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公开(公告)号：US20070214728A1
公开(公告)日：2007-09-20
申请号：US11670137
申请日：2007-02-01
申请人： Robert Vacassy , Dinesh Khanna , Alexander Simpson
发明人： Robert Vacassy , Dinesh Khanna , Alexander Simpson
IPC分类号： C09G1/00
CPC分类号： C09G1/02 , C09K3/1463 , C23F3/06 , H01L21/3212
摘要： The invention provides a method of chemically-mechanically polishing a substrate comprising tungsten through use of a composition comprising a tungsten etchant, an inhibitor of tungsten etching, and water, wherein the inhibitor of tungsten polishing is a polymer, copolymer, or polymer blend comprising at least one repeating group comprising at least one nitrogen-containing heterocyclic ring or a tertiary or quaternary nitrogen atom. The invention further provides a chemical-mechanical polishing composition particularly useful in polishing tungsten-containing substrates.
摘要翻译： 本发明提供了通过使用包含钨蚀刻剂，钨蚀刻抑制剂和水的组合物对包含钨的基材进行化学机械抛光的方法，其中所述钨抛光抑制剂是聚合物，共聚物或聚合物共混物，其包含在 至少一个包含至少一个含氮杂环或叔或季氮原子的重复基团。 本发明还提供了一种特别适用于抛光含钨衬底的化学机械抛光组合物。
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公开(公告)号：US20070266641A1
公开(公告)日：2007-11-22
申请号：US11881338
申请日：2007-07-26
申请人： Robert Vacassy , Dinesh Khanna , Alexander Simpson
发明人： Robert Vacassy , Dinesh Khanna , Alexander Simpson
IPC分类号： C09C1/68
CPC分类号： C09G1/02 , C09K3/1463 , C23F3/06 , H01L21/3212
摘要： The invention provides a chemical-mechanical polishing composition particularly useful in polishing tungsten-containing substrates. The composition comprises a tungsten etchant, an inhibitor of tungsten etching, and water, wherein the inhibitor of tungsten polishing is a polymer, copolymer, or polymer blend comprising at least one repeating group comprising at least one nitrogen-containing heterocyclic ring or a tertiary or quaternary nitrogen atom.
摘要翻译： 本发明提供了特别可用于抛光含钨基材的化学机械抛光组合物。 所述组合物包含钨蚀刻剂，钨蚀刻抑制剂和水，其中所述钨抛光抑制剂是包含至少一个包含至少一个含氮杂环或叔或三元杂环的重复基团的聚合物，共聚物或聚合物共混物， 季氮原子。
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公开(公告)号：US20050282391A1
公开(公告)日：2005-12-22
申请号：US10869397
申请日：2004-06-16
申请人： Robert Vacassy , Dinesh Khanna , Alexander Simpson
发明人： Robert Vacassy , Dinesh Khanna , Alexander Simpson
IPC分类号： C09G1/02 , C09K3/14 , C23F3/06 , H01L21/321 , H01L21/302 , B44C1/22
CPC分类号： C09G1/02 , C09K3/1463 , C23F3/06 , H01L21/3212
摘要： The invention provides a method of chemically-mechanically polishing a substrate comprising tungsten through use of a composition comprising a tungsten etchant, an inhibitor of tungsten etching, and water, wherein the inhibitor of tungsten polishing is a polymer, copolymer, or polymer blend comprising at least one repeating group comprising at least one nitrogen-containing heterocyclic ring or a tertiary or quaternary nitrogen atom. The invention further provides a chemical-mechanical polishing composition particularly useful in polishing tungsten-containing substrates.
摘要翻译： 本发明提供了通过使用包含钨蚀刻剂，钨蚀刻抑制剂和水的组合物对包含钨的基材进行化学机械抛光的方法，其中所述钨抛光抑制剂是聚合物，共聚物或聚合物共混物，其包含在 至少一个包含至少一个含氮杂环或叔或季氮原子的重复基团。 本发明还提供了一种特别适用于抛光含钨衬底的化学机械抛光组合物。
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公开(公告)号：US07294576B1
公开(公告)日：2007-11-13
申请号：US11478023
申请日：2006-06-29
申请人： Zhan Chen , Robert Vacassy , Benjamin Bayer , Dinesh Khanna
发明人： Zhan Chen , Robert Vacassy , Benjamin Bayer , Dinesh Khanna
IPC分类号： H01L21/302
CPC分类号： H01L21/3212 , C09G1/02 , H01L21/31053
摘要： The invention provides a method of preparing a chemical-mechanical polishing composition for polishing a substrate with at least a first layer and a second layer. The method comprises providing both a first chemical-mechanical polishing composition comprising an abrasive with a selectivity for a first layer as compared to a second layer and a second chemical-mechanical polishing composition comprising an abrasive with different selectivity for the first layer as compared to the second layer, wherein the second chemical-mechanical polishing composition is stable in the presence of the first chemical-mechanical polishing composition, and mixing the first and second chemical-mechanical polishing compositions in a ratio to achieve a final selectivity for the first layer as compared to the second layer. The invention further provides a method of chemically-mechanically polishing a substrate.
摘要翻译： 本发明提供一种制备用至少第一层和第二层来抛光衬底的化学机械抛光组合物的方法。 该方法包括提供包含磨料的第一化学机械抛光组合物，其与第二层相比具有对第一层的选择性;以及第二化学机械抛光组合物，其包含与第一层相比具有不同选择性的研磨剂 第二层，其中所述第二化学机械抛光组合物在所述第一化学机械抛光组合物的存在下是稳定的，并且以比例混合所述第一和第二化学机械抛光组合物以获得比较所述第一层的最终选择性 到第二层。 本发明还提供了一种化学机械抛光衬底的方法。
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公开(公告)号：US07247567B2
公开(公告)日：2007-07-24
申请号：US10869397
申请日：2004-06-16
IPC分类号： H01L21/302 , H01L21/461
CPC分类号： C09G1/02 , C09K3/1463 , C23F3/06 , H01L21/3212
摘要： The invention provides a method of chemically-mechanically polishing a substrate comprising tungsten through use of a composition comprising a tungsten etchant, an inhibitor of tungsten etching, and water, wherein the inhibitor of tungsten polishing is a polymer, copolymer, or polymer blend comprising at least one repeating group comprising at least one nitrogen-containing heterocyclic ring or a tertiary or quaternary nitrogen atom. The invention further provides a chemical-mechanical polishing composition particularly useful in polishing tungsten-containing substrates.
摘要翻译： 本发明提供了通过使用包含钨蚀刻剂，钨蚀刻抑制剂和水的组合物对包含钨的基材进行化学机械抛光的方法，其中所述钨抛光抑制剂是聚合物，共聚物或聚合物共混物，其包含在 至少一个包含至少一个含氮杂环或叔或季氮原子的重复基团。 本发明还提供了一种特别适用于抛光含钨衬底的化学机械抛光组合物。
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公开(公告)号：US07582127B2
公开(公告)日：2009-09-01
申请号：US11670137
申请日：2007-02-01
CPC分类号： C09G1/02 , C09K3/1463 , C23F3/06 , H01L21/3212
摘要： The invention provides a method of chemically-mechanically polishing a substrate comprising tungsten through use of a composition comprising a tungsten etchant, an inhibitor of tungsten etching, and water, wherein the inhibitor of tungsten polishing is a polymer, copolymer, or polymer blend comprising at least one repeating group comprising at least one nitrogen-containing heterocyclic ring or a tertiary or quaternary nitrogen atom. The invention further provides a chemical-mechanical polishing composition particularly useful in polishing tungsten-containing substrates.
摘要翻译： 本发明提供了通过使用包含钨蚀刻剂，钨蚀刻抑制剂和水的组合物对包含钨的基材进行化学机械抛光的方法，其中所述钨抛光抑制剂是聚合物，共聚物或聚合物共混物，其包含在 至少一个包含至少一个含氮杂环或叔或季氮原子的重复基团。 本发明还提供了一种特别适用于抛光含钨衬底的化学机械抛光组合物。
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公开(公告)号：US20050150173A1
公开(公告)日：2005-07-14
申请号：US10506853
申请日：2003-03-05
申请人： Robert Vacassy
发明人： Robert Vacassy
IPC分类号： C09K3/14 , B24B37/00 , C09G1/02 , H01L21/304 , B24D3/02
CPC分类号： C09G1/02
摘要： The invention provides a polishing composition comprising (a) a silica abrasive, (b) methanol, and (c) a liquid carrier, wherein the polishing composition has a pH of 1 to 6, and the polishing composition is colloidally stable. The invention also provides a method for polishing a substrate comprising a silicon-based dielectric layer using the polishing composition. The invention further provides a method of stabilizing a silica abrasive in a polishing composition by contacting the abrasive with methanol.
摘要翻译： 本发明提供一种抛光组合物，其包括（a）二氧化硅磨料，（b）甲醇和（c）液体载体，其中所述抛光组合物的pH为1至6，并且所述抛光组合物胶体稳定。 本发明还提供了一种使用抛光组合物抛光包含硅基电介质层的衬底的方法。 本发明还提供了一种通过使磨料与甲醇接触来稳定抛光组合物中的二氧化硅磨料的方法。
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公开(公告)号：US06682575B2
公开(公告)日：2004-01-27
申请号：US10092406
申请日：2002-03-05
申请人： Robert Vacassy
发明人： Robert Vacassy
IPC分类号： C09G102
CPC分类号： C09G1/02
摘要： The invention provides a polishing composition comprising (a) a silica abrasive, (b) methanol, and (c) a liquid carrier, wherein the polishing composition has a pH of about 1 to about 6, and the polishing composition is colloidally stable. The invention also provides a method for polishing a substrate comprising a silicon-based dielectric layer using the polishing composition. The invention further provides a method of stabilizing a silica abrasive in a polishing composition by contacting the abrasive with methanol.
摘要翻译： 本发明提供一种抛光组合物，其包括（a）二氧化硅磨料，（b）甲醇和（c）液体载体，其中所述抛光组合物的pH为约1至约6，并且所述抛光组合物胶体稳定。 本发明还提供了一种使用抛光组合物抛光包含硅基电介质层的衬底的方法。 本发明还提供了一种通过使磨料与甲醇接触来稳定抛光组合物中的二氧化硅磨料的方法。
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9.发明申请COMPOSITIONS AND METHODS FOR CHEMICAL-MECHANICAL POLISHING OF PHASE CHANGE MATERIALS 审中-公开化学机械抛光相变材料的组合物和方法公开(公告)号：US20100190339A1
公开(公告)日：2010-07-29
申请号：US12670495
申请日：2008-07-24
申请人： Zhan Chen , Kai Luo , Robert Vacassy
发明人： Zhan Chen , Kai Luo , Robert Vacassy
IPC分类号： H01L21/304 , C09K13/00
CPC分类号： C09G1/02 , B24B37/044 , C09K3/1463 , G11C13/0004 , H01L21/31053
摘要： The present invention provides a chemical-mechanical polishing (CMP) composition suitable for polishing a substrate comprising a phase change material (PCM), such as a germanium-antimony-tellurium (GST) alloy. The composition comprises a particulate abrasive material in combination with lysine, an optional oxidizing agent, and an aqueous carrier therefor. CMP methods for polishing a phase change material-containing substrate utilizing the composition are also disclosed.
摘要翻译： 本发明提供了适用于抛光包括相变材料（PCM）的基材的化学机械抛光（CMP）组合物，例如锗 - 锑 - 碲（GST）合金。 组合物包含与赖氨酸组合的颗粒磨料，任选的氧化剂及其水性载体。 还公开了利用该组合物研磨含相变材料的衬底的CMP方法。
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公开(公告)号：US07677956B2
公开(公告)日：2010-03-16
申请号：US10142681
申请日：2002-05-10
CPC分类号： B24B37/0056 , B24B37/044 , C09G1/02 , C09K3/1436 , C09K3/1463 , H01L21/31053
摘要： The invention is directed to a chemical-mechanical polishing composition comprising (a) an abrasive consisting essentially of aggregated silica, (b) an acid, and (c) a liquid carrier, wherein the polishing composition has a pH of about 5 or less. The invention is also directed to a method of polishing a substrate comprising a dielectric layer using the polishing composition.
摘要翻译： 本发明涉及一种化学机械抛光组合物，其包含（a）主要由聚集的二氧化硅组成的磨料，（b）酸和（c）液体载体，其中所述抛光组合物具有约5或更低的pH。 本发明还涉及使用抛光组合物抛光包括电介质层的基底的方法。
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