： Woojin Cho ,  Jaeseung Hwang ,  Sukhun Choi ,  Dae Kyom Kim ,  JungHyeon Kim

发明人： Woojin Cho ,  Jaeseung Hwang ,  Sukhun Choi ,  Dae Kyom Kim ,  JungHyeon Kim

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L43/12 ,  G11C11/161

摘要： There are provided a magnetic memory device and a method of forming the magnetic memory device. The method of forming the magnetic memory device includes sequentially forming a first magnetic conductor, a tunnel barrier layer, and a second magnetic conductor on a substrate, forming a mask pattern on the second magnetic conductor, performing a primary etching of the second magnetic conductor by using the mask pattern as an etching mask, forming at least one spacer on sidewalls of the second magnetic conductor formed by the primary etching, and performing a secondary etching of the first magnetic conductor by using the mask pattern and the at least one spacers as an etching mask.

摘要翻译： 提供了磁存储器件和形成磁存储器件的方法。 形成磁存储器件的方法包括在衬底上依次形成第一磁导体，隧道势垒层和第二磁性导体，在第二磁性导体上形成掩模图案，通过第二磁性导体 使用掩模图案作为蚀刻掩模，在由第一蚀刻形成的第二磁性导体的侧壁上形成至少一个间隔物，并且通过使用掩模图案和至少一个间隔物作为第一蚀刻层进行二次蚀刻 蚀刻掩模

公开(公告)号：US20110204421A1

公开(公告)日：2011-08-25

申请号：US13102402

申请日：2011-05-06

申请人： Sukhun Choi ,  Kyunghyun Kim ,  ChangSup Mun ,  Byoungkeun Son

发明人： Sukhun Choi ,  Kyunghyun Kim ,  ChangSup Mun ,  Byoungkeun Son

IPC分类号： H01L29/41

CPC分类号： H01L27/11578 ,  H01L27/11526 ,  H01L27/11551 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/11573 ,  H01L27/11582

摘要： Provided are a three dimensional semiconductor memory device and a method of fabricating the same. The method includes forming a stepwise structure by using mask patterns and a sacrificial mask pattern formed on the mask patterns as a consumable etch mask.

公开(公告)号：US20100181633A1

公开(公告)日：2010-07-22

申请号：US12686145

申请日：2010-01-12

申请人： Kyungtae Nam ,  Sukhun Choi ,  Jangeun Lee ,  Sechung Oh ,  Junho Jeong

发明人： Kyungtae Nam ,  Sukhun Choi ,  Jangeun Lee ,  Sechung Oh ,  Junho Jeong

IPC分类号： H01L29/82

CPC分类号： H01L27/228 ,  B82Y25/00 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1675 ,  H01F10/3254 ,  H01F10/3268 ,  H01L43/08

摘要： A magnetic memory device includes a magnetic tunnel junction (MTJ) structure and an electrode embedded in a dielectric structure. The MTJ structure includes a free layer. The electrode is formed of silicon-germanium and is electrically connected to the MTJ. The electrode heats the free layer to reduce the coercive force of the free layer to reduce a critical current density.

摘要翻译： 磁存储器件包括磁隧道结（MTJ）结构和嵌入电介质结构中的电极。 MTJ结构包括一个自由层。 电极由硅锗形成，并与MTJ电连接。 电极加热自由层以降低自由层的矫顽力以降低临界电流密度。

公开(公告)号：US08901663B2

公开(公告)日：2014-12-02

申请号：US12978669

申请日：2010-12-27

申请人： Sukhun Choi ,  Boun Yoon ,  Injoon Yeo ,  Jeongnam Han

发明人： Sukhun Choi ,  Boun Yoon ,  Injoon Yeo ,  Jeongnam Han

IPC分类号： H01L27/06 ,  H01L21/82 ,  H01L21/28 ,  H01L49/02 ,  H01L21/8238

CPC分类号： H01L21/28008 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L27/0629 ,  H01L28/20

摘要： A semiconductor device includes a substrate, a device isolation pattern and a passive circuit element. The device isolation pattern is located on the substrate, delimits an active region of the substrate, and includes a recessed portion having a bottom surface located below a plane coincident with a surface of the active region. The passive circuit element is situated in the recess so as to be disposed on the bottom surface of the recessed portion of the device isolation pattern.

摘要翻译： 半导体器件包括衬底，器件隔离图案和无源电路元件。 器件隔离图案位于衬底上，限定衬底的有源区，并且包括具有位于与有源区的表面重合的平面下方的底表面的凹陷部分。 无源电路元件位于凹部中，以设置在器件隔离图案的凹部的底面上。