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    Reducing drift in chalcogenide devices
    8.
    发明授权
    Reducing drift in chalcogenide devices 有权
    减少硫族化物装置中的漂移

    公开(公告)号：US07936593B2

    公开(公告)日：2011-05-03

    申请号：US12082070

    申请日：2008-04-08

    申请人： Semyon D. Savransky

    发明人： Semyon D. Savransky

    IPC分类号： G11C11/00 ,  H01L47/00

    CPC分类号： H01L45/06 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1253 ,  H01L45/126 ,  H01L45/144

    摘要： Chalcogenide materials conventionally used in chalcogenide memory devices and ovonic threshold switches may exhibit a tendency called drift, wherein threshold voltage or resistance changes with time. By providing a compensating material which exhibits an opposing tendency, the drift may be compensated. The compensating material may be mixed into a chalcogenide, may be layered with chalcogenide, may be provided with a heater, or may be provided as part of an electrode in some embodiments. Both chalcogenide and non-chalcogenide compensating materials may be used.

    摘要翻译： 通常用于硫族化物记忆装置和超声波阈值开关的硫属化物材料可能会出现称为漂移的趋势，其中阈值电压或电阻随时间而变化。 通过提供具有相反趋势的补偿材料，可以补偿漂移。 补偿材料可以混合成硫族化物，可以用硫族化物层叠，可以设置有加热器，或者可以在一些实施方案中提供作为电极的一部分。 可以使用硫族化物和非硫族化物补偿材料。

    Method of a phase-change memory programming
    9.
    发明申请
    Method of a phase-change memory programming 审中-公开
    相变存储器编程方法

    公开(公告)号：US20110069540A1

    公开(公告)日：2011-03-24

    申请号：US12924167

    申请日：2010-09-22

    申请人： Semyon D. Savransky

    发明人： Semyon D. Savransky

    IPC分类号： G11C11/00

    CPC分类号： G11C13/0004 ,  G11C13/0061 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/0073 ,  G11C2013/0092 ,  G11C2213/51 ,  G11C2213/55

    摘要： A method of programming a phase-change memory (PCM) device to the high resistance reset state by means of pressure-induced amorphization. A train of few short bipolar current pulses is applied to the PCM device in order to stress phase-change alloy (PCA) under high pressure, and current in each pulse is almost equal to set current. An atomic structure of phase-change alloy is easily deformable by external pressure due to weak chemical bonds. Some materials mechanically contacted PCA in PCM have lower coefficients of thermal expansion and compressibility as well as higher coefficient of hardness than the corresponding coefficients of the PCA.

    摘要翻译： 通过压力诱导的非晶化将相变存储器（PCM）器件编程为高电阻复位状态的方法。 为了在高压下应力相变合金（PCA），将一些短的双极电流脉冲施加到PCM器件，并且每个脉冲中的电流几乎等于设定电流。 由于化学键较弱，相变合金的原子结构容易因外部压力而变形。 在PCM中机械接触PCA的一些材料具有比PCA的相应系数更低的热膨胀系数和可压缩性，以及更高的硬度系数。