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    Microwave plasma generator
    1.
    发明授权
    Microwave plasma generator 有权
    微波等离子发生器

    公开(公告)号：US07381290B2

    公开(公告)日：2008-06-03

    申请号：US10491776

    申请日：2002-10-25

    申请人： Stephen Ivor Hall ,  Robert Frew Gillespie ,  James Timothy Shawcross

    发明人： Stephen Ivor Hall ,  Robert Frew Gillespie ,  James Timothy Shawcross

    IPC分类号： C23C16/00 ,  C23F1/00 ,  H01L21/306

    CPC分类号： H01J37/32192 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/32532

    摘要： A microwave plasma generator including field-enhancing electrodes consisting of opposed laminae (108,109) with a gap (110) between them orthogonal to the direction of propagation through the plasma generator of microwave radiation. Gas inlet (106) and outlet (107) ports are arranged so that a gaseous medium to be excited into the plasma state passes through the gap (110).

    摘要翻译： 一种微波等离子体发生器，其包括由相对的薄片（108,109）组成的场增强电极，其间具有与通过微波辐射的等离子体发生器的传播方向正交的间隙（110）。 气体入口（106）和出口（107）端口被布置成使得被激发成等离子体状态的气态介质通过间隙（110）。

    Treating a metal implant with a rough surface portion so as to incorporate biocidal material
    8.
    发明授权
    Treating a metal implant with a rough surface portion so as to incorporate biocidal material 有权
    处理具有粗糙表面部分的金属植入物，以便结合杀生物材料

    公开(公告)号：US08888983B2

    公开(公告)日：2014-11-18

    申请号：US13701119

    申请日：2011-05-25

    申请人： James Timothy Shawcross ,  Andrew Derek Turner ,  David Richard Lewis

    发明人： James Timothy Shawcross ,  Andrew Derek Turner ,  David Richard Lewis

    IPC分类号： C25D5/02 ,  A61L27/04 ,  C25D11/02 ,  A61L27/54 ,  C25D11/26 ,  A61F2/30

    CPC分类号： C25D5/02 ,  A61F2/30 ,  A61L27/04 ,  A61L27/54 ,  A61L2300/102 ,  A61L2400/18 ,  C25D11/022 ,  C25D11/024 ,  C25D11/26

    摘要： Metal implants (10) are treated by anodising the surface (11, 12) in contact with an electrolyte, and then briefly subjecting the anodised surface to a reversed voltage. During a first anodising stage the surfaces are passivated, while during a subsequent anodising stage pits are formed in the passivating surface layer. Rough portions (15) of the surface, in particular portions produced by plasma spraying of metal powder, are sealed with a watertight cover (20) during at least part of the anodising process. After rinsing, biocidal metal ions are subsequently absorbed into the surface of the implant. This provides the implant with biocidal properties. The use of the cover (20) enables a more uniform geometric distribution of biocidal metal ions to be achieved.

    摘要翻译： 金属植入物（10）通过阳极氧化与电解质接触的表面（11,12）来处理，然后将阳极化表面短暂地经历反向电压。 在第一阳极氧化阶段期间，表面被钝化，而在随后的阳极氧化阶段期间，在钝化表面层中形成凹坑。 表面的粗糙部分（15），特别是通过等离子体喷涂金属粉末产生的部分在至少部分阳极氧化过程中用防水盖（20）密封。 在冲洗之后，杀生物金属离子随后被吸收到植入物的表面中。 这提供了具有杀生物性质的植入物。 使用盖（20）能够实现杀生物金属离子的更均匀的几何分布。

    Metal Treatment
    9.
    发明申请
    Metal Treatment 有权
    金属处理

    公开(公告)号：US20120018308A1

    公开(公告)日：2012-01-26

    申请号：US13262350

    申请日：2010-03-29

    申请人： James Timothy Shawcross ,  David Richard Lewis ,  Andrew Derek Turner

    发明人： James Timothy Shawcross ,  David Richard Lewis ,  Andrew Derek Turner

    IPC分类号： C23C28/00

    CPC分类号： C23C28/00 ,  A61L31/022 ,  A61L31/088 ,  A61L31/16 ,  A61L2300/104 ,  A61L2300/404 ,  C25D11/24 ,  C25D11/26

    摘要： Metal objects are treated by anodising (P, SE) the metal object in contact with an acidic solution, and then subjecting the anodised metal object to a reversed voltage (VR). The anodising is performed in two stages, firstly to passivate (P) with the formation of a surface layer, and secondly to form pits in this surface layer (SE). The second stage (SE) of anodising is performed at a lower voltage than the first stage (P). After the reversed voltage step (VR) the metal object is then contacted with a biocidal metal-containing solution. Biocidal metal is absorbed into the surface of the metal object, resulting in improved biocidal properties. The lower voltage of the second stage anodising (SE) results in reduced processing time.

    摘要翻译： 金属物体通过阳极氧化（P，SE）处理与酸性溶液接触的金属物体，然后使阳极化金属物体经受反向电压（VR）。 阳极氧化分两个阶段进行，先形成表面层钝化（P），其次在该表面层（SE）中形成凹坑。 阳极氧化的第二阶段（SE）在比第一阶段（P）低的电压下进行。 在反向电压步骤（VR）之后，金属物体然后与含杀生物金属的溶液接触。 杀生物金属被吸收到金属物体的表面，导致改善的杀生物性。 第二级阳极氧化（SE）的较低电压导致处理时间缩短。