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    PHOTOSENSITIVE ORGANIC PARTICLES
    1.
    发明申请
    PHOTOSENSITIVE ORGANIC PARTICLES 有权
    光敏有机颗粒

    公开(公告)号：US20140045119A1

    公开(公告)日：2014-02-13

    申请号：US14111021

    申请日：2012-04-11

    申请人： Takahiro Kishioka ,  Makiko Umezaki ,  Shigeo Kimura ,  Hirokazu Nishimaki ,  Tomoya Ohashi ,  Yuki Usui

    发明人： Takahiro Kishioka ,  Makiko Umezaki ,  Shigeo Kimura ,  Hirokazu Nishimaki ,  Tomoya Ohashi ,  Yuki Usui

    IPC分类号： G03F7/004 ,  G03F7/20

    CPC分类号： G03F7/20 ,  C08F220/20 ,  C08F220/30 ,  C08F220/54 ,  C08F220/56 ,  C08F220/58 ,  G03F7/004 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/0048 ,  G03F7/038 ,  G03F7/0382 ,  G03F7/0388 ,  G03F7/32

    摘要： A material forms a pattern by applying a photosensitive composition to a base material and drying to form a photosensitive coating and performing exposure and development, and a method for forming the pattern. A photosensitive composition includes water-soluble organic particles, and a solvent, wherein the solvent is a poor solvent for the water-soluble organic particles. Preferably, the water-soluble organic particles of the photosensitive composition includes a polymer which contains a unit structure (A) for forming organic particles, a unit structure (B) for forming interparticle crosslinkage, and a unit structure (C) for imparting dispersibility, and the photosensitive composition further includes a photoacid generator. In addition, the water-soluble organic particles of the photosensitive composition includes a polymer which contains the unit structure (A) for forming organic particles, the unit structure (B) for forming interparticle crosslinkage, the unit structure (C) for imparting dispersibility, and a unit structure (D) having a photoacid generating group.

    摘要翻译： 材料通过将光敏组合物施加到基材上并干燥以形成感光涂层并进行曝光和显影，形成图案，以及形成图案的方法。 光敏组合物包括水溶性有机颗粒和溶剂，其中溶剂是水溶性有机颗粒的不良溶剂。 优选地，感光性组合物的水溶性有机颗粒包括含有形成有机颗粒的单元结构（A），用于形成颗粒间交联的单元结构（B）和赋予分散性的单元结构（C））的聚合物， 并且光敏组合物还包括光致酸产生剂。 另外，感光性组合物的水溶性有机粒子包含含有形成有机粒子的单元结构（A），用于形成粒子间交联的单元结构（B），赋予分散性的单位结构（C） 和具有光酸产生基团的单元结构（D）。

    MONOLAYER OR MULTILAYER FORMING COMPOSITION
    3.
    发明申请
    MONOLAYER OR MULTILAYER FORMING COMPOSITION 有权
    单层或多层成型组合物

    公开(公告)号：US20130216956A1

    公开(公告)日：2013-08-22

    申请号：US13879125

    申请日：2011-10-07

    申请人： Takahiro Kishioka ,  Daisuke Sakuma ,  Shigeo Kimura ,  Hirokazu Nishimaki ,  Tomoya Ohashi ,  Yuki Usui

    发明人： Takahiro Kishioka ,  Daisuke Sakuma ,  Shigeo Kimura ,  Hirokazu Nishimaki ,  Tomoya Ohashi ,  Yuki Usui

    IPC分类号： G03F7/075 ,  G03F7/20

    CPC分类号： G03F7/0752 ,  C07F7/1804 ,  C08G77/28 ,  C09D183/08 ,  G03F7/0751 ,  G03F7/165 ,  G03F7/20 ,  G03F7/30

    摘要： There is provided a composition for forming a monolayer or a multilayer on the substrate. A composition for forming a monolayer or a multilayer containing a silane compound of Formula (1A) or Formula (1B): [where R1s are independently a methyl group or an ethyl group; Xs are independently a C1-10 linking group; and Zs are independently a C1-10 alkyl group or a phenyl group optionally having a substituent, where X optionally contains at least one oxygen atom or sulfur atom in the main chain thereof, and when Z is an alkyl group, at least one hydrogen atom of the alkyl group is optionally substituted with a fluorine atom] and an organic solvent.

    摘要翻译： 提供了在基材上形成单层或多层的组合物。 用于形成单层的组合物或含有式（1A）或式（1B）的硅烷化合物的多层：[其中R 1独立地是甲基或乙基; X独立地为C1-10连接基团; 并且Z独立地为C1-10烷基或任选具有取代基的苯基，其中X任选地在其主链中含有至少一个氧原子或硫原子，当Z为烷基时，至少一个氢原子 的烷基任选被氟原子取代]和有机溶剂。

    PHOTOSENSITIVE RESIST UNDERLAYER FILM FORMING COMPOSITION
    4.
    发明申请
    PHOTOSENSITIVE RESIST UNDERLAYER FILM FORMING COMPOSITION 有权
    光敏电阻膜形成组合物

    公开(公告)号：US20110311915A1

    公开(公告)日：2011-12-22

    申请号：US12817648

    申请日：2010-06-17

    申请人： Shigeo Kimura ,  Hirokazu Nishimaki ,  Tomoya Ohashi ,  Yuki Usui ,  Takahiro Kishioka

    发明人： Shigeo Kimura ,  Hirokazu Nishimaki ,  Tomoya Ohashi ,  Yuki Usui ,  Takahiro Kishioka

    IPC分类号： G03F7/004 ,  G03F7/20

    CPC分类号： G03F7/0046 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0392 ,  G03F7/091 ,  G03F7/095

    摘要： A resist underlayer film forming composition used in a lithography process includes: a polymer (A) containing a unit structure having a hydroxy group, a unit structure having a carboxy group, or combination thereof; a crosslinkable compound (B) having at least two vinyl ether groups; a photoacid generator (C); a C4-20 fluoroalkylcarboxylic acid or a salt of the fluoroalkylcarboxylic acid (D); and a solvent (E). The polymer (A) includes a unit structure selected from unit structures of Formula (1), Formula (2), and Formula (3);

    摘要翻译： 在光刻工艺中使用的抗蚀剂下层膜成膜组合物包括：含有具有羟基的单元结构的聚合物（A），具有羧基的单元结构或其组合; 具有至少两个乙烯基醚基团的交联性化合物（B） 光致酸发生器（C）; C4-20氟代烷基羧酸或氟烷基羧酸（D）的盐; 和溶剂（E）。 聚合物（A）包括选自式（1），式（2）和式（3）的单元结构的单元结构;

    Photosensitive organic particles
    5.
    发明授权
    Photosensitive organic particles 有权
    感光有机颗粒

    公开(公告)号：US09140989B2

    公开(公告)日：2015-09-22

    申请号：US14111021

    申请日：2012-04-11

    申请人： Takahiro Kishioka ,  Makiko Umezaki ,  Shigeo Kimura ,  Hirokazu Nishimaki ,  Tomoya Ohashi ,  Yuki Usui

    发明人： Takahiro Kishioka ,  Makiko Umezaki ,  Shigeo Kimura ,  Hirokazu Nishimaki ,  Tomoya Ohashi ,  Yuki Usui

    IPC分类号： G03F7/004 ,  G03F7/32 ,  G03F7/20 ,  C08F220/54 ,  G03F7/038 ,  C08F220/20 ,  C08F220/30 ,  C08F220/56 ,  C08F220/58

    CPC分类号： G03F7/20 ,  C08F220/20 ,  C08F220/30 ,  C08F220/54 ,  C08F220/56 ,  C08F220/58 ,  G03F7/004 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/0048 ,  G03F7/038 ,  G03F7/0382 ,  G03F7/0388 ,  G03F7/32

    摘要： A material forms a pattern by applying a photosensitive composition to a base material and drying to form a photosensitive coating and performing exposure and development, and a method for forming the pattern. A photosensitive composition includes water-soluble organic particles, and a solvent, wherein the solvent is a poor solvent for the water-soluble organic particles. Preferably, the water-soluble organic particles of the photosensitive composition includes a polymer which contains a unit structure (A) for forming organic particles, a unit structure (B) for forming interparticle crosslinkage, and a unit structure (C) for imparting dispersibility, and the photosensitive composition further includes a photoacid generator. In addition, the water-soluble organic particles of the photosensitive composition includes a polymer which contains the unit structure (A) for forming organic particles, the unit structure (B) for forming interparticle crosslinkage, the unit structure (C) for imparting dispersibility, and a unit structure (D) having a photoacid generating group.

    摘要翻译： 材料通过将光敏组合物施加到基材上并干燥以形成感光涂层并进行曝光和显影，形成图案，以及形成图案的方法。 光敏组合物包括水溶性有机颗粒和溶剂，其中溶剂是水溶性有机颗粒的不良溶剂。 优选地，感光性组合物的水溶性有机颗粒包括含有形成有机颗粒的单元结构（A），用于形成颗粒间交联的单元结构（B）和赋予分散性的单元结构（C））的聚合物， 并且光敏组合物还包括光致酸产生剂。 另外，感光性组合物的水溶性有机粒子包含含有形成有机粒子的单元结构（A），用于形成粒子间交联的单元结构（B），赋予分散性的单位结构（C） 和具有光酸产生基团的单元结构（D）。

    Photosensitive resist underlayer film forming composition
    6.
    发明授权
    Photosensitive resist underlayer film forming composition 有权
    光敏抗蚀剂下层膜成膜组合物

    公开(公告)号：US08685615B2

    公开(公告)日：2014-04-01

    申请号：US12817648

    申请日：2010-06-17

    申请人： Shigeo Kimura ,  Hirokazu Nishimaki ,  Tomoya Ohashi ,  Yuki Usui ,  Takahiro Kishioka

    发明人： Shigeo Kimura ,  Hirokazu Nishimaki ,  Tomoya Ohashi ,  Yuki Usui ,  Takahiro Kishioka

    IPC分类号： G03F7/004 ,  G03F7/09 ,  G03F7/26

    CPC分类号： G03F7/0046 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0392 ,  G03F7/091 ,  G03F7/095

    摘要： A resist underlayer film forming composition used in a lithography process includes: a polymer (A) containing a unit structure having a hydroxy group, a unit structure having a carboxy group, or combination thereof; a crosslinkable compound (B) having at least two vinyl ether groups; a photoacid generator (C); a C4-20 fluoroalkylcarboxylic acid or a salt of the fluoroalkylcarboxylic acid (D); and a solvent (E). The polymer (A) includes a unit structure selected from unit structures of Formula (1), Formula (2), and Formula (3);

    摘要翻译： 在光刻工艺中使用的抗蚀剂下层膜形成组合物包括：含有具有羟基的单元结构的聚合物（A），具有羧基的单元结构或其组合; 具有至少两个乙烯基醚基团的交联性化合物（B） 光致酸发生器（C）; C4-20氟代烷基羧酸或氟烷基羧酸（D）的盐; 和溶剂（E）。 聚合物（A）包括选自式（1），式（2）和式（3）的单元结构的单元结构;

    COMPOSITION FOR FORMING RESIST UNDERLAYER FILM FOR LITHOGRAPHY INCLUDING RESIN CONTAINING ALICYCLIC RING AND AROMATIC RING
    10.
    发明申请
    COMPOSITION FOR FORMING RESIST UNDERLAYER FILM FOR LITHOGRAPHY INCLUDING RESIN CONTAINING ALICYCLIC RING AND AROMATIC RING 有权
    用于形成包含含有环氧树脂和芳族环的树脂的层压薄膜的组合物

    公开(公告)号：US20120142195A1

    公开(公告)日：2012-06-07

    申请号：US13389682

    申请日：2010-08-11

    申请人： Tetsuya Shinjo ,  Hirokazu Nishimaki ,  Yasushi Sakaida ,  Keisuke Hashimoto

    发明人： Tetsuya Shinjo ,  Hirokazu Nishimaki ,  Yasushi Sakaida ,  Keisuke Hashimoto

    IPC分类号： H01L21/311 ,  H01L21/312 ,  C08G65/332

    CPC分类号： G03F7/091 ,  G03F7/0752 ,  G03F7/094

    摘要： There is provided a resist underlayer film having both heat resistance and etching selectivity. A composition for forming a resist underlayer film for lithography, comprising a reaction product (C) of an alicyclic epoxy polymer (A) with a condensed-ring aromatic carboxylic acid and monocyclic aromatic carboxylic acid (B). The alicyclic epoxy polymer (A) may include a repeating structural unit of Formula (1): (T is a repeating unit structure containing an alicyclic ring in the polymer main chain; and E is an epoxy group or an organic group containing an epoxy group). The condensed-ring aromatic carboxylic acid and monocyclic aromatic carboxylic acid (B) may include a condensed-ring aromatic carboxylic acid (B1) and a monocyclic aromatic carboxylic acid (B2) in a molar ratio of B1:B2=3:7 to 7:3. The condensed-ring aromatic carboxylic acid (B1) may be 9-anthracenecarboxylic acid and the monocyclic aromatic carboxylic acid (B2) may be benzoic acid.

    摘要翻译： 提供了具有耐热性和蚀刻选择性的抗蚀剂下层膜。 一种用于形成用于光刻的抗蚀剂下层膜的组合物，其包含脂环式环氧聚合物（A）与稠环芳族羧酸和单环芳族羧酸（B）的反应产物（C）。 脂环族环氧聚合物（A）可以包括式（1）的重复结构单元：（T是在聚合物主链中含有脂环族的重复单元结构，E是环氧基或含有环氧基的有机基 ）。 缩环芳族羧酸和单环芳香族羧酸（B）可以包括B1:B2 = 3:7〜7的摩尔比的缩环芳族羧酸（B1）和单环芳​​香族羧酸（B2） ：3。 缩环芳族羧酸（B1）可以是9-蒽代羧酸，单环芳香羧酸（B2）可以是苯甲酸。