利索-全球专利检索

  1. 登录
  2. 注册

搜索结果

78 条记录 (耗时 0.023 秒)

    Anti-guided phase-locked array and manufacturing method therefor
    3.
    发明授权
    Anti-guided phase-locked array and manufacturing method therefor 失效
    反引导锁相阵列及其制造方法

    公开(公告)号：US5323405A

    公开(公告)日：1994-06-21

    申请号：US953359

    申请日：1992-09-30

    申请人： Satoshi Kamiyama ,  Kiyoshi Ohnaka

    发明人： Satoshi Kamiyama ,  Kiyoshi Ohnaka

    IPC分类号： H01L27/15 ,  H01S5/00 ,  H01S5/042 ,  H01S5/20 ,  H01S5/40 ,  H01S3/082 ,  H01S3/098 ,  H01S3/25

    CPC分类号： H01S5/4031 ,  H01S5/2059

    摘要： A phase-locked laser array comprising a plurality of element regions for passing electric current into an active layer; and inter-element regions formed between the element regions. Each of the inter-element regions is so formed as to have two regions, i.e. a non-diffusion region at the center thereof and a diffusion regions disposed on both sides thereof, thereby rendering the refractive index in the non-diffusion region higher than that in the diffusion regions. The method of manufacturing the phase-locked laser array which is characterized by including a step growing an optical waveguide layer of superlattice on a portion of a second clad layer while diffusing impurities doped in the second clad layer into said optical waveguide layer, thereby forming a diffusion regions on both sides of the inter-element region.

    摘要翻译： 一种锁相激光器阵列，包括用于将电流传递到有源层中的多个元件区域; 以及形成在元件区域之间的元件间区域。 每个元件间区域被形成为具有两个区域，即其中心处的非扩散区域和设置在其两侧的扩散区域，从而使非扩散区域中的折射率高于不扩散区域的折射率 在扩散区域。 制造锁相激光器阵列的方法，其特征在于包括在第二包覆层的一部分上生长超晶格的光波导层的步骤，同时将掺杂在第二包层中的杂质扩散到所述光波导层中，从而形成 扩散区域在元件间区域的两侧。

    Methods for soldering semiconductor devices
    4.
    发明授权
    Methods for soldering semiconductor devices 失效
    半导体器件焊接方法

    公开(公告)号：US5082162A

    公开(公告)日：1992-01-21

    申请号：US650695

    申请日：1991-02-05

    申请人： Satoshi Kamiyama ,  Kiyoshi Ohnaka

    发明人： Satoshi Kamiyama ,  Kiyoshi Ohnaka

    IPC分类号： H01L23/373 ,  B23K35/02 ,  B23K35/26 ,  H01S3/04 ,  H01S5/00 ,  H01S5/024

    CPC分类号： B23K35/0238 ,  B23K35/26

    摘要： This invention presents a new soldering material comprising an indium layer formed on EFTE film for solder-mounting a semiconductor device onto a metal heat sink. This indium layer can be easily transferred onto the heat sink by pressure applied by a tool, without the aid of ultrasonic energy. This produces a highly immaculate surface of the indium layer transferred onto the heat sink, and achieves stable soldering strength of the soldered semiconductor device. This invention also offers a multi-layered soldering material comprising a thin layer of metal of which the melting point is higher than the soldering temperature, and two indium layers sandwiching said metal layer, formed on an EFTE film. This multi-layered soldering material can be easily transferred onto a metal heat sink by a pressure applying tool without the aid of ultrasonic energy resulting in the stable soldering of a semiconductor device even if it has surface irregularities, without causing an electrical leakage or short circuit.

    摘要翻译： 本发明提供了一种新的焊接材料，其包括在EFTE膜上形成的铟层，用于将半导体器件焊接到金属散热器上。 该铟层可以通过工具施加的压力容易地转移到散热器上，而无需超声波能量。 这产生了转移到散热器上的铟层的非常完美的表面，并且实现了焊接半导体器件的稳定的焊接强度。 本发明还提供了一种多层焊料，其包含熔点高于焊接温度的金属薄层，以及夹在所述金属层上的两个铟层，形成在EFTE膜上。 这种多层焊接材料可以通过压力施加工具容易地转移到金属散热器上，而无需超声波能量，导致半导体器件的稳定焊接，即使其具有表面凹凸，也不会导致漏电或短路 。

    Semiconductor laser
    7.
    发明授权
    Semiconductor laser 失效
    半导体激光器

    公开(公告)号：US5185755A

    公开(公告)日：1993-02-09

    申请号：US756016

    申请日：1991-09-06

    申请人： Yoshihiro Mori ,  Masaya Mannoh ,  Satoshi Kamiyama ,  Kiyoshi Ohnaka

    发明人： Yoshihiro Mori ,  Masaya Mannoh ,  Satoshi Kamiyama ,  Kiyoshi Ohnaka

    IPC分类号： H01S5/00 ,  H01S5/22 ,  H01S5/223 ,  H01S5/323

    CPC分类号： H01S5/2231 ,  H01S5/221 ,  H01S5/32325

    摘要： A semiconductor laser comprising an active waveguide formed of a compound semiconductor comprising a Group V element phosphorous, comprised of an active layer and two cladding layers that hold the active layer between them, and a current confinement structure formed on the active waveguide by the use of a compound semiconductor comprising Group V element arsenic. This semiconductor laser can achieve a small astigmatism, a low threshold current and a low operation current. Also disclosed is a method of fabricating a semiconductor laser having characteristic features that the crystal growth may be carried out only twice, the movement of the impurities in crystals does not easily occur, a regrowth interface with a very little defect can be readily obtained, and the structure wherein the outer cladding layer has a smaller width at its portion nearer to the active waveguide can be naturally formed.

    摘要翻译： 一种半导体激光器，包括由包括V族元素磷的化合物半导体形成的有源波导，该有源波导包括有源层和在其之间保持有源层的两个包层，以及通过使用在有源波导上形成的电流限制结构 包含V族元素砷的化合物半导体。 该半导体激光器可以实现小的散光，低阈值电流和低工作电流。 还公开了一种制造半导体激光器的方法，该半导体激光器的特征在于晶体生长可以仅进行两次，晶体中的杂质的移动不容易发生，可以容易地获得具有非常小的缺陷的再生界面，并且 可以自然地形成外包层在其更靠近有源波导的部分具有较小宽度的结构。

    Method for producing a semiconductor laser
    9.
    发明授权
    Method for producing a semiconductor laser 失效
    半导体激光器的制造方法

    公开(公告)号：US5523256A

    公开(公告)日：1996-06-04

    申请号：US278395

    申请日：1994-07-21

    申请人： Hideto Adachi ,  Isao Kidoguchi ,  Kiyoshi Ohnaka ,  Satoshi Kamiyama

    发明人： Hideto Adachi ,  Isao Kidoguchi ,  Kiyoshi Ohnaka ,  Satoshi Kamiyama

    IPC分类号： H01S5/065 ,  H01S5/10 ,  H01S5/20 ,  H01S5/22 ,  H01S5/223 ,  H01S5/323 ,  H01L21/20

    CPC分类号： H01S5/10 ,  H01S5/2231 ,  H01S5/0655 ,  H01S5/0658 ,  H01S5/106 ,  H01S5/1064 ,  H01S5/209 ,  H01S5/2206 ,  H01S5/2219 ,  H01S5/222 ,  H01S5/32325

    摘要： A semiconductor laser according to the present invention includes: a semiconductor substrate; a multilayer structure provided on the semiconductor substrate, the multilayer structure including an active layer, a pair of cladding layers interposing the active layer, and current confining portion for injecting a current into a stripe-shaped predetermined region of the active layer, wherein the current confining portion includes a first current confining layer formed in regions excluding a region corresponding to the predetermined region of the active layer, the first current confining layer having an energy band gap larger than an energy band gap of the active layer and having a refractive index smaller than a refractive index of the active layer.

    摘要翻译： 根据本发明的半导体激光器包括：半导体衬底; 设置在所述半导体衬底上的多层结构，所述多层结构包括有源层，插入所述有源层的一对包覆层以及用于将电流注入到所述有源层的条形预定区域中的电流限制部分，其中，所述电流 限制部分包括形成在除了与有源层的预定区域相对应的区域之外的区域中的第一电流限制层，第一电流限制层具有大于有源层的能带隙的能带隙并具有更小的折射率 比活性层的折射率高。