公开(公告)号：US20110083887A1

公开(公告)日：2011-04-14

申请号：US12575515

申请日：2009-10-08

申请人： Phillip Joe Brock ,  Blake W. Davis ,  Qinghuang Lin ,  Robert Dennis Miller ,  Alshakim Nelson ,  Jitendra Singh Rathore ,  Ratnam Sooriyakumaran

发明人： Phillip Joe Brock ,  Blake W. Davis ,  Qinghuang Lin ,  Robert Dennis Miller ,  Alshakim Nelson ,  Jitendra Singh Rathore ,  Ratnam Sooriyakumaran

IPC分类号： H05K1/03 ,  C08G77/14 ,  G03F7/004 ,  G03F7/20 ,  C07F7/08

CPC分类号： H01L23/5329 ,  C07F7/21 ,  C08G77/50 ,  C08L83/14 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0755 ,  G03F7/0757 ,  G03F7/40 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02137 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/31 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76808 ,  H01L21/76814 ,  H01L2221/1031 ,  H01L2924/0002 ,  Y10T428/31663 ,  H01L2924/00

摘要： Silsesquioxane polymers that cure to porous silsesquioxane polymers, silsesquioxane polymers that cure to porous silsesquioxane polymers in negative tone photo-patternable dielectric formulations, methods of forming structures using negative tone photo-patternable dielectric formulations containing silsesquioxane polymers that cure to porous silsesquioxane polymers, structures containing porous silsesquioxane polymers and monomers and method of preparing monomers for silsesquioxane polymers that cure to porous silsesquioxane polymers.

摘要翻译： 固化到多孔倍半硅氧烷聚合物的倍半硅氧烷聚合物，在负色调可光图案化电介质配方中固化成多孔倍半硅氧烷聚合物的倍半硅氧烷聚合物，使用含有倍半硅氧烷聚合物的负色调可光图案化介电制剂形成结构的方法，其固化成多孔倍半硅氧烷聚合物， 多孔倍半硅氧烷聚合物和单体以及制备用于聚合多孔倍半硅氧烷聚合物的倍半硅氧烷聚合物的单体的方法。

公开(公告)号：US08389663B2

公开(公告)日：2013-03-05

申请号：US12575515

申请日：2009-10-08

申请人： Phillip Joe Brock ,  Qinghuang Lin ,  Robert Dennis Miller ,  Alshakim Nelson ,  Jitendra Singh Rathore ,  Ratnam Sooriyakumaran

发明人： Phillip Joe Brock ,  Qinghuang Lin ,  Robert Dennis Miller ,  Alshakim Nelson ,  Jitendra Singh Rathore ,  Ratnam Sooriyakumaran

IPC分类号： C08G77/04

CPC分类号： H01L23/5329 ,  C07F7/21 ,  C08G77/50 ,  C08L83/14 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0755 ,  G03F7/0757 ,  G03F7/40 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02137 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/31 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76808 ,  H01L21/76814 ,  H01L2221/1031 ,  H01L2924/0002 ,  Y10T428/31663 ,  H01L2924/00

摘要： Silsesquioxane polymers that cure to porous silsesquioxane polymers, silsesquioxane polymers that cure to porous silsesquioxane polymers in negative tone photo-patternable dielectric formulations, methods of forming structures using negative tone photo-patternable dielectric formulations containing silsesquioxane polymers that cure to porous silsesquioxane polymers, structures containing porous silsesquioxane polymers and monomers and method of preparing monomers for silsesquioxane polymers that cure to porous silsesquioxane polymers.

公开(公告)号：US08431670B2

公开(公告)日：2013-04-30

申请号：US12550683

申请日：2009-08-31

申请人： Robert David Allen ,  Phillip Joe Brock ,  Blake W. Davis ,  Qinghuang Lin ,  Robert Dennis Miller ,  Alshakim Nelson ,  Ratnam Sooriyakumaran

发明人： Robert David Allen ,  Phillip Joe Brock ,  Blake W. Davis ,  Qinghuang Lin ,  Robert Dennis Miller ,  Alshakim Nelson ,  Ratnam Sooriyakumaran

IPC分类号： C08G77/20

CPC分类号： H05K1/0326 ,  C09D183/04 ,  C09D183/14 ,  H01B3/307 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/3122 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76808 ,  H01L21/76814 ,  H05K2201/0162

摘要： Silsesquioxane polymers, silsesquioxane polymers in negative tone photo-patternable dielectric formulations, methods of forming structures using negative tone photo-patternable dielectric formulations containing silsesquioxane polymers, and structures made from silsesquioxane polymers.

公开(公告)号：US20110048787A1

公开(公告)日：2011-03-03

申请号：US12550683

申请日：2009-08-31

申请人： Robert David Allen ,  Phillip Joe Brock ,  Blake W. Davis ,  Qinghuang Lin ,  Robert Dennis Miller ,  Alshakim Nelson ,  Ratnam Sooriyakumaran

发明人： Robert David Allen ,  Phillip Joe Brock ,  Blake W. Davis ,  Qinghuang Lin ,  Robert Dennis Miller ,  Alshakim Nelson ,  Ratnam Sooriyakumaran

IPC分类号： H05K1/11 ,  C08G77/14 ,  G03C1/00 ,  G03F7/20

CPC分类号： H05K1/0326 ,  C09D183/04 ,  C09D183/14 ,  H01B3/307 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/3122 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76808 ,  H01L21/76814 ,  H05K2201/0162

摘要： Silsesquioxane polymers, silsesquioxane polymers in negative tone photo-patternable dielectric formulations, methods of forming structures using negative tone photo-patternable dielectric formulations containing silsesquioxane polymers, and structures made from silsesquioxane polymers.

摘要翻译： 倍半硅氧烷聚合物，负色调可光图案化电介质配方中的倍半硅氧烷聚合物，使用含有倍半硅氧烷聚合物的负色调可光阴电介质制剂形成结构的方法，以及由倍半硅氧烷聚合物制成的结构。

公开(公告)号：US08029971B2

公开(公告)日：2011-10-04

申请号：US12047435

申请日：2008-03-13

申请人： Robert D. Allen ,  Phillip Joe Brock ,  Blake W. Davis ,  Qinghuang Lin ,  Robert D. Miller ,  Alshakim Nelson ,  Ratnam Sooriyakumaran

发明人： Robert D. Allen ,  Phillip Joe Brock ,  Blake W. Davis ,  Qinghuang Lin ,  Robert D. Miller ,  Alshakim Nelson ,  Ratnam Sooriyakumaran

IPC分类号： G03F7/039 ,  G03F7/20 ,  G03F7/30 ,  G03F7/40 ,  G03F7/38

CPC分类号： G03F7/0757 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/40 ,  Y10S430/106 ,  Y10S430/115 ,  Y10S430/12 ,  Y10S430/122 ,  Y10S430/126

摘要： Compositions, a method, and a photopatternable blend. The compositions include a blend of a first and a second polymer. The first polymer is a substituted silsesquioxane copolymer. The second polymer is a substituted silsesquioxane polymer. The second polymer is configured to undergo chemical crosslinking with the first polymer, the second polymer, or a combination thereof, upon exposure to light, thermal energy, or a combination thereof. The compositions include a photosensitive acid generator. The method includes forming a film. The film is patternwise imaged, and at least one region is exposed to radiation. After the imaging, the film is baked, wherein at least one exposed region is rendered substantially soluble. After the baking, the film is developed, wherein a relief pattern remains. The relief pattern is exposed to radiation. The relief pattern is baked. The relief pattern is cured. A chemically amplified positive-tone photopatternable blend is also described.

摘要翻译： 组合，一种方法和一种光图案化混合物。 组合物包括第一和第二聚合物的共混物。 第一聚合物是取代的倍半硅氧烷共聚物。 第二聚合物是取代的倍半硅氧烷聚合物。 第二聚合物被配置为在暴露于光，热能或其组合时与第一聚合物，第二聚合物或其组合进行化学交联。 组合物包括光敏酸产生剂。 该方法包括形成膜。 膜被图案化成像，并且至少一个区域暴露于辐射。 在成像之后，烘烤该膜，其中至少一个曝光区域呈现基本上可溶的。 烘烤后，显影膜，其中保留有浮雕图案。 浮雕图案暴露于辐射。 浮雕图案被烘烤。 浮雕图案被修复。 还描述了化学放大的正色调可光图案化混合物。

公开(公告)号：US07919225B2

公开(公告)日：2011-04-05

申请号：US12126287

申请日：2008-05-23

申请人： Robert D. Allen ,  Phillip Joe Brock ,  Blake W. Davis ,  Geraud Jean-Michel Dubois ,  Qinghuang Lin ,  Robert D. Miller ,  Alshakim Nelson ,  Sampath Purushothaman ,  Ratnam Sooriyakumaran

发明人： Robert D. Allen ,  Phillip Joe Brock ,  Blake W. Davis ,  Geraud Jean-Michel Dubois ,  Qinghuang Lin ,  Robert D. Miller ,  Alshakim Nelson ,  Sampath Purushothaman ,  Ratnam Sooriyakumaran

IPC分类号： G03F7/038 ,  G03F7/075 ,  G03F7/20 ,  G03F7/30 ,  G03F7/40

CPC分类号： G03F7/0757 ,  C08L83/14 ,  G03F7/0758 ,  G03F7/38 ,  G03F7/40 ,  Y10S430/106 ,  Y10S430/108 ,  Y10S430/12 ,  Y10S430/122 ,  Y10S430/126 ,  C08L83/00

摘要： A method and a composition. The composition includes at least one carbosilane-substituted silsesquioxane polymer which crosslinks in the presence of an acid. The at least one carbosilane-substituted silsesquioxane polymer is soluble in aqueous base. The method includes forming a coating on a substrate. The coating includes one or more carbosilane-substituted silsesquioxane polymers. The carbosilane-substituted silsesquioxane polymer is soluble in aqueous base. The coating is exposed to radiation, resulting in generating a latent pattern in the coating. The exposed coating is baked at a first temperature less than about 150° C. The baked coating is developed, resulting in forming a latent image from the latent pattern in the baked coating. The latent image is cured at a second temperature less than about 500° C.

摘要翻译： 方法和组成。 该组合物包括在酸存在下交联的至少一种碳硅烷取代的倍半硅氧烷聚合物。 所述至少一种碳硅烷取代的倍半硅氧烷聚合物可溶于碱水溶液。 该方法包括在基底上形成涂层。 涂层包括一种或多种碳硅烷取代的倍半硅氧烷聚合物。 碳硅烷取代的倍半硅氧烷聚合物可溶于碱水溶液。 涂层暴露于辐射，导致在涂层中产生潜在图案。 暴露的涂层在小于约150℃的第一温度下烘烤。烘烤的涂层被显影，从而在烘烤涂层中从潜在图案形成潜像。 潜像在低于约500℃的第二温度下固化

公开(公告)号：US20090291389A1

公开(公告)日：2009-11-26

申请号：US12126287

申请日：2008-05-23

申请人： Robert D. Allen ,  Phillip Joe Brock ,  Blake W. Davis ,  Geraud Jean-Michel Dubois ,  Qinghuang Lin ,  Robert D. Miller ,  Alshakim Nelson ,  Sampath Purushothaman ,  Ratnam Sooriyakumaran

发明人： Robert D. Allen ,  Phillip Joe Brock ,  Blake W. Davis ,  Geraud Jean-Michel Dubois ,  Qinghuang Lin ,  Robert D. Miller ,  Alshakim Nelson ,  Sampath Purushothaman ,  Ratnam Sooriyakumaran

IPC分类号： G03F7/075 ,  C08G77/12 ,  G03F7/20

CPC分类号： G03F7/0757 ,  C08L83/14 ,  G03F7/0758 ,  G03F7/38 ,  G03F7/40 ,  Y10S430/106 ,  Y10S430/108 ,  Y10S430/12 ,  Y10S430/122 ,  Y10S430/126 ,  C08L83/00

摘要： A method and a composition. The composition includes at least one carbosilane-substituted silsesquioxane polymer which crosslinks in the presence of an acid. The at least one carbosilane-substituted silsesquioxane polymer is soluble in aqueous base. The method includes forming a coating on a substrate. The coating includes one or more carbosilane-substituted silsesquioxane polymers. The carbosilane-substituted silsesquioxane polymer is soluble in aqueous base. The coating is exposed to radiation, resulting in generating a latent pattern in the coating. The exposed coating is baked at a first temperature less than about 150° C. The baked coating is developed, resulting in forming a latent image from the latent pattern in the baked coating. The latent image is cured at a second temperature less than about 500° C.

摘要翻译： 方法和组成。 该组合物包括在酸存在下交联的至少一种碳硅烷取代的倍半硅氧烷聚合物。 所述至少一种碳硅烷取代的倍半硅氧烷聚合物可溶于碱水溶液。 该方法包括在基底上形成涂层。 涂层包括一种或多种碳硅烷取代的倍半硅氧烷聚合物。 碳硅烷取代的倍半硅氧烷聚合物可溶于碱水溶液。 涂层暴露于辐射，导致在涂层中产生潜在图案。 暴露的涂层在小于约150℃的第一温度下烘烤。烘烤的涂层被显影，从而在烘烤涂层中从潜在图案形成潜像。 潜像在低于约500℃的第二温度下固化

公开(公告)号：US20090233226A1

公开(公告)日：2009-09-17

申请号：US12047435

申请日：2008-03-13

申请人： Robert D. Allen ,  Phillip Joe Brock ,  Blake W. Davis ,  Qinghuang Lin ,  Robert D. Miller ,  Alshakim Nelson ,  Ratnam Sooriyakumaran

发明人： Robert D. Allen ,  Phillip Joe Brock ,  Blake W. Davis ,  Qinghuang Lin ,  Robert D. Miller ,  Alshakim Nelson ,  Ratnam Sooriyakumaran

IPC分类号： G03F7/004 ,  G03F7/20

CPC分类号： G03F7/0757 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/40 ,  Y10S430/106 ,  Y10S430/115 ,  Y10S430/12 ,  Y10S430/122 ,  Y10S430/126

摘要： Compositions, a method, and a photopatternable blend. The compositions include a blend of a first and a second polymer. The first polymer is a substituted silsesquioxane copolymer. The second polymer is a substituted silsesquioxane polymer. The second polymer is configured to undergo chemical crosslinking with the first polymer, the second polymer, or a combination thereof, upon exposure to light, thermal energy, or a combination thereof. The compositions include a photosensitive acid generator. The method includes forming a film. The film is patternwise imaged, and at least one region is exposed to radiation. After the imaging, the film is baked, wherein at least one exposed region is rendered substantially soluble. After the baking, the film is developed, wherein a relief pattern remains. The relief pattern is exposed to radiation. The relief pattern is baked. The relief pattern is cured. A chemically amplified positive-tone photopatternable blend is also described.

摘要翻译： 组合，一种方法和一种光图案化混合物。 组合物包括第一和第二聚合物的共混物。 第一聚合物是取代的倍半硅氧烷共聚物。 第二聚合物是取代的倍半硅氧烷聚合物。 第二聚合物被配置为在暴露于光，热能或其组合时与第一聚合物，第二聚合物或其组合进行化学交联。 组合物包括光敏酸产生剂。 该方法包括形成膜。 膜被图案化成像，并且至少一个区域暴露于辐射。 在成像之后，烘烤该膜，其中至少一个曝光区域呈现基本上可溶的。 烘烤后，显影膜，其中保留有浮雕图案。 浮雕图案暴露于辐射。 浮雕图案被烘烤。 浮雕图案被修复。 还描述了化学放大的正色调可光图案化混合物。

公开(公告)号：US08470516B2

公开(公告)日：2013-06-25

申请号：US12542821

申请日：2009-08-18

申请人： Robert D. Allen ,  Luisa Bozano ,  Phillip Brock ,  Qinghuang Lin ,  Alshakim Nelson ,  Ratnam Sooriyakumaran

发明人： Robert D. Allen ,  Luisa Bozano ,  Phillip Brock ,  Qinghuang Lin ,  Alshakim Nelson ,  Ratnam Sooriyakumaran

IPC分类号： G03F7/00 ,  G03F7/26

CPC分类号： G03F7/038 ,  G03F7/0757 ,  G03F7/2059 ,  G03F7/40

摘要： A method of generating a relief pattern comprises disposing a resist composition on a substrate to form a film, the resist composition comprising a first silsesquioxane polymer of the formula (1): a second silsesquioxane polymer of the formula (2): and a photosensitive acid generator; patternwise exposing the film by e-beam lithography; heating the exposed film to effect crosslinking of the first polymer and second polymer in the exposed area; and developing the exposed film to form a negative relief pattern.

摘要翻译： 产生浮雕图案的方法包括将抗蚀剂组合物设置在基底上以形成膜，抗蚀剂组合物包含式（1）的第一倍半硅氧烷聚合物：式（2）的第二倍半硅氧烷聚合物：和光敏酸 发电机; 通过电子束光刻对图案进行图案曝光; 加热暴露的膜以在暴露的区域中实现第一聚合物和第二聚合物的交联; 并将曝光的胶片显影形成负浮雕图案。

公开(公告)号：US20080286467A1

公开(公告)日：2008-11-20

申请号：US11750356

申请日：2007-05-18

申请人： Robert D. Allen ,  Phillip Brock ,  Blake W. Davis ,  Qinghuang Lin ,  Robert D. Miller ,  Alshakim Nelson ,  Ratnam Sooriyakumaran

发明人： Robert D. Allen ,  Phillip Brock ,  Blake W. Davis ,  Qinghuang Lin ,  Robert D. Miller ,  Alshakim Nelson ,  Ratnam Sooriyakumaran

IPC分类号： B05D1/32 ,  C04B41/50

CPC分类号： H01L21/3122 ,  G03F7/0382 ,  G03F7/0757 ,  G03F7/40 ,  H01L21/02137 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02348 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76828 ,  Y10S430/106 ,  Y10S430/108 ,  Y10S430/12 ,  Y10S430/121 ,  Y10S430/122 ,  Y10S430/126

摘要： A method. The method includes dip coating a film of a composition on a silicon wafer substrate. The composition includes a polymer blend of a first polymer and a second polymer. The first polymer is a substituted silsesquioxane copolymer. The second polymer is a polysilsesquioxane having silanol end groups. The composition includes a photosensitive acid generator, an organic base, and an organic crosslinking agent. The film is patternwise imaged and at least one region is exposed to radiation having a wavelength of about 248 nanometers. The film is baked, resulting in inducing crosslinking in the film. The film is developed resulting in removal of base-soluble unexposed regions of the film, wherein a relief pattern from the film remains. The relief pattern is cured at a temperature between about 300° C. and about 450° C., and the curing utilizes a combination of thermal treatment with UV radiation.

摘要翻译： 一个方法。 该方法包括在硅晶片衬底上浸涂组合物的膜。 该组合物包括第一聚合物和第二聚合物的聚合物共混物。 第一聚合物是取代的倍半硅氧烷共聚物。 第二聚合物是具有硅烷醇端基的聚倍半硅氧烷。 该组合物包括光敏酸产生剂，有机碱和有机交联剂。 膜被图案化成像，并且至少一个区域暴露于波长为约248纳米的辐射。 该膜被烘烤，导致膜中引起交联。 显影该膜，导致去除基底溶解的膜的未曝光区域，其中残留有膜的浮雕图案。 浮雕图案在约300℃和约450℃之间的温度下固化，并且固化利用与UV辐射的热处理的组合。