公开(公告)号：US5319223A

公开(公告)日：1994-06-07

申请号：US918057

申请日：1992-07-24

申请人： Shinobu Fujita ,  Takao Noda ,  Yasuo Ashizawa

发明人： Shinobu Fujita ,  Takao Noda ,  Yasuo Ashizawa

IPC分类号： H01L29/812 ,  H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/80

CPC分类号： H01L29/7783

摘要： A high electron mobility transistor (HEMT) comprises an InGaAs channel layer formed on a semi-insulating InP substrate via a buffer layer, and an n-type InA.iota.As electron supply layer formed on the channel layer via a spacer layer. On the electron supply layer, formed is an InGaA.iota.P Schottky contact layer, on which a Schottky gate electrode is formed. Source and drain electrodes are formed on the Schottky contact layer via an InGaAs ohmic contact layer, interposing the Schottky gate electrode therebetween. Thus, there is provided an InA.iota.As/InGaAs HEMT having a high gate breakdown voltage, and exhibiting a small variance of characteristics.

摘要翻译： 高电子迁移率晶体管（HEMT）包括通过缓冲层形成在半绝缘InP衬底上的InGaAs沟道层，以及通过间隔层形成在沟道层上的n型InAiAAsAs电子供给层。 在电子供给层上，形成有形成肖特基型栅电极的InGaA iota P肖特基接触层。 源极和漏极通过InGaAs欧姆接触层在肖特基接触层上形成，其间插入肖特基栅电极。 因此，提供了具有高栅极击穿电压并且表现出小的特性差异的InA iAAsAs / InGaAs HEMT。

公开(公告)号：US6072203A

公开(公告)日：2000-06-06

申请号：US046791

申请日：1998-03-24

申请人： Chiharu Nozaki ,  Minoru Amano ,  Yukie Nishikawa ,  Masayuki Sugiura ,  Takao Noda ,  Aki Sasaki ,  Yasuo Ashizawa

发明人： Chiharu Nozaki ,  Minoru Amano ,  Yukie Nishikawa ,  Masayuki Sugiura ,  Takao Noda ,  Aki Sasaki ,  Yasuo Ashizawa

IPC分类号： H01L29/47 ,  H01L21/338 ,  H01L29/20 ,  H01L29/423 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812 ,  H01L29/872 ,  H01L31/0328

CPC分类号： H01L29/66856 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/7783 ,  H01L29/2003

摘要： In an HEMT, a channel forming layer is arranged above a semi-insulating substrate via a buffer layer. A spacer layer is arranged on the channel forming layer and an electron supplying layer and a Schottky contact layer are sequentially arranged on the spacer layer. A diffusion preventing layer, for preventing a metal element of a gate electrode from diffusing into the channel forming layer, is arranged in the Schottky contact layer.

摘要翻译： 在HEMT中，沟道形成层经由缓冲层配置在半绝缘性基板的上方。 间隔层布置在沟道形成层上，电子供给层和肖特基接触层依次排列在间隔层上。 用于防止栅电极的金属元素扩散到沟道形成层中的扩散防止层布置在肖特基接触层中。

公开(公告)号：US5168077A

公开(公告)日：1992-12-01

申请号：US501781

申请日：1990-03-29

申请人： Yasuo Ashizawa ,  Takao Noda ,  Mitsuhiro Kushibe ,  Masahisa Funemizu ,  Kazuhiro Eguchi ,  Yasuo Ohba ,  Yoshihiro Kokubun

发明人： Yasuo Ashizawa ,  Takao Noda ,  Mitsuhiro Kushibe ,  Masahisa Funemizu ,  Kazuhiro Eguchi ,  Yasuo Ohba ,  Yoshihiro Kokubun

IPC分类号： C30B25/02 ,  H01L21/205

CPC分类号： C30B25/02 ,  C30B29/40 ,  H01L21/02395 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  Y10S148/057 ,  Y10S148/11

摘要： A p-type GaAs or AlGaAs thin film is formed by a MOCVD method. In the growing step of the thin film, the thin film is doped with a high concentration of carbon atoms forming an acceptor level such that the carrier concentration of the thin film falls within the range of between 1.times.10.sup.18 cm.sup.-3 and 1.times.10.sup.20 cm.sup.-3. At least one of trimethyl gallium and trimethyl aluminum is used as a raw material gaseous compound of III-group element, and arsine is used as a raw material gaseous compound of V-group element. The thin film is formed by an epitaxial growth under the molar ratio V/III of the V-group element supply rate to the III-group element supply rate, which is set at such a small value as 0.3 to 2.5, the temperature of 450 to 700.degree. and the pressure of 1 to 400 Torr. The thin film formed under these conditions exhibits a mirror-like smooth surface, and the film-growth rate is dependent on the supply rate of the V-group element.

公开(公告)号：US07498618B2

公开(公告)日：2009-03-03

申请号：US11507493

申请日：2006-08-22

申请人： Wataru Saito ,  Masaaki Onomura ,  Akira Tanaka ,  Koichi Tachibana ,  Masahiko Kuraguchi ,  Takao Noda ,  Tomohiro Nitta ,  Akira Yoshioka

发明人： Wataru Saito ,  Masaaki Onomura ,  Akira Tanaka ,  Koichi Tachibana ,  Masahiko Kuraguchi ,  Takao Noda ,  Tomohiro Nitta ,  Akira Yoshioka

IPC分类号： H01L29/778

CPC分类号： H01L29/7787 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/42316

摘要： A nitride semiconductor device comprises: a substrate body including a conductive substrate portion and a high resistance portion; a first semiconductor layer of a nitride semiconductor provided on the substrate body; a second semiconductor layer provided on the first semiconductor layer; a first main electrode provided on the second semiconductor layer; a second main electrode provided on the second semiconductor layer; and a control electrode provided on the second semiconductor layer between the first main electrode and the second main electrode. The second semiconductor layer is made of a nondoped or n-type nitride semiconductor having a wider bandgap than the first semiconductor layer. The first main electrode is provided above the conductive portion and the second main electrode is provided above the high resistance portion.

摘要翻译： 一种氮化物半导体器件包括：衬底本体，包括导电衬底部分和高电阻部分; 设置在基板主体上的氮化物半导体的第一半导体层; 设置在所述第一半导体层上的第二半导体层; 设置在所述第二半导体层上的第一主电极; 设置在所述第二半导体层上的第二主电极; 以及设置在第一主电极和第二主电极之间的第二半导体层上的控制电极。 第二半导体层由具有比第一半导体层宽的带隙的非掺杂或n型氮化物半导体制成。 第一主电极设置在导电部分的上方，第二主电极设置在高电阻部分的上方。

公开(公告)号：US08866151B2

公开(公告)日：2014-10-21

申请号：US13425246

申请日：2012-03-20

申请人： Takao Noda ,  Ryoichi Ohara ,  Kenya Sano ,  Toru Sugiyama

发明人： Takao Noda ,  Ryoichi Ohara ,  Kenya Sano ,  Toru Sugiyama

IPC分类号： H01L29/161 ,  H01L29/47 ,  H01L29/872 ,  H01L29/66 ,  H01L29/16 ,  H01L29/20 ,  H01L29/43 ,  H01L29/06 ,  H01L21/04

CPC分类号： H01L29/1608 ,  H01L21/0465 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/43 ,  H01L29/6606 ,  H01L29/872

摘要： According to one embodiment, a semiconductor device includes a semiconductor layer of a first conductivity type, a first region of a second conductivity type selectively provided in a first major surface of the semiconductor layer, a second region of the second conductivity type selectively provided in the first major surface and connected to the first region, a first electrode provided in contact with the semiconductor layer and the first region, a second electrode provided in contact with the second region, and a third electrode electrically connected to a second major surface of the semiconductor layer opposite to the first major surface.

摘要翻译： 根据一个实施例，半导体器件包括第一导电类型的半导体层，选择性地设置在半导体层的第一主表面中的第二导电类型的第一区域，第二导电类型的第二区域选择性地设置在 第一主表面并连接到第一区域，与半导体层和第一区域接触设置的第一电极，与第二区域接触的第二电极和与半导体的第二主表面电连接的第三电极 层与第一主表面相对。

公开(公告)号：US08227834B2

公开(公告)日：2012-07-24

申请号：US13218925

申请日：2011-08-26

申请人： Yasunobu Saito ,  Wataru Saito ,  Yorito Kakiuchi ,  Tomohiro Nitta ,  Akira Yoshioka ,  Tetsuya Ohno ,  Hidetoshi Fujimoto ,  Takao Noda

发明人： Yasunobu Saito ,  Wataru Saito ,  Yorito Kakiuchi ,  Tomohiro Nitta ,  Akira Yoshioka ,  Tetsuya Ohno ,  Hidetoshi Fujimoto ,  Takao Noda

IPC分类号： H01L29/80

CPC分类号： H01L29/7787 ,  H01L29/2003

摘要： A semiconductor device includes: a first semiconductor layer including AlXGa1-XN (0≦X≦1); a second semiconductor layer provided on the first semiconductor layer, including AlYGa1-YN (0≦Y≦1, X

摘要翻译： 一种半导体器件包括：包含Al x Ga 1-x N（0＆amp; N e; X 1; n 1; 1）的第一半导体层; 设置在第一半导体层上的第二半导体层，包括AlYGa1-YN（0＆lt; nlE; Y＆nlE; 1，X

公开(公告)号：US20090200576A1

公开(公告)日：2009-08-13

申请号：US12371216

申请日：2009-02-13

申请人： Yasunobu Saito ,  Wataru Saito ,  Yorito Kakiuchi ,  Tomohiro Nitta ,  Akira Yoshioka ,  Tetsuya Ohno ,  Hidetoshi Fujimoto ,  Takao Noda

发明人： Yasunobu Saito ,  Wataru Saito ,  Yorito Kakiuchi ,  Tomohiro Nitta ,  Akira Yoshioka ,  Tetsuya Ohno ,  Hidetoshi Fujimoto ,  Takao Noda

IPC分类号： H01L29/80 ,  H01L29/861

CPC分类号： H01L29/7787 ,  H01L29/2003

摘要： A semiconductor device includes: a first semiconductor layer including AlXGa1-XN (0≦X≦1); a second semiconductor layer provided on the first semiconductor layer, including AlYGa1-YN (0≦Y≦1, X

摘要翻译： 一种半导体器件包括：包含Al x Ga 1-x N（0 <= X 1）的第一半导体层; 设置在第一半导体层上的第二半导体层，包括AlYGa1-YN（0≤Y≤1，X

公开(公告)号：US20080116486A1

公开(公告)日：2008-05-22

申请号：US11939976

申请日：2007-11-14

申请人： Wataru SAITO ,  Akira Yoshioka ,  Hidetoshi Fujimoto ,  Takao Noda ,  Yasunobu Saito ,  Tomohiro Nitta ,  Yorito Kakiuchi

发明人： Wataru SAITO ,  Akira Yoshioka ,  Hidetoshi Fujimoto ,  Takao Noda ,  Yasunobu Saito ,  Tomohiro Nitta ,  Yorito Kakiuchi

IPC分类号： H01L29/80

CPC分类号： H01L29/045 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/402 ,  H01L29/404 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787

摘要： A semiconductor device includes: a first semiconductor layer of p-type AlxGa1-xN (0≦x≦1); a second semiconductor layer of n-type AlyGa1-yN (0

摘要翻译： 一种半导体器件包括：p型Al x Ga 1-x N（0 <= x <= 1）的第一半导体层; 在第一半导体层上形成的n型Al y Ga 1-y N（0

公开(公告)号：US20080023706A1

公开(公告)日：2008-01-31

申请号：US11782914

申请日：2007-07-25

申请人： Yasunobu Saito ,  Wataru Saito ,  Takao Noda ,  Tomohiro Nitta

发明人： Yasunobu Saito ,  Wataru Saito ,  Takao Noda ,  Tomohiro Nitta

IPC分类号： H01L29/15

CPC分类号： H01L29/7787 ,  H01L29/2003

摘要： A nitride semiconductor device includes: a substrate containing Si; a channel layer provided on the substrate and made of nitride semiconductor material; a barrier layer provided on the channel layer and made of nitride semiconductor material; a first and second main electrode connected to the barrier layer; and a control electrode provided between the first main electrode and the second main electrode on the barrier layer. The substrate includes at least one layer having a resistivity of 1 kΩ/cm or more.

摘要翻译： 氮化物半导体器件包括：含有Si的衬底; 设置在基板上并由氮化物半导体材料制成的沟道层; 阻挡层，设置在沟道层上，由氮化物半导体材料制成; 连接到所述阻挡层的第一和第二主电极; 以及设置在阻挡层上的第一主电极和第二主电极之间的控制电极。 衬底包括至少一层具有1kOmega / cm以上的电阻率的层。

公开(公告)号：US06673491B2

公开(公告)日：2004-01-06

申请号：US09765349

申请日：2001-01-22

申请人： Akihiko Shirakawa ,  Takao Noda

发明人： Akihiko Shirakawa ,  Takao Noda

IPC分类号： H01M450

CPC分类号： H01M4/505 ,  C01G45/1242 ,  C01P2002/32 ,  C01P2002/77 ,  C01P2004/61 ,  C01P2006/12 ,  C01P2006/16 ,  C01P2006/40 ,  H01M4/131 ,  H01M4/364 ,  H01M4/502

摘要： The present invention provides a cathode electroactive material comprising a composite oxide comprising &bgr;-MnO2 and a spinel oxide predominantly comprising lithium, manganese, and oxygen. The present invention provides a process for producing said material, which process comprises acid treatment of a composite oxide comprising a spinel oxide predominantly comprising lithium, manganese, and oxygen, and heat treatment of the resultant composite oxide at a temperature of about 200° C. or higher and lower than about 400° C. The thus-produced oxide is employed as a cathode electroactive material in a non-aqueous secondary cell.

摘要翻译： 本发明提供一种阴极电活性材料，其包含包含β-MnO 2和主要包含锂，锰和氧的尖晶石氧化物的复合氧化物。本发明提供了一种生产所述材料的方法，该方法包括酸处理复合氧化物，其包括 主要包含锂，锰和氧的尖晶石氧化物，并且在约200℃以上且低于约400℃的温度下对所得复合氧化物进行热处理。由此产生的氧化物用作阴极电活性 材料在非水性二次电池中。