公开(公告)号：US5340796A

公开(公告)日：1994-08-23

申请号：US976294

申请日：1992-11-13

申请人： Robert J. Cava ,  Steven A. Sunshine

发明人： Robert J. Cava ,  Steven A. Sunshine

IPC分类号： C04B35/45 ,  H01L39/12 ,  C01F11/02 ,  C01G3/02 ,  C01G29/00

CPC分类号： H01L39/126 ,  C04B35/4521 ,  C04B35/4525 ,  Y10S505/782

摘要： Novel superconductive oxides are disclosed. The oxides all have layered perovskite-like crystal structure and manifest superconductivity above about 77K. An exemplary material has composition Bi.sub.2.2 Sr.sub.2 Ca.sub.0.8 Cu.sub.2 O.sub.8. Other materials are described by the nominal formula X.sub.2+x M.sub.n-x Cu.sub.n-1 O.sub.2+2n+x/2.+-..delta., where X typically is Bi, or Bi together with Pb or other appropriate substituent, M is one or more divalent ion or mixture of monovalent and trivalent ion, n is an integer greater than 3, x=p/q, where p and q are integers and p

摘要翻译： 公开了新型超导氧化物。 氧化物都具有层状的钙钛矿晶体结构，超过约77K的超导体。 示例性材料具有组成Bi2.2Sr2Ca0.8Cu2O8。 其他材料由标称式X2 + xMn-xCun-1O2 + 2n + x / 2 +/-δ表示，其中X通常为Bi，或Bi与Pb或其他合适的取代基一起描述，M为一个或多个二价离子或 单价和三价离子的混合物，n是大于3的整数，x = p / q，其中p和q是整数，p

公开(公告)号：US4542083A

公开(公告)日：1985-09-17

申请号：US618777

申请日：1984-06-11

申请人： Robert J. Cava ,  Donald W. Murphy

发明人： Robert J. Cava ,  Donald W. Murphy

IPC分类号： H01M4/131 ,  H01M4/48 ,  H01M4/485 ,  H01M10/052 ,  H01M10/36 ,  H01M4/58

CPC分类号： H01M4/485 ,  H01M10/052 ,  H01M4/48 ,  H01M4/131

摘要： It has been found that mixed metal oxides such as vanadium tungsten oxides or titanium niobium oxides, having the stoichiometry xM.sup.A O.sub.2 . Y.sub.2.sup.B O.sub.5 . zM.sup.C O.sub.3 constitute useful active positive electrode material in nonaqueous cells.

摘要翻译： 已经发现，具有化学计量比xMAO2的混合金属氧化物如钒氧化钨或氧化钛铌。 Y2BO5。 zMCO3在非水电池中构成有用的活性正极材料。

公开(公告)号：US09331020B2

公开(公告)日：2016-05-03

申请号：US13039762

申请日：2011-03-03

申请人： Ali Yazdani ,  N. Phuan Ong ,  Robert J. Cava

发明人： Ali Yazdani ,  N. Phuan Ong ,  Robert J. Cava

IPC分类号： H01L29/76 ,  H01L23/532 ,  H01L29/786 ,  H01L21/768 ,  C22C28/00 ,  C22C30/00 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L23/53209 ,  C22C28/00 ,  C22C30/00 ,  H01L21/76838 ,  H01L23/53271 ,  H01L29/78 ,  H01L29/78681 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01051 ,  Y10T29/49204 ,  H01L2924/00

摘要： An interconnect is disclosed with enhanced immunity of electrical conductivity to defects. The interconnect includes a material with charge carriers having topological surface states. Also disclosed is a method for fabricating such interconnects. Also disclosed is an integrated circuit including such interconnects. Also disclosed is a gated electronic device including a material with charge carriers having topological surface states.

摘要翻译： 公开了具有增强的电导率对缺陷的免疫性的互连。 互连包括具有拓扑表面状态的电荷载体的材料。 还公开了制造这种互连的方法。 还公开了包括这种互连的集成电路。 还公开了一种门控电子器件，其包括具有拓扑表面状态的电荷载体的材料。

公开(公告)号：US5628933A

公开(公告)日：1997-05-13

申请号：US622324

申请日：1996-03-26

申请人： Sue A. Carter ,  Robert J. Cava ,  Jueinai R. Kwo ,  Julia M. Phillips ,  Gordon A. Thomas

发明人： Sue A. Carter ,  Robert J. Cava ,  Jueinai R. Kwo ,  Julia M. Phillips ,  Gordon A. Thomas

IPC分类号： C01G15/00 ,  C01G17/00 ,  C01G19/00 ,  H01B1/08 ,  C01G9/02

CPC分类号： H01B1/08 ,  C01G15/00 ,  C01G15/006 ,  C01G17/006 ,  C01G19/006 ,  Y10S420/903

摘要： Applicant has discovered that aliovalently doped zinc-indium-oxide where In is 40-75% of the metal elements can achieve electrical conductivity comparable to wide band-gap semiconductors presently in use while exhibiting enhanced transparency in both the visible and infrared. The material can be doped to resistivity of less than 1 milliohm-cm by small quantifies of aliovalent dopants, such as tetravalent atoms. It can be deposited on glass substrates in amorphous and polycrystalline films.

摘要翻译： 申请人已经发现，其中In是金属元素的40-75％的异氰酸盐掺杂的锌 - 铟氧化物可以实现与目前使用的宽带隙半导体相当的导电性，同时在可见光和红外线都显示增强的透明度。 该材料可以通过小数量的诸如四价原子的低价掺杂剂掺杂到小于1毫欧姆 - 厘米的电阻率。 它可以沉积在玻璃基板上的非晶和多晶膜中。

公开(公告)号：US5948216A

公开(公告)日：1999-09-07

申请号：US649369

申请日：1996-05-17

申请人： Robert J. Cava ,  Shang Y. Hou ,  Jueinai Raynien Kwo ,  Eric W. Seelig ,  Roderick K. Watts

发明人： Robert J. Cava ,  Shang Y. Hou ,  Jueinai Raynien Kwo ,  Eric W. Seelig ,  Roderick K. Watts

IPC分类号： C23C14/08 ,  C23C14/34 ,  H01L21/316 ,  H01L21/822 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/04 ,  H01L27/108

CPC分类号： C23C14/083

摘要： The present applicants have discovered a method for making thin films comprising tantalum oxide that enhances the dielectric constant with or without TiO.sub.2 doping. Specifically, applicants have discovered sputtering Ta.sub.2 O.sub.5 in an oxygen-rich ambient at a temperature in excess of 450.degree. C. and preferably in excess of 550.degree. C., produces a new crystalline phase thin film having enhanced dielectric properties.

摘要翻译： 本申请人已经发现了制造包含氧化钽的薄膜的方法，其增强了具有或不具有二氧化钛掺杂的介电常数。 具体地，申请人已经发现在超过450℃，优选超过550℃的温度下在富氧环境中溅射Ta 2 O 5，产生具有增强的介电特性的新的结晶相薄膜。

公开(公告)号：US5470530A

公开(公告)日：1995-11-28

申请号：US177837

申请日：1994-01-05

申请人： Robert J. Cava ,  Theo Siegrist

发明人： Robert J. Cava ,  Theo Siegrist

IPC分类号： C22C5/00 ,  C04B35/58 ,  C04B35/653 ,  C22C19/03 ,  H01L39/12 ,  C22C5/04 ,  C22C28/00 ,  C22C30/00

CPC分类号： C04B35/5805 ,  C04B35/5156 ,  C04B35/653 ,  H01L39/12 ,  Y10S420/901 ,  Y10S505/805

摘要： Material comprising an effective amount of a novel intermetallic bulk superconductor compound is disclosed. The compound has the composition LnNi.sub.2 B.sub.2 C, with Ln being Y or a rare earth (atomic number 57-71), preferably Tm, Er, Ho or Ln. A compound of composition XPt.sub.2 B.sub.2 C, with X=Y and/or La, is also a superconductor.

摘要翻译： 公开了包含有效量的新型金属间体超导体化合物的材料。 化合物具有LnNi2B2C，Ln为Y或稀土（原子序数57-71），优选为Tm，Er，Ho或Ln。 具有X = Y和/或La的组合物XPt2B2C的化合物也是超导体。

公开(公告)号：US5407602A

公开(公告)日：1995-04-18

申请号：US143811

申请日：1993-10-27

申请人： Robert J. Cava

发明人： Robert J. Cava

IPC分类号： C01G15/00 ,  C23C14/08 ,  G02F1/1343 ,  H01B1/08 ,  H01B5/14 ,  H01L31/0224 ,  H01B1/00 ,  H01B1/06

CPC分类号： H01B1/08 ,  H01L31/022466 ,  G02F1/13439

摘要： Applicant has discovered that aliovalently doped gallium-indium-oxide (GaInO.sub.3) can achieve electrical conductivity comparable to wide band-gap semiconductors presently in use while exhibiting enhanced transparency and improved index matching. The material can be doped to resistivity of less than 10 milliohm-cm by small quantities of aliovalent dopants, such as tetravalent atoms. It has a refractive index of about 1.6 and can be deposited on glass substrates in polycrystalline films.

摘要翻译： 申请人已经发现，异价掺杂的镓铟氧化物（GaInO 3）可以实现与目前使用的宽带隙半导体相当的导电性，同时具有增强的透明度和改进的折射率匹配。 该材料可以通过少量的诸如四价原子的低价掺杂剂掺杂到小于10毫欧姆·厘米的电阻率。 折射率约为1.6，可沉积在多晶膜玻璃基板上。

公开(公告)号：US5389603A

公开(公告)日：1995-02-14

申请号：US484457

申请日：1990-02-09

申请人： Bertram J. Batlogg ,  Robert J. Cava

发明人： Bertram J. Batlogg ,  Robert J. Cava

IPC分类号： H01L39/12 ,  H01B12/00

CPC分类号： H01L39/126 ,  Y10S505/776 ,  Y10S505/779 ,  Y10S505/782 ,  Y10S505/783

摘要： A new class of high temperature superconductive oxides is disclosed. An exemplary member of the class has nominal composition Pb.sub.2 Sr.sub.2 Y.sub.0.5 Ca.sub.0.5 Cu.sub.3 O.sub.8 and has a transition temperature T.sub.c (onset) of about 79K.

摘要翻译： 公开了一类新的高温超导氧化物。 该类的示例性成员具有标称组成Pb2Sr2Y0.5Ca0.5Cu3O8，并且具有约79K的转变温度Tc（起始）。

公开(公告)号：US20120161209A1

公开(公告)日：2012-06-28

申请号：US13039762

申请日：2011-03-03

申请人： Ali Yazdani ,  N. Phuan Ong ,  Robert J. Cava

发明人： Ali Yazdani ,  N. Phuan Ong ,  Robert J. Cava

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01B5/00 ,  H01L21/70 ,  H01L25/00

CPC分类号： H01L23/53209 ,  C22C28/00 ,  C22C30/00 ,  H01L21/76838 ,  H01L23/53271 ,  H01L29/78 ,  H01L29/78681 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01051 ,  Y10T29/49204 ,  H01L2924/00

摘要： An interconnect is disclosed with enhanced immunity of electrical conductivity to defects. The interconnect includes a material with charge carriers having topological surface states. Also disclosed is a method for fabricating such interconnects. Also disclosed is an integrated circuit including such interconnects. Also disclosed is a gated electronic device including a material with charge carriers having topological surface states.

摘要翻译： 公开了具有增强的电导率对缺陷的免疫性的互连。 互连包括具有拓扑表面状态的电荷载体的材料。 还公开了制造这种互连的方法。 还公开了包括这种互连的集成电路。 还公开了一种门控电子器件，其包括具有拓扑表面状态的电荷载体的材料。

公开(公告)号：US5552355A

公开(公告)日：1996-09-03

申请号：US538317

申请日：1995-10-03

申请人： Robert J. Cava ,  James J. Krajewski ,  William F. Peck

发明人： Robert J. Cava ,  James J. Krajewski ,  William F. Peck

IPC分类号： C04B35/00 ,  C04B35/46 ,  C04B35/465 ,  C04B35/499 ,  H01B3/12

CPC分类号： C04B35/465 ,  C04B35/499

摘要： A decrease in the temperature coefficient of the dielectric constant (TCK) for polycrystalline ceramics of Barium Strontium Titanate (BST) through admixture with tetragonal bronze type Barium Strontium Niobate (BSN) has been found. For Ba.sub.0.5 Sr.sub.0.5 TiO.sub.3 ceramics, a 10% admixture of BSN decreases TCK by a factor of 2.5 at 10 MHz, with negligible degradation of the dielectric loss. A 37.5% admixture of BSN decreases TCK by a factor of more than 100. Dielectric constants for the mixtures are in the range of 200-500.

摘要翻译： 已经发现通过与四方青铜型铌酸钡铌酸钡（BSN）混合，通过与钛酸钡锶（BST）的多晶陶瓷的介电常数（TCK）的温度系数的降低。 对于Ba0.5Sr0.5TiO3陶瓷，10％的BSN混合物在10MHz下将TCK降低2.5倍，介电损耗降低可忽略不计。 BSN的37.5％混合物将TCK降低超过100倍。混合物的介电常数在200-500的范围内。