公开(公告)号：US20070085153A1

公开(公告)日：2007-04-19

申请号：US11250994

申请日：2005-10-14

申请人： Sriram Kalpat ,  Leo Mathew ,  Mohamed Moosa ,  Michael Sadd ,  Hector Sanchez

发明人： Sriram Kalpat ,  Leo Mathew ,  Mohamed Moosa ,  Michael Sadd ,  Hector Sanchez

IPC分类号： H01L29/76 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L27/1211 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785 ,  H03K5/133 ,  H03K2005/00026 ,  H03K2005/00058 ,  H03L7/0995

摘要： A voltage controlled oscillator (VCO) has a plurality of series-connected inverters. Within each inverter a first transistor has a first current electrode coupled to a first power supply voltage terminal, a second current electrode, a first control electrode coupled to an output terminal of another inverter of the plurality of series-connected inverters, and a second control electrode for receiving a first bias signal. A second transistor has a first current electrode coupled to the second current electrode of the first transistor, a second current electrode coupled to a second power supply voltage terminal, and a first control electrode coupled to the first control electrode of the first transistor. The second control electrode of the first transistor of each inverter receives a same or separate analog control signal to adjust the threshold voltage of the first transistors thereof to affect frequency and phase of the VCO's signal.

摘要翻译： 压控振荡器（VCO）具有多个串联的反相器。 在每个逆变器内，第一晶体管具有耦合到第一电源电压端子的第一电流电极，耦合到多个串联逆变器的另一个反相器的输出端的第二电流电极，第一控制电极和第二控制电极 用于接收第一偏置信号的电极。 第二晶体管具有耦合到第一晶体管的第二电流电极的第一电流电极，耦合到第二电源电压端子的第二电流电极和耦合到第一晶体管的第一控制电极的第一控制电极。 每个逆变器的第一晶体管的第二控制电极接收相同或分开的模拟控制信号，以调节其第一晶体管的阈值电压，以影响VCO信号的频率和相位。

公开(公告)号：US20070223636A1

公开(公告)日：2007-09-27

申请号：US11387595

申请日：2006-03-23

申请人： Mohamed Moosa ,  Leo Mathew ,  Sriram Kalpat

发明人： Mohamed Moosa ,  Leo Mathew ,  Sriram Kalpat

IPC分类号： H03D3/24 ,  H04L7/00

CPC分类号： H03D13/00

摘要： A device and method for phase detection are disclosed. The device includes a phase differential module that provides a phase difference signal based on the phase difference between a data signal and a reference signal. The phase difference signal is provided to a first gate of a multi-gate fin-type field effect transistor (multi-gate FinFET) of the device. A second gate of the multi-gate FinFET transistor receives a bias signal that provides a phase detection threshold. A phase adjustment signal is provided at one or both of the FinFET current electrodes based on the phase difference signal and the bias signal.

摘要翻译： 公开了一种用于相位检测的装置和方法。 该装置包括相位差模块，该相位差模块基于数据信号和参考信号之间的相位差提供相位差信号。 相位差信号被提供给器件的多栅极鳍型场效应晶体管（多栅极FinFET）的第一栅极。 多栅极FinFET晶体管的第二栅极接收提供相位检测阈值的偏置信号。 基于相位差信号和偏置信号，在FinFET电流电极的一个或两个处提供相位调整信号。

公开(公告)号：US20070085721A1

公开(公告)日：2007-04-19

申请号：US11250993

申请日：2005-10-14

申请人： Mohamed Moosa ,  Sriram Kalpat ,  Leo Mathew

发明人： Mohamed Moosa ,  Sriram Kalpat ,  Leo Mathew

IPC分类号： H03M1/12

CPC分类号： H03M1/361 ,  H01L27/0886 ,  H01L27/1211 ,  H03M1/745

摘要： An analog to digital converter including a plurality of multiple independent gate field effect transistors (MIGFET) that provide a plurality of digital output signals, is provided. Each MIGFET of the plurality of MIGFETs may have first gate for receiving an analog signal, a second gate for being biased, and a current electrode for providing a digital output signal from among the plurality of the digital output signals. Each MIGFET of the plurality of MIGFETs may have a combination of body width, channel length that is unique among the plurality of MIGFETs to result in a threshold voltage that is unique among the plurality of MIGFETs. A digital to analog converter including a plurality of MIGFETs is also provided.

摘要翻译： 提供了包括提供多个数字输出信号的多个独立的栅极场效应晶体管（MIGFET）的模数转换器。 多个MIGFET的每个MIGFET可以具有用于接收模拟信号的第一栅极，用于偏置的第二栅极和用于从多个数字输出信号中提供数字输出信号的电流电极。 多个MIGFET的每个MIGFET可以具有体宽度，多个MIGFET之间唯一的沟道长度的组合，以产生多个MIGFET中唯一的阈值电压。 还提供了包括多个MIGFET的数模转换器。

公开(公告)号：US20070176669A1

公开(公告)日：2007-08-02

申请号：US11344511

申请日：2006-01-31

申请人： Mohamed Moosa ,  Sriram Kalpat ,  Leo Mathew

发明人： Mohamed Moosa ,  Sriram Kalpat ,  Leo Mathew

IPC分类号： H03K17/92

CPC分类号： H03K17/145 ,  H01L29/785 ,  H03K17/687

摘要： A device and method for temperature compensation of an electronic device are disclosed. The device includes a temperature bias controller with a temperature sensor. A bias signal based upon a signal from the temperature sensor is provided to a first gate of a multiple fin gate field effect transistor (multigate FinFET) transistor of a functional block. A second gate of the multigate FinFET transistor receives a control signal to control its operation within the functional block. In this configuration the first gate of the multigate FinFET transistor can be used for temperature compensation while the second gate is used for functional operation of the transistor. Specific embodiments of the present disclosure will be better understood with respect to the figures.

摘要翻译： 公开了一种用于电子设备的温度补偿的装置和方法。 该装置包括具有温度传感器的温度偏差控制器。 基于来自温度传感器的信号的偏置信号被提供给功能块的多鳍栅极场效应晶体管（多栅极FinFET）晶体管的第一栅极。 多栅极FinFET晶体管的第二栅极接收控制信号以控制其在功能块内的操作。 在该配置中，多栅极FinFET晶体管的第一栅极可用于温度补偿，而第二栅极用于晶体管的功能操作。 将更好地理解本发明的具体实施方式。

公开(公告)号：US20080001256A1

公开(公告)日：2008-01-03

申请号：US11899218

申请日：2007-09-04

申请人： Thomas Remmel ,  Sriram Kalpat ,  Melvy Miller ,  Peter Zurcher

发明人： Thomas Remmel ,  Sriram Kalpat ,  Melvy Miller ,  Peter Zurcher

IPC分类号： H01L29/08

CPC分类号： H01L27/016 ,  H01L23/5223 ,  H01L23/5228 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A method of making a semiconductor device includes the steps of: providing a semiconductor substrate (110, 510, 1010, 1610) having a patterned interconnect layer (120, 520, 1020, 1620) formed thereon; depositing a first dielectric material (130, 530, 1030, 1630) over the interconnect layer; depositing a first electrode material (140, 540, 1040, 1640) over the first dielectric material; depositing a second dielectric material (150, 550, 1050, 1650) over the first electrode material; depositing a second electrode material (160, 560, 1060, 1660) over the second dielectric material; patterning the second electrode material to form a top electrode (211, 611, 1111, 1611) of a first capacitor (210, 710, 1310, 1615); and patterning the first electrode material to form a top electrode (221, 721, 1221, 1621) of a second capacitor (220, 720, 1320, 1625), to form an electrode (212, 712, 1212, 1612) of the first capacitor, and to define a resistor (230, 730, 1330).

摘要翻译： 制造半导体器件的方法包括以下步骤：提供具有形成在其上的图案化互连层（120,520,1020,1620）的半导体衬底（110,510,1010,1610） 在所述互连层上沉积第一介电材料（130,530,1030,1630）; 在所述第一电介质材料上沉积第一电极材料（140,540,1040,1640）; 在所述第一电极材料上沉积第二介电材料（150,550,1050,1650）; 在所述第二电介质材料上沉积第二电极材料（160,560,1060,1660）; 图案化第二电极材料以形成第一电容器（210,710,1310,1615）的顶部电极（211,611,1111,1611）; 以及图案化所述第一电极材料以形成第二电容器（220,720,1320,1625）的顶部电极（221,721,1221,1621），以形成所述第一电极的电极（212,712,1212,1612） 电容器，并且限定电阻器（230,730,1330）。

公开(公告)号：US20050272216A1

公开(公告)日：2005-12-08

申请号：US11150499

申请日：2005-06-09

申请人： Thomas Remmel ,  Sriram Kalpat ,  Melvy Miller ,  Peter Zurcher

发明人： Thomas Remmel ,  Sriram Kalpat ,  Melvy Miller ,  Peter Zurcher

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/06 ,  H01L27/108 ,  H01L29/00 ,  H01L29/76 ,  H01L29/94 ,  H01L31/119

CPC分类号： H01L27/0682 ,  H01L23/5223 ,  H01L23/5228 ,  H01L28/20 ,  H01L28/40 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A method of making a semiconductor device includes the steps of: providing a semiconductor substrate (110, 510, 1010, 1610) having a patterned interconnect layer (120, 520, 1020, 1620) formed thereon; depositing a first dielectric material (130, 530, 1030, 1630) over the interconnect layer; depositing a first electrode material (140, 540, 1040, 1640) over the first dielectric material; depositing a second dielectric material (150, 550, 1050, 1650) over the first electrode material; depositing a second electrode material (160, 560, 1060, 1660) over the second dielectric material; patterning the second electrode material to form a top electrode (211, 611, 1111, 1611) of a first capacitor (210, 710, 1310, 1615); and patterning the first electrode material to form atop electrode (221, 721, 1221, 1621) of a second capacitor (220, 720, 1320, 1625), to form an electrode (212, 712, 1212, 1612) of the first capacitor, and to define a resistor (230, 730, 1330).

摘要翻译： 制造半导体器件的方法包括以下步骤：提供具有形成在其上的图案化互连层（120,520,1020,1620）的半导体衬底（110,510,1010,1610） 在所述互连层上沉积第一介电材料（130,530,1030,1630）; 在所述第一电介质材料上沉积第一电极材料（140,540,1040,1640）; 在所述第一电极材料上沉积第二介电材料（150,550,1050,1650）; 在所述第二电介质材料上沉积第二电极材料（160,560,1060,1660）; 图案化第二电极材料以形成第一电容器（210,710,1310,1615）的顶部电极（211,611,1111,1611）; 以及图案化所述第一电极材料以形成第二电容器（220,720,1320,1625）的顶部电极（221,721,1221,1621），以形成所述第一电容器的电极（212,712,1212,1612） 并且限定电阻器（230,730,1330）。

公开(公告)号：US07898059B2

公开(公告)日：2011-03-01

申请号：US12426837

申请日：2009-04-20

申请人： Thomas P. Remmel ,  Peter Zurcher ,  Sriram Kalpat ,  Melvy F. Miller

发明人： Thomas P. Remmel ,  Peter Zurcher ,  Sriram Kalpat ,  Melvy F. Miller

IPC分类号： H01L29/00

CPC分类号： H01L27/016 ,  H01L23/5223 ,  H01L23/5228 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A method of making a semiconductor device includes the steps of: providing a semiconductor substrate (110, 510, 1010, 1610) having a patterned interconnect layer (120, 520, 1020, 1620) formed thereon; depositing a first dielectric material (130, 530, 1030, 1630) over the interconnect layer; depositing a first electrode material (140, 540, 1040, 1640) over the first dielectric material; depositing a second dielectric material (150, 550, 1050, 1650) over the first electrode material; depositing a second electrode material (160, 560, 1060, 1660) over the second dielectric material; patterning the second electrode material to form a top electrode (211, 611, 1111, 1611) of a first capacitor (210, 710, 1310, 1615); and patterning the first electrode material to form a top electrode (221, 721, 1221, 1621) of a second capacitor (220, 720, 1320, 1625), to form an electrode (212, 712, 1212, 1612) of the first capacitor, and to define a resistor (230, 730, 1330).

摘要翻译： 制造半导体器件的方法包括以下步骤：提供具有形成在其上的图案化互连层（120,520,1020,1620）的半导体衬底（110,510,1010,1610） 在所述互连层上沉积第一介电材料（130,530,1030,1630）; 在所述第一电介质材料上沉积第一电极材料（140,540,1040,1640）; 在所述第一电极材料上沉积第二介电材料（150,550,1050,1650）; 在所述第二电介质材料上沉积第二电极材料（160,560,1060,1660）; 图案化第二电极材料以形成第一电容器（210,710,1310,1615）的顶部电极（211,611,1111,1611）; 以及图案化所述第一电极材料以形成第二电容器（220,720,1320,1625）的顶部电极（221,721,1221,1621），以形成所述第一电极的电极（212,712,1212,1612） 电容器，并且限定电阻器（230,730,1330）。

公开(公告)号：US20090061608A1

公开(公告)日：2009-03-05

申请号：US11846633

申请日：2007-08-29

申请人： Tushar P. Merchant ,  Lakshmanna Vishnubhotla ,  Ramachandran Muralidhar ,  Rajesh A. Rao ,  Sriram Kalpat

发明人： Tushar P. Merchant ,  Lakshmanna Vishnubhotla ,  Ramachandran Muralidhar ,  Rajesh A. Rao ,  Sriram Kalpat

IPC分类号： H01L21/28

CPC分类号： H01L29/792 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/40114 ,  H01L29/42332 ,  H01L29/66825

摘要： A method of depositing a silicon dioxide layer for a semiconductor device. The method includes depositing the silicon dioxide layer to have a silicon concentration of greater than 30 atomic percent and a nitrogen concentration of less than 5 atomic percent. The depositing includes flowing nitric oxide gas with a silicon precursor over a substrate. In one example, the silicon precursor and nitric oxide are flowed over a substrate with the substrate being at a temperature in a range of approximately 600 to approximately 900 degrees Celsius. In one example, the silicon dioxide layer is formed on a layer including charge storage memory material.

摘要翻译： 一种沉积半导体器件的二氧化硅层的方法。 该方法包括沉积二氧化硅层以具有大于30原子百分比的硅浓度和小于5原子％的氮浓度。 沉积包括在衬底上流动具有硅前体的一氧化氮气体。 在一个实例中，硅前体和一氧化氮在衬底上流动，衬底的温度在约600至约900摄氏度的范围内。 在一个示例中，二氧化硅层形成在包括电荷存储存储材料的层上。

公开(公告)号：US06919244B1

公开(公告)日：2005-07-19

申请号：US10799554

申请日：2004-03-10

申请人： Thomas P. Remmel ,  Sriram Kalpat ,  Melvy F. Miller ,  Peter Zurcher

发明人： Thomas P. Remmel ,  Sriram Kalpat ,  Melvy F. Miller ,  Peter Zurcher

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/06 ,  H01L27/108 ,  H01L29/00 ,  H01L29/76 ,  H01L29/94 ,  H01L31/119

CPC分类号： H01L27/0682 ,  H01L23/5223 ,  H01L23/5228 ,  H01L28/20 ,  H01L28/40 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A method of making a semiconductor device includes the steps of: providing a semiconductor substrate (110, 510, 1010, 1610) having a patterned interconnect layer (120, 520, 1020, 1620) formed thereon; depositing a first dielectric material (130, 530, 1030, 1630) over the interconnect layer; depositing a first electrode material (140, 540, 1040, 1640) over the first dielectric material; depositing a second dielectric material (150, 550, 1050, 1650) over the first electrode material; depositing a second electrode material (160, 560, 1060, 1660) over the second dielectric material; patterning the second electrode material to form a top electrode (211, 611, 1111, 1611) of a first capacitor (210, 710, 1310, 1615); and patterning the first electrode material to form a top electrode (221, 721, 1221, 1621) of a second capacitor (220, 720, 1320, 1625), to form an electrode (212, 712, 1212, 1612) of the first capacitor, and to define a resistor (230, 730, 1330).

摘要翻译： 制造半导体器件的方法包括以下步骤：提供具有形成在其上的图案化互连层（120,520,1020,1620）的半导体衬底（110,510,1010,1610） 在所述互连层上沉积第一介电材料（130,530,1030,1630）; 在所述第一电介质材料上沉积第一电极材料（140,540,1040,1640）; 在所述第一电极材料上沉积第二介电材料（150,550,1050,1650）; 在所述第二电介质材料上沉积第二电极材料（160,560,1060,1660）; 图案化第二电极材料以形成第一电容器（210,710,1310,1615）的顶部电极（211,611,1111,1611）; 以及图案化所述第一电极材料以形成第二电容器（220,720,1320,1625）的顶部电极（221,721,1221,1621），以形成所述第一电极的电极（212,712,1212,1612） 电容器，并且限定电阻器（230,730,1330）。

公开(公告)号：US07306986B2

公开(公告)日：2007-12-11

申请号：US11150499

申请日：2005-06-09

申请人： Thomas P. Remmel ,  Sriram Kalpat ,  Melvy F. Miller ,  Peter Zurcher

发明人： Thomas P. Remmel ,  Sriram Kalpat ,  Melvy F. Miller ,  Peter Zurcher

IPC分类号： H01L21/8242

CPC分类号： H01L27/0682 ,  H01L23/5223 ,  H01L23/5228 ,  H01L28/20 ,  H01L28/40 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A method of making a semiconductor device includes the steps of: providing a semiconductor substrate (110, 510, 1010, 1610) having a patterned interconnect layer (120, 520, 1020, 1620) formed thereon; depositing a first dielectric material (130, 530, 1030, 1630) over the interconnect layer; depositing a first electrode material (140, 540, 1040, 1640) over the first dielectric material; depositing a second dielectric material (150, 550, 1050, 1650) over the first electrode material; depositing a second electrode material (160, 560, 1060, 1660) over the second dielectric material; patterning the second electrode material to form a top electrode (211, 611, 1111, 1611) of a first capacitor (210, 710, 1310, 1615); and patterning the first electrode material to form atop electrode (221, 721, 1221, 1621) of a second capacitor (220, 720, 1320, 1625), to form an electrode (212, 712, 1212, 1612) of the first capacitor, and to define a resistor (230, 730, 1330).

摘要翻译： 制造半导体器件的方法包括以下步骤：提供具有形成在其上的图案化互连层（120,520,1020,1620）的半导体衬底（110,510,1010,1610） 在所述互连层上沉积第一介电材料（130,530,1030,1630）; 在所述第一电介质材料上沉积第一电极材料（140,540,1040,1640）; 在所述第一电极材料上沉积第二介电材料（150,550,1050,1650）; 在所述第二电介质材料上沉积第二电极材料（160,560,1060,1660）; 图案化第二电极材料以形成第一电容器（210,710,1310,1615）的顶部电极（211,611,1111,1611）; 以及图案化所述第一电极材料以形成第二电容器（220,720,1320,1625）的顶部电极（221,721,1221,1621），以形成所述第一电容器的电极（212,712,1212,1612） 并且限定电阻器（230,730,1330）。