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    CHEMICALLY-AMPLIFIED NEGATIVE RESIST COMPOSITION AND RESIST PATTERNING PROCESS USING THE SAME
    2.
    发明申请
    CHEMICALLY-AMPLIFIED NEGATIVE RESIST COMPOSITION AND RESIST PATTERNING PROCESS USING THE SAME 有权
    使用该化合物的化学增效阴离子组合物和电阻图案方法

    公开(公告)号：US20150268556A1

    公开(公告)日：2015-09-24

    申请号：US14637013

    申请日：2015-03-03

    申请人： SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.

    发明人： Daisuke DOMON ,  Keiichi MASUNAGA ,  Satoshi WATANABE

    IPC分类号： G03F7/038 ,  G03F7/20 ,  G03F7/30

    CPC分类号： G03F7/0382 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/30

    摘要： The present invention provides a chemically-amplified negative resist composition including a sulfonium salt capable of providing a pattern having an extremely high resolution with reduced line edge roughness, and also provides a resist patterning process using the same.The present invention was accomplished by a chemically-amplified negative resist composition including (A) a salt represented by the following general formula (1) and (B) a resin containing one or more kinds of repeating unit represented by the following general formulae (UN-1) and (UN-2) and a resist patterning process using the same.

    摘要翻译： 本发明提供了一种化学放大型负性抗蚀剂组合物，其包括能够提供具有极高分辨率且线边缘粗糙度降低的图案的锍盐，并且还提供使用其的抗蚀剂图案化工艺。 本发明通过化学放大型负性抗蚀剂组合物实现，该组合物包含（A）由以下通式（1）表示的盐和（B）含有一种或多种由以下通式表示的重复单元的树脂 -1）和（UN-2）和使用其的抗蚀剂图案化工艺。

    ONIUM SALT, CHEMICALLY AMPLIFIED POSITIVE RESIST COMPOSITION, AND PATTERNING PROCESS
    3.
    发明申请
    ONIUM SALT, CHEMICALLY AMPLIFIED POSITIVE RESIST COMPOSITION, AND PATTERNING PROCESS 有权
    盐酸盐，化学阳离子化学成分和方法

    公开(公告)号：US20150198876A1

    公开(公告)日：2015-07-16

    申请号：US14573871

    申请日：2014-12-17

    申请人： SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.

    发明人： Daisuke DOMON ,  Keiichi MASUNAGA ,  Satoshi WATANABE ,  Masahiro FUKUSHIMA ,  Koji HASEGAWA

    IPC分类号： G03F7/027 ,  G03F7/30 ,  G03F7/20 ,  G03F7/039

    CPC分类号： G03F7/0392 ,  C07C61/125 ,  C07C61/29 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/0397 ,  G03F7/322

    摘要： The present invention provides the onium salt comprises the material represented by the following general formula (0-1), wherein Rf represents a fluorine atom or a trifluoromethyl group; Y represents a cyclic hydrocarbon group having 3 to 30 carbon atoms, the hydrogen atom in the cyclic hydrocarbon group may be substituted by a hetero atom itself or a monovalent hydrocarbon group which may be substituted by a hetero atom(s), and the hetero atom(s) may be interposed into the cyclic structure of the cyclic hydrocarbon group and the monovalent hydrocarbon group; and M+ represents a monovalent cation. There can be provided an onium salt which can improve resolution at the time of forming a pattern and give a pattern with less line edge roughness (LER) when it is used in a chemically amplified positive resist composition.

    摘要翻译： 本发明提供的鎓盐包括由以下通式（0-1）表示的材料，其中Rf表示氟原子或三氟甲基; Y表示碳原子数3〜30的环状烃基，环状烃基中的氢原子可以被杂原子本身取代，也可以被可以被杂原子取代的一价烃基取代，杂原子 可以插入到环状烃基和一价烃基的环状结构中; M +表示一价阳离子。 可以提供鎓盐，其可以在形成图案时提高分辨率，并且当其用于化学放大的正性抗蚀剂组合物时，产生具有较少线边缘粗糙度（LER）的图案。

    NEGATIVE RESIST COMPOSITION AND PATTERNING PROCESS
    5.
    发明申请
    NEGATIVE RESIST COMPOSITION AND PATTERNING PROCESS 有权
    负极组合物和图案过程

    公开(公告)号：US20140051025A1

    公开(公告)日：2014-02-20

    申请号：US14063752

    申请日：2013-10-25

    申请人： Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.

    发明人： Akinobu TANAKA ,  Keiichi MASUNAGA ,  Daisuke DOMON ,  Satoshi WATANABE

    IPC分类号： G03F7/038 ,  G03F7/20

    CPC分类号： G03F7/038 ,  G03F1/08 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0382 ,  G03F7/20 ,  Y10S430/111

    摘要： There is disclosed a negative resist composition comprising at least: (A) a base polymer that is alkaline-soluble and is made alkaline-insoluble by action of an acid; (B) an acid generator; and (C) a basic component, wherein the base polymer at least contains a polymer including repeating units represented by the following general formula (1) and general formula (2) and having a weight average molecular weight of 1,000 to 10,000. There can be a negative resist composition hardly causing a bridge in forming a pattern and providing a high resolution and a patterning process using the same.

    摘要翻译： 公开了一种负性抗蚀剂组合物，其至少包含：（A）碱溶性碱性聚合物，并且通过酸的作用使其不溶于碱; （B）酸发生剂; 和（C）碱性成分，其中，所述基础聚合物至少含有包含由以下通式（1）和通式（2）表示的重均分子量为1,000〜10,000的聚合物。 可以存在在形成图案时难以引起桥的负的抗蚀剂组合物，并且提供高分辨率和使用其的图案化工艺。

    CHEMICALLY AMPLIFIED NEGATIVE RESIST COMPOSITION AND PATTERNING PROCESS
    8.
    发明申请
    CHEMICALLY AMPLIFIED NEGATIVE RESIST COMPOSITION AND PATTERNING PROCESS 有权
    化学放大抗负荷组合物和模式过程

    公开(公告)号：US20150198877A1

    公开(公告)日：2015-07-16

    申请号：US14586120

    申请日：2014-12-30

    申请人： SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.

    发明人： Daisuke DOMON ,  Keiichi MASUNAGA ,  Satoshi WATANABE ,  Masaki OHASHI

    IPC分类号： G03F7/027 ,  G03F7/30 ,  G03F7/20 ,  G03F7/038

    CPC分类号： G03F7/027 ,  G03F1/50 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/0382 ,  G03F7/0388 ,  G03F7/2002 ,  G03F7/2037 ,  G03F7/26 ,  G03F7/30

    摘要： The present invention provides the chemically amplified negative resist composition comprises an onium salt represented by the following general formula (0-1), a resin which becomes alkali insoluble by an action of an acid and an acid generator, wherein Rf represents a fluorine atom or a trifluoromethyl group; Y represents a cyclic hydrocarbon group having 3 to 30 carbon atoms, the hydrogen atom in the cyclic hydrocarbon group may be substituted by a hetero atom itself or a monovalent hydrocarbon group which may be substituted by a hetero atom(s), and the hetero atom(s) may be interposed into the cyclic structure of the cyclic hydrocarbon group and the monovalent hydrocarbon group; and M+ represents a monovalent cation. There can be provided a chemically amplified negative resist composition which can improve resolution at the time of forming a pattern and give a pattern with less line edge roughness (LER).

    摘要翻译： 本发明提供化学放大型负性抗蚀剂组合物，其包含由以下通式（0-1）表示的鎓盐，通过酸和酸产生剂的作用而变成碱不溶性的树脂，其中Rf表示氟原子或 三氟甲基; Y表示碳原子数3〜30的环状烃基，环状烃基中的氢原子可以被杂原子本身取代，也可以被可以被杂原子取代的一价烃基取代，杂原子 可以插入到环状烃基和一价烃基的环状结构中; M +表示一价阳离子。 可以提供一种化学放大的负型抗蚀剂组合物，其可以在形成图案时提高分辨率并且产生具有较少线边缘粗糙度（LER）的图案。