公开(公告)号：US08225049B2

公开(公告)日：2012-07-17

申请号：US12689317

申请日：2010-01-19

申请人： Subramanya Mayya ,  Hee-seok Kim ,  Ik-Soo Kim ,  Min-Young Park ,  Hyun-Suk Kwon

发明人： Subramanya Mayya ,  Hee-seok Kim ,  Ik-Soo Kim ,  Min-Young Park ,  Hyun-Suk Kwon

IPC分类号： G06F13/16

CPC分类号： H01L27/10897 ,  H01L23/58 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/16 ,  H01L27/10876 ,  H01L27/10894 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06572 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： Provided is a data storage device. The data storage device includes an interface, a buffer controller, a memory controller, a non-volatile memory, and a self-powered semiconductor device adjacent to and electrically connected to the buffer controller. The self-powered semiconductor device includes a semiconductor chip and a rechargeable micro-battery attached to the semiconductor chip. The rechargeable micro-battery includes a first current collector and a second current collector, which face each other, a first polarizing electrode in contact with the first current collector and facing the second current collector, a second polarizing electrode in contact with the second current collector and facing the first polarizing electrode, and an electrolyte layer formed between the first and second polarizing electrodes.

摘要翻译： 提供了一种数据存储装置。 数据存储设备包括接口，缓冲器控制器，存储器控制器，非易失性存储器以及与缓冲器控制器相邻并电连接的自供电半导体器件。 自供电的半导体器件包括半导体芯片和附接到半导体芯片的可再充电微型电池。 所述可再充电微电池包括彼此面对的第一集电体和第二集电体，与所述第一集电体接触并面对所述第二集电体的第一极化电极，与所述第二集电体接触的第二极化电极， 并且面对第一极化电极，以及形成在第一和第二极化电极之间的电解质层。

公开(公告)号：US09412583B2

公开(公告)日：2016-08-09

申请号：US13400952

申请日：2012-02-21

申请人： Sang-Yeol Kang ,  Suk-Jin Chung ,  Youn-Soo Kim ,  Jae-Hyoung Choi ,  Jae-Soon Lim ,  Min-Young Park

发明人： Sang-Yeol Kang ,  Suk-Jin Chung ,  Youn-Soo Kim ,  Jae-Hyoung Choi ,  Jae-Soon Lim ,  Min-Young Park

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L21/02 ,  H01L29/51 ,  H01L27/108 ,  H01L49/02 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L28/60 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/28194 ,  H01L27/10808 ,  H01L27/10814 ,  H01L27/10855 ,  H01L28/40 ,  H01L29/517 ,  H01L29/78

摘要： To form a dielectric layer, an organometallic precursor is adsorbed on a substrate loaded into a process chamber. The organometallic precursor includes a central metal and ligands bound to the central metal. An inactive oxidant is provided onto the substrate. The inactive oxidant is reactive with the organometallic precursor. An active oxidant is also provided onto the substrate. The active oxidant has a higher reactivity than that of the inactive oxidant.

摘要翻译： 为了形成电介质层，有机金属前体被吸附在装载到处理室中的基板上。 有机金属前体包括中心金属和与中心金属结合的配体。 在基材上提供无活性氧化剂。 无活性氧化剂与有机金属前体反应。 活性氧化剂也提供到基底上。 活性氧化剂的反应活性高于非活性氧化剂。

公开(公告)号：US20130071499A1

公开(公告)日：2013-03-21

申请号：US13636451

申请日：2011-03-22

申请人： Sang-Kyung Lee ,  Young-Jin You ,  Hyo-Sung Choi ,  Min-Young Park

发明人： Sang-Kyung Lee ,  Young-Jin You ,  Hyo-Sung Choi ,  Min-Young Park

IPC分类号： A61K36/81

CPC分类号： A61K36/81

摘要： The present invention relates to a composition containing a paprika extract as an active ingredient, and more particularly to a pharmaceutical composition or health functional food for preventing or treating inflammatory, allergic or asthma disease, which contains a paprika extract. Particularly, paprika is a natural food which is readily available to anyone, and thus does not cause adverse effects even when it is taken for a long period of time.

摘要翻译： 本发明涉及含有辣椒粉提取物作为活性成分的组合物，更具体地涉及含有辣椒粉提取物的用于预防或治疗炎性，过敏性或哮喘病的药物组合物或保健功能性食品。 特别地，辣椒粉是天然食物，任何人都可以使用，因此即使长时间服用也不会产生不利影响。

公开(公告)号：US07777212B2

公开(公告)日：2010-08-17

申请号：US11972198

申请日：2008-01-10

申请人： Hyeong-Geun An ,  Hideki Horii ,  Min-Young Park ,  Shin-Hye Kim

发明人： Hyeong-Geun An ,  Hideki Horii ,  Min-Young Park ,  Shin-Hye Kim

IPC分类号： H01L29/02

CPC分类号： H01L45/1658 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/008 ,  G11C2213/35 ,  H01L45/06 ,  H01L45/12 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/126 ,  H01L45/143 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1675 ,  H01L45/1683

摘要： Phase change memory devices include a heating electrode on a substrate and a phase change material pattern on the heating electrode. An adhesive pattern is disposed between the heating electrode and the phase change material pattern. The adhesive pattern contains carbon. Methods of fabricating phase change memory devices are also provided.

摘要翻译： 相变存储器件包括衬底上的加热电极和加热电极上的相变材料图案。 粘合剂图案设置在加热电极和相变材料图案之间。 粘合剂图案含有碳。 还提供了制造相变存储器件的方法。

公开(公告)号：US08685494B2

公开(公告)日：2014-04-01

申请号：US13242037

申请日：2011-09-23

申请人： Jae-Soon Lim ,  Jae-Hyoung Choi ,  Youn-Soo Kim ,  Min-Young Park ,  Sang-Yeol Kang

发明人： Jae-Soon Lim ,  Jae-Hyoung Choi ,  Youn-Soo Kim ,  Min-Young Park ,  Sang-Yeol Kang

IPC分类号： C23C16/00

CPC分类号： C23C16/34 ,  C23C16/45525

摘要： A method of forming a metal thin film can reduce leakage current while improving electric properties by improving step coverage of a device. The method of forming a metal thin film includes supplying a metal precursor including chlorine, purging byproducts produced after the supplying of the metal precursor by injecting a purge gas, supplying a reactant to allow the reactant and the metal precursor to react with each other to form a thin film layer, and purging the byproducts produced after the reaction by injecting a purge gas, wherein before the supplying of the metal precursor, the method further includes supplying a reactant to be adsorbed on a treated product.

摘要翻译： 形成金属薄膜的方法可以通过提高器件的台阶覆盖率来改善电性能来减少漏电流。 形成金属薄膜的方法包括：供给包含氯的金属前体，通过注入吹扫气体，在供给金属前体之后产生的副产物，供应反应物以允许反应物和金属前体彼此反应形成 薄膜层，并且通过注入吹扫气体来净化反应后产生的副产物，其中在供给金属前体之前，所述方法还包括供给被处理产物上被吸附的反应物。

公开(公告)号：USD657346S1

公开(公告)日：2012-04-10

申请号：US29390817

申请日：2011-04-29

申请人： Min-Young Park

设计人： Min-Young Park

公开(公告)号：USD649958S1

公开(公告)日：2011-12-06

申请号：US29379772

申请日：2010-11-24

申请人： Min-Young Park

设计人： Min-Young Park

公开(公告)号：USD649528S1

公开(公告)日：2011-11-29

申请号：US29380145

申请日：2010-12-01

申请人： Min-Young Park

设计人： Min-Young Park

公开(公告)号：USD644202S1

公开(公告)日：2011-08-30

申请号：US29369931

申请日：2010-09-15

申请人： Min-Young Park ,  Tae-Joong Kim

设计人： Min-Young Park ,  Tae-Joong Kim

公开(公告)号：US08451645B2

公开(公告)日：2013-05-28

申请号：US12851681

申请日：2010-08-06

申请人： Hong-Sik Yoon ,  Min-Young Park ,  In-Gyu Baek ,  Hyun-Jun Sim ,  Jin-Shi Zhao

发明人： Hong-Sik Yoon ,  Min-Young Park ,  In-Gyu Baek ,  Hyun-Jun Sim ,  Jin-Shi Zhao

IPC分类号： G11C11/00

CPC分类号： G11C13/0069 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/0064 ,  G11C2013/0066

摘要： A variable resistance memory device includes a variable resistance memory cell, and a by-pass circuit configured to electrically by-pass a programming pulse supplied to the variable resistance memory cell after a resistive state of the variable resistance memory cell has changed in response to the programming pulse.

摘要翻译： 可变电阻存储器件包括可变电阻存储器单元和旁路电路，配置为在可变电阻存储单元的电阻状态响应于可变电阻存储单元的电阻状态发生变化之后，对提供给可变电阻存储单元的编程脉冲进行电旁路 编程脉冲。