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    Method of forming pattern
    1.
    发明授权
    Method of forming pattern 有权
    形成图案的方法

    公开(公告)号：US08808973B2

    公开(公告)日：2014-08-19

    申请号：US13402400

    申请日：2012-02-22

    申请人： Satoshi Mikoshiba ,  Koji Asakawa ,  Hiroko Nakamura ,  Shigeki Hattori ,  Atsushi Hieno ,  Tsukasa Azuma ,  Yuriko Seino ,  Masahiro Kanno

    发明人： Satoshi Mikoshiba ,  Koji Asakawa ,  Hiroko Nakamura ,  Shigeki Hattori ,  Atsushi Hieno ,  Tsukasa Azuma ,  Yuriko Seino ,  Masahiro Kanno

    IPC分类号： G03F7/26

    CPC分类号： H01L21/0337 ,  B81C1/00031 ,  B81C2201/0149 ,  G03F7/0757 ,  G03F7/165 ,  G03F7/26 ,  H01L21/3086

    摘要： According to one embodiment, there is provided a method of forming a pattern including forming a polymer layer on a substrate, the polymer layer including a first and second regions, selectively irradiating either of the first and second regions with energy rays or irradiating the first and second regions with energy rays under different conditions to cause a difference in surface free energy between the first and second regions, thereafter, forming a block copolymer layer on the polymer layer, and causing microphase separation in the block copolymer layer to simultaneously form first and second microphase-separated structures on the first and second regions, respectively.

    摘要翻译： 根据一个实施方案，提供了一种形成图案的方法，包括在基底上形成聚合物层，聚合物层包括第一和第二区域，用能量射线选择性地照射第一和第二区域中的任一个，或者照射第一和第二区域 在不同条件下具有能量射线的第二区域引起第一和第二区域之间的表面自由能的差异，此后在聚合物层上形成嵌段共聚物层，并且使嵌段共聚物层中的微相分离同时形成第一和第二 分别在第一和第二区域上的微相分离结构。

    METHOD OF FORMING PATTERN
    4.
    发明申请
    METHOD OF FORMING PATTERN 有权
    形成图案的方法

    公开(公告)号：US20130075360A1

    公开(公告)日：2013-03-28

    申请号：US13431209

    申请日：2012-03-27

    申请人： Hiroko NAKAMURA ,  Satoshi Tanaka ,  Satoshi Mikoshiba ,  Atsushi Hieno ,  Shigeki Hattori

    发明人： Hiroko NAKAMURA ,  Satoshi Tanaka ,  Satoshi Mikoshiba ,  Atsushi Hieno ,  Shigeki Hattori

    IPC分类号： B29C33/42 ,  B44C1/22

    CPC分类号： G03F7/0002 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00

    摘要： According to one embodiment, there is provided a method of forming a pattern, includes forming a guide pattern including a first region having a first surface energy and a second region having a second surface energy on a to-be-processed film, the first and second regions alternately arranged in one direction, forming a block copolymer layer on the guide pattern, and causing microphase separation in the block copolymer layer, the microphase-separated structure is a lamellar block copolymer pattern.

    摘要翻译： 根据一个实施例，提供了一种形成图案的方法，包括形成包括具有第一表面能的第一区域和在待处理膜上具有第二表面能的第二区域的引导图案，第一和 第二区域沿一个方向交替布置，在引导图案上形成嵌段共聚物层，并且在嵌段共聚物层中引起微相分离，微相分离结构是层状嵌段共聚物图案。

    Pattern formation method and guide pattern material
    5.
    发明授权
    Pattern formation method and guide pattern material 有权
    图案形成方法和指导图案材料

    公开(公告)号：US09017930B2

    公开(公告)日：2015-04-28

    申请号：US13623237

    申请日：2012-09-20

    申请人： Hiroko Nakamura ,  Satoshi Mikoshiba ,  Atsushi Hieno ,  Shigeki Hattori

    发明人： Hiroko Nakamura ,  Satoshi Mikoshiba ,  Atsushi Hieno ,  Shigeki Hattori

    IPC分类号： G03F7/26 ,  G03F7/40 ,  H01L21/308 ,  H01L21/027 ,  H01L21/033 ,  H01L21/3213

    CPC分类号： G03F7/40 ,  G03F7/26 ,  H01L21/0276 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/308 ,  H01L21/32139 ,  Y10T428/24802

    摘要： According to one embodiment, a pattern formation method includes forming a pattern on a layer. The layer has a first surface energy and includes a silicon compound. The pattern has a second surface energy different from the first surface energy. The method includes forming a block polymer on the layer and the pattern. The method includes forming a structure selected from a lamellar structure and a cylindrical structure of the block polymer containing polymers arranged by microphase separation. The lamellar structure is oriented perpendicularly to the layer surface. The cylindrical structure is oriented so as to have an axis parallel to a normal line of the layer surface. The second surface energy is not less than a maximum value of surface energies of the polymers or not more than a minimum value of the surface energies of the polymers.

    摘要翻译： 根据一个实施例，图案形成方法包括在层上形成图案。 该层具有第一表面能并且包括硅化合物。 该图案具有与第一表面能不同的第二表面能。 该方法包括在层和图案上形成嵌段聚合物。 该方法包括形成选自层状结构和嵌段聚合物的圆柱形结构的结构，所述嵌段聚合物含有通过微相分离排列的聚合物。 层状结构垂直于层表面取向。 圆柱形结构被定向成具有平行于层表面的法线的轴线。 第二表面能不小于聚合物的表面能的最大值或不大于聚合物的表面能的最小值。

    Method of forming pattern
    6.
    发明授权
    Method of forming pattern 有权
    形成图案的方法

    公开(公告)号：US08636914B2

    公开(公告)日：2014-01-28

    申请号：US13431209

    申请日：2012-03-27

    申请人： Hiroko Nakamura ,  Satoshi Tanaka ,  Satoshi Mikoshiba ,  Atsushi Hieno ,  Shigeki Hattori

    发明人： Hiroko Nakamura ,  Satoshi Tanaka ,  Satoshi Mikoshiba ,  Atsushi Hieno ,  Shigeki Hattori

    IPC分类号： B29C33/42 ,  B44C1/22

    CPC分类号： G03F7/0002 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00

    摘要： According to one embodiment, there is provided a method of forming a pattern, includes forming a guide pattern including a first region having a first surface energy and a second region having a second surface energy on a to-be-processed film, the first and second regions alternately arranged in one direction, forming a block copolymer layer on the guide pattern, and causing microphase separation in the block copolymer layer, the microphase-separated structure is a lamellar block copolymer pattern.

    摘要翻译： 根据一个实施例，提供了一种形成图案的方法，包括形成包括具有第一表面能的第一区域和在待处理膜上具有第二表面能的第二区域的引导图案，第一和 第二区域沿一个方向交替布置，在引导图案上形成嵌段共聚物层，并且在嵌段共聚物层中引起微相分离，微相分离结构是层状嵌段共聚物图案。

    PATTERN FORMATION METHOD AND GUIDE PATTERN MATERIAL
    7.
    发明申请
    PATTERN FORMATION METHOD AND GUIDE PATTERN MATERIAL 有权
    图案形成方法和指南图案材料

    公开(公告)号：US20130183828A1

    公开(公告)日：2013-07-18

    申请号：US13623237

    申请日：2012-09-20

    申请人： Hiroko NAKAMURA ,  Satoshi Mikoshiba ,  Atsushi Hieno ,  Shigeki Hattori

    发明人： Hiroko NAKAMURA ,  Satoshi Mikoshiba ,  Atsushi Hieno ,  Shigeki Hattori

    IPC分类号： G03F7/40 ,  H01L21/308

    CPC分类号： G03F7/40 ,  G03F7/26 ,  H01L21/0276 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/308 ,  H01L21/32139 ,  Y10T428/24802

    摘要： According to one embodiment, a pattern formation method includes forming a pattern on a layer. The layer has a first surface energy and includes a silicon compound. The pattern has a second surface energy different from the first surface energy. The method includes forming a block polymer on the layer and the pattern. The method includes forming a structure selected from a lamellar structure and a cylindrical structure of the block polymer containing polymers arranged by microphase separation. The lamellar structure is oriented perpendicularly to the layer surface. The cylindrical structure is oriented so as to have an axis parallel to a normal line of the layer surface. The second surface energy is not less than a maximum value of surface energies of the polymers or not more than a minimum value of the surface energies of the polymers.

    摘要翻译： 根据一个实施例，图案形成方法包括在层上形成图案。 该层具有第一表面能并且包括硅化合物。 该图案具有与第一表面能不同的第二表面能。 该方法包括在层和图案上形成嵌段聚合物。 该方法包括形成选自层状结构和嵌段聚合物的圆柱形结构的结构，所述嵌段聚合物含有通过微相分离排列的聚合物。 层状结构垂直于层表面取向。 圆柱形结构被定向成具有平行于层表面的法线的轴线。 第二表面能不小于聚合物的表面能的最大值或不大于聚合物的表面能的最小值。

    STORAGE DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME
    9.
    发明申请
    STORAGE DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME 有权
    存储装置及其制造方法

    公开(公告)号：US20120228576A1

    公开(公告)日：2012-09-13

    申请号：US13236793

    申请日：2011-09-20

    申请人： Koji Asakawa ,  Shigeki Hattori ,  Hideyuki Nishizawa ,  Satoshi Mikoshiba ,  Reika Ichihara ,  Masaya Terai

    发明人： Koji Asakawa ,  Shigeki Hattori ,  Hideyuki Nishizawa ,  Satoshi Mikoshiba ,  Reika Ichihara ,  Masaya Terai

    IPC分类号： H01L47/00 ,  H01L21/02

    CPC分类号： H01L51/0591 ,  G11C13/0014 ,  G11C13/003 ,  G11C2213/72 ,  G11C2213/73 ,  G11C2213/77

    摘要： A storage device includes: a plurality of first electrode wirings; a plurality of second electrode wirings which cross the first electrode wirings; a via plug which is formed between the second electrode wiring and the two adjacent first electrode wirings, and in which a maximum diameter of a bottom surface opposing the first electrode wirings in a direction vertical to a direction in which the first electrode wirings stretch is smaller than a length corresponding to a pitch of the first electrode wiring plus a width of the first electrode wirings; a first storage element which is formed between the via plug and one of the two first electrode wirings; and a second storage element which is formed between the via plug and the other one of the two first electrode wirings.

    摘要翻译： 存储装置包括：多个第一电极布线; 与第一电极布线交叉的多个第二电极布线; 形成在所述第二电极布线和所述两个相邻的第一电极布线之间的通孔塞，其中与所述第一电极布线相反的方向上的与所述第一电极相对的底面的最大直径在与所述第一电极布线拉伸的方向垂直的方向上布线的最大直径较小 比对应于第一电极布线的间距加上第一电极布线的宽度的长度; 第一存储元件，其形成在所述通孔插头和所述两个第一电极布线中的一个之间; 以及第二存储元件，其形成在所述通孔插头和所述两个第一电极布线中的另一个之间。