公开(公告)号：US20110281435A1

公开(公告)日：2011-11-17

申请号：US13189416

申请日：2011-07-22

申请人： S. M. Reza Sadjadi ,  Zhisong Huang ,  Jose Tong Sam ,  Eric H. Lenz ,  Rajinder Dhindsa

发明人： S. M. Reza Sadjadi ,  Zhisong Huang ,  Jose Tong Sam ,  Eric H. Lenz ,  Rajinder Dhindsa

IPC分类号： H01L21/311

CPC分类号： H01J37/32091 ,  H01J37/32155 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449

摘要： A plasma chamber with a plasma confinement zone with an electrode is provided. A gas distribution system for providing a first gas and a second gas is connected to the plasma chamber, wherein the gas distribution system can substantially replace one gas in the plasma zone with the other gas within a period of less than 1 s. A first frequency tuned RF power source for providing power to the electrode in a first frequency range is electrically connected to the at least one electrode wherein the first frequency tuned RF power source is able to minimize a reflected RF power. A second frequency tuned RF power source for providing power to the plasma chamber in a second frequency range outside of the first frequency range wherein the second frequency tuned RF power source is able to minimize a reflected RF power.

摘要翻译： 提供具有电极等离子体限制区的等离子体室。 用于提供第一气体和第二气体的气体分配系统连接到等离子体室，其中气体分配系统可以在小于1秒的时间内基本上替换等离子体区域中的一种气体与另一种气体。 用于在第一频率范围内向电极提供功率的第一频率调谐RF电源电连接到至少一个电极，其中第一频率调谐的RF功率源能够最小化反射的RF功率。 用于在第一频率范围之外的第二频率范围内为等离子体室提供功率的第二频率调谐RF电源，其中第二频率调谐的RF功率源能够使反射的RF功率最小化。

公开(公告)号：US08343876B2

公开(公告)日：2013-01-01

申请号：US13189416

申请日：2011-07-22

申请人： S. M. Reza Sadjadi ,  Zhisong Huang ,  Jose Tong Sam ,  Eric H. Lenz ,  Rajinder Dhindsa

发明人： S. M. Reza Sadjadi ,  Zhisong Huang ,  Jose Tong Sam ,  Eric H. Lenz ,  Rajinder Dhindsa

IPC分类号： H01L21/302

CPC分类号： H01J37/32091 ,  H01J37/32155 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449

摘要： A plasma chamber with a plasma confinement zone with an electrode is provided. A gas distribution system for providing a first gas and a second gas is connected to the plasma chamber, wherein the gas distribution system can substantially replace one gas in the plasma zone with the other gas within a period of less than 1 s. A first frequency tuned RF power source for providing power to the electrode in a first frequency range is electrically connected to the at least one electrode wherein the first frequency tuned RF power source is able to minimize a reflected RF power. A second frequency tuned RF power source for providing power to the plasma chamber in a second frequency range outside of the first frequency range wherein the second frequency tuned RF power source is able to minimize a reflected RF power.

摘要翻译： 提供具有电极等离子体限制区的等离子体室。 用于提供第一气体和第二气体的气体分配系统连接到等离子体室，其中气体分配系统可以在小于1秒的时间内基本上替换等离子体区域中的一种气体与另一种气体。 用于在第一频率范围内向电极提供功率的第一频率调谐RF电源电连接到至少一个电极，其中第一频率调谐的RF功率源能够最小化反射的RF功率。 用于在第一频率范围之外的第二频率范围内为等离子体室提供功率的第二频率调谐RF电源，其中第二频率调谐的RF功率源能够使反射的RF功率最小化。

公开(公告)号：US08673785B2

公开(公告)日：2014-03-18

申请号：US12716918

申请日：2010-03-03

申请人： Zhisong Huang ,  Jose Tong Sam ,  Eric H. Lenz ,  Rajinder Dhindsa ,  Reza Sadjadi

发明人： Zhisong Huang ,  Jose Tong Sam ,  Eric H. Lenz ,  Rajinder Dhindsa ,  Reza Sadjadi

IPC分类号： H01L21/311 ,  H01L21/302 ,  H01L21/461 ,  B44C1/22 ,  C03C15/00

CPC分类号： C23C16/45561 ,  C23C16/45565 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449

摘要： A gas distribution system for supplying different gas compositions to a chamber, such as a plasma processing chamber of a plasma processing apparatus is provided. The gas distribution system can include a gas supply section, a flow control section and a switching section. The gas supply section provides first and second gases, typically gas mixtures, to the flow control section, which controls the flows of the first and second gases to the chamber. The chamber can include multiple zones, and the flow control section can supply the first and second gases to the multiple zones at desired flow ratios of the gases. The gas distribution system can continuously supply the first and second gases to the switching section and the switching section is operable to switch the flows of the first and second gases, such that one of the first and second process gases is supplied to the chamber while the other of the first and second gases is supplied to a by-pass line, and then to switch the gas flows. The switching section preferably includes fast switching valves operable to quickly open and close to allow fast switching of the first and second gases, preferably without the occurrence of undesirable pressure surges or flow instabilities in the flow of either gas.

摘要翻译： 提供了一种用于将诸如等离子体处理装置的等离子体处理室之类的不同气体成分供应到腔室的气体分配系统。 气体分配系统可以包括气体供应部分，流量控制部分和切换部分。 气体供应部分将第一和第二气体（通常为气体混合物）提供给流量控制部分，该控制部分控制第一和第二气体流到室的流动。 腔室可以包括多个区域，并且流量控制部分可以以期望的气体流量比将第一和第二气体供应到多个区域。 气体分配系统可以将第一和第二气体连续地供应到切换部分，并且切换部分可操作地切换第一和第二气体的流动，使得第一和第二处理气体中的一个被供应到腔室，而 第一和第二气体中的另一个被供应到旁路管线，然后切换气体流。 切换部分优选地包括快速切换阀，其可操作以快速打开和关闭，以允许第一和第二气体的快速切换，优选地，在任一气体的流动中不发生不期望的压力波动或流动不稳定性。

公开(公告)号：US20100159707A1

公开(公告)日：2010-06-24

申请号：US12716918

申请日：2010-03-03

申请人： Zhisong Huang ,  Jose Tong Sam ,  Eric H. Lenz ,  Rajinder Dhindsa ,  Reza Sadjadi

发明人： Zhisong Huang ,  Jose Tong Sam ,  Eric H. Lenz ,  Rajinder Dhindsa ,  Reza Sadjadi

IPC分类号： H01L21/3065 ,  H01L21/312

CPC分类号： C23C16/45561 ,  C23C16/45565 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449

摘要： A gas distribution system for supplying different gas compositions to a chamber, such as a plasma processing chamber of a plasma processing apparatus is provided. The gas distribution system can include a gas supply section, a flow control section and a switching section. The gas supply section provides first and second gases, typically gas mixtures, to the flow control section, which controls the flows of the first and second gases to the chamber. The chamber can include multiple zones, and the flow control section can supply the first and second gases to the multiple zones at desired flow ratios of the gases. The gas distribution system can continuously supply the first and second gases to the switching section and the switching section is operable to switch the flows of the first and second gases, such that one of the first and second process gases is supplied to the chamber while the other of the first and second gases is supplied to a by-pass line, and then to switch the gas flows. The switching section preferably includes fast switching valves operable to quickly open and close to allow fast switching of the first and second gases, preferably without the occurrence of undesirable pressure surges or flow instabilities in the flow of either gas.

摘要翻译： 提供了一种用于将诸如等离子体处理装置的等离子体处理室之类的不同气体成分供应到腔室的气体分配系统。 气体分配系统可以包括气体供应部分，流量控制部分和切换部分。 气体供应部分将第一和第二气体（通常为气体混合物）提供给流量控制部分，该控制部分控制第一和第二气体流到室的流动。 腔室可以包括多个区域，并且流量控制部分可以以期望的气体流量比将第一和第二气体供应到多个区域。 气体分配系统可以将第一和第二气体连续地供应到切换部分，并且切换部分可操作地切换第一和第二气体的流动，使得第一和第二处理气体中的一个被供应到腔室，而 第一和第二气体中的另一个被供应到旁路管线，然后切换气体流。 切换部分优选地包括快速切换阀，其可操作以快速打开和关闭，以允许第一和第二气体的快速切换，优选地，在任一气体的流动中不发生不期望的压力波动或流动不稳定性。

公开(公告)号：US07708859B2

公开(公告)日：2010-05-04

申请号：US10835175

申请日：2004-04-30

申请人： Zhisong Huang ,  Jose Tong Sam ,  Eric H. Lenz ,  Rajinder Dhindsa ,  Reza Sadjadi

发明人： Zhisong Huang ,  Jose Tong Sam ,  Eric H. Lenz ,  Rajinder Dhindsa ,  Reza Sadjadi

IPC分类号： C23C16/00 ,  C23C14/00 ,  C23F1/00 ,  H01L21/306 ,  H01L21/302 ,  H01L21/461 ,  C25B11/00 ,  C25B13/00

CPC分类号： C23C16/45561 ,  C23C16/45565 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449

摘要： A gas distribution system for supplying different gas compositions to a chamber, such as a plasma processing chamber of a plasma processing apparatus is provided. The gas distribution system can include a gas supply section, a flow control section and a switching section. The gas supply section provides first and second gases, typically gas mixtures, to the flow control section, which controls the flows of the first and second gases to the chamber. The chamber can include multiple zones, and the flow control section can supply the first and second gases to the multiple zones at desired flow ratios of the gases. The gas distribution system can continuously supply the first and second gases to the switching section and the switching section is operable to switch the flows of the first and second gases, such that one of the first and second process gases is supplied to the chamber while the other of the first and second gases is supplied to a by-pass line, and then to switch the gas flows. The switching section preferably includes fast switching valves operable to quickly open and close to allow fast switching of the first and second gases, preferably without the occurrence of undesirable pressure surges or flow instabilities in the flow of either gas.

摘要翻译： 提供了一种用于将诸如等离子体处理装置的等离子体处理室之类的不同气体成分供应到腔室的气体分配系统。 气体分配系统可以包括气体供应部分，流量控制部分和切换部分。 气体供应部分将第一和第二气体（通常为气体混合物）提供给流量控制部分，该控制部分控制第一和第二气体流到室的流动。 腔室可以包括多个区域，并且流量控制部分可以以所需的气体流量比将第一和第二气体供应到多个区域。 气体分配系统可以将第一和第二气体连续地供应到切换部分，并且切换部分可操作地切换第一和第二气体的流动，使得第一和第二处理气体中的一个被供应到腔室，而 第一和第二气体中的另一个被供应到旁路管线，然后切换气体流。 切换部分优选地包括快速切换阀，其可操作以快速打开和关闭，以允许第一和第二气体的快速切换，优选地，在任一气体的流动中不发生不期望的压力波动或流动不稳定性。

公开(公告)号：US07455748B2

公开(公告)日：2008-11-25

申请号：US10600191

申请日：2003-06-20

申请人： Douglas L. Keil ,  Lumin Li ,  Eric A. Hudson ,  Reza Sadjadi ,  Eric H. Lenz ,  Rajinder Dhindsa ,  Ji Soo Kim

发明人： Douglas L. Keil ,  Lumin Li ,  Eric A. Hudson ,  Reza Sadjadi ,  Eric H. Lenz ,  Rajinder Dhindsa ,  Ji Soo Kim

IPC分类号： C23F1/00 ,  H01L21/306 ,  C23C16/00

CPC分类号： H01J37/3266 ,  H01J37/32431 ,  H01J37/32623

摘要： A plasma processing apparatus for processing a substrate is provided. A plasma processing chamber with chamber walls is provided. A substrate support is provided within the chamber walls. At least one confinement ring is provided, where the confinement ring and the substrate support define a plasma volume. A magnetic source for generating a magnetic field for magnetically enhancing physical confinement provided by the at least one confinement ring is provided.

摘要翻译： 提供了一种用于处理衬底的等离子体处理装置。 提供具有室壁的等离子体处理室。 在室壁内提供衬底支撑件。 提供至少一个限制环，其中限制环和衬底支撑件限定等离子体体积。 提供了一种用于产生用于磁力增强由至少一个限制环提供的物理限制的磁场的磁源。

公开(公告)号：US08080760B2

公开(公告)日：2011-12-20

申请号：US12693066

申请日：2010-01-25

申请人： Rajinder Dhindsa ,  Eric H. Lenz ,  Andy W. DeSepte ,  Lumin Li

发明人： Rajinder Dhindsa ,  Eric H. Lenz ,  Andy W. DeSepte ,  Lumin Li

IPC分类号： B23K10/00

CPC分类号： H01J37/32568 ,  H01J37/32091

摘要： A plasma processing chamber includes a cantilever assembly configured to neutralize atmospheric load. The chamber includes a wall surrounding an interior region and having an opening formed therein. A cantilever assembly includes a substrate support for supporting a substrate within the chamber. The cantilever assembly extends through the opening such that a portion is located outside the chamber. The chamber includes an actuation mechanism operative to move the cantilever assembly relative to the wall.

摘要翻译： 等离子体处理室包括构造成中和大气负荷的悬臂组件。 该室包括围绕内部区域并具有形成在其中的开口的壁。 悬臂组件包括用于支撑腔室内的衬底的衬底支撑件。 悬臂组件延伸穿过开口，使得一部分位于室外。 所述腔室包括致动机构，其可操作以相对于所述壁移动所述悬臂组件。

公开(公告)号：US20100124822A1

公开(公告)日：2010-05-20

申请号：US12693066

申请日：2010-01-25

申请人： Rajinder Dhindsa ,  Eric H. Lenz ,  Andy W. DeSepte ,  Lumin Li

发明人： Rajinder Dhindsa ,  Eric H. Lenz ,  Andy W. DeSepte ,  Lumin Li

IPC分类号： H01L21/3065 ,  C23F1/00 ,  C23C16/00 ,  B05C13/00

CPC分类号： H01J37/32568 ,  H01J37/32091

摘要： A plasma processing chamber includes a cantilever assembly configured to neutralize atmospheric load. The chamber includes a wall surrounding an interior region and having an opening formed therein. A cantilever assembly includes a substrate support for supporting a substrate within the chamber. The cantilever assembly extends through the opening such that a portion is located outside the chamber. The chamber includes an actuation mechanism operative to move the cantilever assembly relative to the wall.

摘要翻译： 等离子体处理室包括构造成中和大气负荷的悬臂组件。 该室包括围绕内部区域并具有形成在其中的开口的壁。 悬臂组件包括用于支撑腔室内的衬底的衬底支撑件。 悬臂组件延伸穿过开口，使得一部分位于室外。 所述腔室包括致动机构，其可操作以相对于所述壁移动所述悬臂组件。

公开(公告)号：US20080171444A1

公开(公告)日：2008-07-17

申请号：US11653869

申请日：2007-01-17

申请人： Rajinder Dhindsa ,  Eric H. Lenz ,  Andy W. DeSepte ,  Lumin Li

发明人： Rajinder Dhindsa ,  Eric H. Lenz ,  Andy W. DeSepte ,  Lumin Li

IPC分类号： H01L21/3065

CPC分类号： H01J37/32568 ,  H01J37/32091

摘要： A plasma processing chamber includes a cantilever assembly configured to neutralize atmospheric load. The chamber includes a wall surrounding an interior region and having an opening formed therein. A cantilever assembly includes a substrate support for supporting a substrate within the chamber. The cantilever assembly extends through the opening such that a portion is located outside the chamber. The chamber includes an actuation mechanism operative to move the cantilever assembly relative to the wall.

摘要翻译： 等离子体处理室包括构造成中和大气负荷的悬臂组件。 该室包括围绕内部区域并具有形成在其中的开口的壁。 悬臂组件包括用于支撑腔室内的衬底的衬底支撑件。 悬臂组件延伸穿过开口，使得一部分位于室外。 所述腔室包括致动机构，其可操作以相对于所述壁移动所述悬臂组件。

公开(公告)号：US07838086B2

公开(公告)日：2010-11-23

申请号：US12252887

申请日：2008-10-16

申请人： Douglas L. Keil ,  Lumin Li ,  Eric A. Hudson ,  Reza Sadjadi ,  Eric H. Lenz ,  Rajinder Dhindsa ,  Ji Soo Kim

发明人： Douglas L. Keil ,  Lumin Li ,  Eric A. Hudson ,  Reza Sadjadi ,  Eric H. Lenz ,  Rajinder Dhindsa ,  Ji Soo Kim

IPC分类号： H05H1/02 ,  C23C16/00

CPC分类号： H01J37/3266 ,  H01J37/32431 ,  H01J37/32623

摘要： A method for processing a substrate is provided. The substrate is placed in a process chamber. A gas is provided from a gas source to the process chamber. A plasma is generated from the gas in the process chamber. The gas flows through a gap adjacent to at least one confinement ring to provide physical confinement of the plasma. Magnetic confinement of the plasma is provided to enhance the physical confinement of the plasma.

摘要翻译： 提供了一种处理基板的方法。 将基板放置在处理室中。 从气体源向处理室提供气体。 从处理室中的气体产生等离子体。 气体流过与至少一个限制环相邻的间隙，以提供等离子体的物理限制。 提供等离子体的磁限制以增强等离子体的物理限制。