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    Multi-sacrificial layer and method
    4.
    发明授权
    Multi-sacrificial layer and method 有权
    多牺牲层和方法

    公开(公告)号：US08722537B2

    公开(公告)日：2014-05-13

    申请号：US12686878

    申请日：2010-01-13

    申请人： Yao-Te Huang ,  Chia-Hua Chu ,  Yu-Nu Hsu ,  Chun-Wen Cheng ,  Li-Chung Peng

    发明人： Yao-Te Huang ,  Chia-Hua Chu ,  Yu-Nu Hsu ,  Chun-Wen Cheng ,  Li-Chung Peng

    IPC分类号： H01L21/44

    CPC分类号： H01G7/06 ,  B81B2201/0221 ,  B81C1/0015 ,  B81C2201/0109 ,  H01G7/00 ,  H01L28/60

    摘要： MEMS devices and methods for utilizing sacrificial layers are provided. An embodiment comprises forming a first sacrificial layer and a second sacrificial layer over a substrate, wherein the second sacrificial layer acts as an adhesion layer. Once formed, the first sacrificial layer and the second sacrificial layer are patterned such that the second sacrificial layer is undercut to form a step between the first sacrificial layer and the second sacrificial layer. A top capacitor electrode is formed over the second sacrificial layer, and the first sacrificial layer and the second sacrificial layer are removed in order to free the top capacitor electrode.

    摘要翻译： 提供了用于利用牺牲层的MEMS器件和方法。 一个实施例包括在衬底上形成第一牺牲层和第二牺牲层，其中第二牺牲层用作粘附层。 一旦形成，第一牺牲层和第二牺牲层被图案化，使得第二牺牲层被底切以在第一牺牲层和第二牺牲层之间形成台阶。 在第二牺牲层上形成顶部电容器电极，并且去除第一牺牲层和第二牺牲层以便释放顶部电容器电极。

    Multi-Sacrificial Layer and Method
    5.
    发明申请
    Multi-Sacrificial Layer and Method 有权
    多牺牲层和方法

    公开(公告)号：US20100240215A1

    公开(公告)日：2010-09-23

    申请号：US12686878

    申请日：2010-01-13

    申请人： Yao-Te Huang ,  Chia-Hua Chu ,  Yu-Nu Hsu ,  Chun-Wen Cheng ,  Li-Chung Peng

    发明人： Yao-Te Huang ,  Chia-Hua Chu ,  Yu-Nu Hsu ,  Chun-Wen Cheng ,  Li-Chung Peng

    IPC分类号： H01L21/28 ,  B05D1/32 ,  B05D5/12 ,  B05D3/14 ,  H01G9/00

    CPC分类号： H01G7/06 ,  B81B2201/0221 ,  B81C1/0015 ,  B81C2201/0109 ,  H01G7/00 ,  H01L28/60

    摘要： MEMS devices and methods for utilizing sacrificial layers are provided. An embodiment comprises forming a first sacrificial layer and a second sacrificial layer over a substrate, wherein the second sacrificial layer acts as an adhesion layer. Once formed, the first sacrificial layer and the second sacrificial layer are patterned such that the second sacrificial layer is undercut to form a step between the first sacrificial layer and the second sacrificial layer. A top capacitor electrode is formed over the second sacrificial layer, and the first sacrificial layer and the second sacrificial layer are removed in order to free the top capacitor electrode.

    摘要翻译： 提供了用于利用牺牲层的MEMS器件和方法。 一个实施例包括在衬底上形成第一牺牲层和第二牺牲层，其中第二牺牲层用作粘附层。 一旦形成，第一牺牲层和第二牺牲层被图案化，使得第二牺牲层被底切以在第一牺牲层和第二牺牲层之间形成台阶。 在第二牺牲层上形成顶部电容器电极，并且去除第一牺牲层和第二牺牲层以便释放顶部电容器电极。

    MEMS switch with reduced dielectric charging effect
    6.
    发明授权
    MEMS switch with reduced dielectric charging effect 有权
    具有降低介电充电效应的MEMS开关

    公开(公告)号：US08797127B2

    公开(公告)日：2014-08-05

    申请号：US12951492

    申请日：2010-11-22

    申请人： Chia-Hua Chu ,  Chung-Hsien Lin ,  Chun-Wen Cheng

    发明人： Chia-Hua Chu ,  Chung-Hsien Lin ,  Chun-Wen Cheng

    IPC分类号： H01H51/22

    CPC分类号： H01H11/00 ,  H01G5/18 ,  H01H49/00 ,  H01H59/0009 ,  H01H2001/0084 ,  H01P1/127 ,  Y10T29/49105

    摘要： The present disclosure provides in one embodiment, a semiconductor device that includes a MEMS switch having a substrate, a first dielectric layer disposed above the substrate, and a bottom signal electrode, a bump, and a bottom actuation electrode disposed above the first dielectric layer. The MEMS switch further includes a second dielectric layer enclosing the bottom signal electrode, and a movable member including a top signal electrode disposed above the bottom signal electrode and a top actuation electrode disposed above the bottom actuation electrode and the bump, wherein the top actuation electrode is electrically coupled to the bump. A method of fabricating a MEMS switch is also disclosed.

    摘要翻译： 本公开在一个实施例中提供了一种半导体器件，其包括具有衬底的MEMS开关，设置在衬底上方的第一电介质层，以及设置在第一电介质层上方的底部信号电极，凸块和底部致动电极。 MEMS开关还包括封装底部信号电极的第二电介质层和包括设置在底部信号电极上方的顶部信号电极的可移动部件和设置在底部致动电极和凸起上方的顶部致动电极，其中顶部致动电极 电连接到凸块。 还公开了一种制造MEMS开关的方法。

    MEMS devices and methods for forming the same
    7.
    发明授权
    MEMS devices and methods for forming the same 有权
    MEMS器件及其形成方法

    公开(公告)号：US08729646B2

    公开(公告)日：2014-05-20

    申请号：US13571258

    申请日：2012-08-09

    申请人： Chia-Hua Chu ,  Chun-Wen Cheng ,  Te-Hao Lee ,  Chung-Hsien Lin

    发明人： Chia-Hua Chu ,  Chun-Wen Cheng ,  Te-Hao Lee ,  Chung-Hsien Lin

    IPC分类号： H01L29/84

    CPC分类号： B81B3/0059 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/0257 ,  B81B2203/0315 ,  B81B2207/012 ,  B81C2203/0118 ,  G01P15/0802 ,  G01P15/125 ,  H04R2201/003

    摘要： A device includes a Micro-Electro-Mechanical System (MEMS) wafer having a MEMS device therein. The MEMS device includes a movable element, and first openings in the MEMS wafer. The movable element is disposed in the first openings. A carrier wafer is bonded to the MEMS wafer. The carrier wafer includes a second opening connected to the first openings, wherein the second opening includes an entry portion extending from a surface of the carrier wafer into the carrier wafer, and an inner portion wider than the entry portion, wherein the inner portion is deeper in the carrier wafer than the entry portion.

    摘要翻译： 一种器件包括其中具有MEMS器件的微机电系统（MEMS）晶片。 MEMS器件包括可移动元件和MEMS晶片中的第一开口。 可移动元件设置在第一开口中。 载体晶片结合到MEMS晶片。 载体晶片包括连接到第一开口的第二开口，其中第二开口包括从载体晶片的表面延伸到载体晶片中的入口部分和比入口部分更宽的内部部分，其中内部部分更深 在载体晶片中比入口部分。

    MEMS Devices and Methods for Forming the Same
    8.
    发明申请
    MEMS Devices and Methods for Forming the Same 有权
    MEMS器件及其形成方法

    公开(公告)号：US20140042562A1

    公开(公告)日：2014-02-13

    申请号：US13571258

    申请日：2012-08-09

    申请人： Chia-Hua Chu ,  Chun-Wen Cheng ,  Te-Hao Lee ,  Chung-Hsien Lin

    发明人： Chia-Hua Chu ,  Chun-Wen Cheng ,  Te-Hao Lee ,  Chung-Hsien Lin

    IPC分类号： H01L21/306 ,  H01L29/84

    CPC分类号： B81B3/0059 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/0257 ,  B81B2203/0315 ,  B81B2207/012 ,  B81C2203/0118 ,  G01P15/0802 ,  G01P15/125 ,  H04R2201/003

    摘要： A device includes a Micro-Electro-Mechanical System (MEMS) wafer having a MEMS device therein. The MEMS device includes a movable element, and first openings in the MEMS wafer. The movable element is disposed in the first openings. A carrier wafer is bonded to the MEMS wafer. The carrier wafer includes a second opening connected to the first openings, wherein the second opening includes an entry portion extending from a surface of the carrier wafer into the carrier wafer, and an inner portion wider than the entry portion, wherein the inner portion is deeper in the carrier wafer than the entry portion.

    摘要翻译： 一种器件包括其中具有MEMS器件的微机电系统（MEMS）晶片。 MEMS器件包括可移动元件和MEMS晶片中的第一开口。 可移动元件设置在第一开口中。 载体晶片结合到MEMS晶片。 载体晶片包括连接到第一开口的第二开口，其中第二开口包括从载体晶片的表面延伸到载体晶片中的入口部分和比入口部分更宽的内部部分，其中内部部分更深 在载体晶片中比入口部分。

    MEMS DEVICE WITH RELEASE APERTURE
    9.
    发明申请
    MEMS DEVICE WITH RELEASE APERTURE 有权
    具有释放孔径的MEMS器件

    公开(公告)号：US20120098074A1

    公开(公告)日：2012-04-26

    申请号：US12908985

    申请日：2010-10-21

    申请人： Chung-Hsien Lin ,  Chia-Hua Chu ,  Chun-Wen Cheng

    发明人： Chung-Hsien Lin ,  Chia-Hua Chu ,  Chun-Wen Cheng

    IPC分类号： H01L23/04 ,  H01L21/50

    CPC分类号： B81B7/0058 ,  B81C1/00333 ,  B81C1/0038 ,  B81C2203/0136 ,  B81C2203/0145 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

    摘要： The present disclosure provides a method of fabricating a micro-electro-mechanical systems (MEMS) device. In an embodiment, a method includes providing a substrate including a first sacrificial layer, forming a micro-electro-mechanical systems (MEMS) structure above the first sacrificial layer, and forming a release aperture at substantially a same level above the first sacrificial layer as the MEMS structure. The method further includes forming a second sacrificial layer above the MEMS structure and within the release aperture, and forming a first cap over the second sacrificial layer and the MEMS structure, wherein a leg of the first cap is disposed between the MEMS structure and the release aperture. The method further includes removing the first sacrificial layer, removing the second sacrificial layer through the release aperture, and plugging the release aperture. A MEMS device formed by such a method is also provided.

    摘要翻译： 本公开提供了一种制造微机电系统（MEMS）装置的方法。 在一个实施例中，一种方法包括提供包括第一牺牲层的衬底，在第一牺牲层之上形成微电子机械系统（MEMS）结构，以及在第一牺牲层之上的基本上相同的水平面上形成释放孔， MEMS结构。 该方法还包括在MEMS结构之上和释放孔内形成第二牺牲层，以及在第二牺牲层和MEMS结构之上形成第一帽，其中第一帽的腿设置在MEMS结构和释放之间 光圈。 该方法还包括去除第一牺牲层，通过释放孔去除第二牺牲层并堵塞释放孔。 还提供了通过这种方法形成的MEMS器件。

    WAFER LEVEL PACKAGING
    10.
    发明申请
    WAFER LEVEL PACKAGING 有权
    水平包装

    公开(公告)号：US20120061776A1

    公开(公告)日：2012-03-15

    申请号：US12879216

    申请日：2010-09-10

    申请人： Chun-Wen Cheng ,  Chung-Hsien Lin ,  Chia-Hua Chu

    发明人： Chun-Wen Cheng ,  Chung-Hsien Lin ,  Chia-Hua Chu

    IPC分类号： H01L29/84 ,  H01L21/02

    CPC分类号： B81B7/0032 ,  B81C1/00269 ,  B81C1/00333

    摘要： A method of wafer level packaging includes providing a substrate including a buried oxide layer and a top oxide layer, and etching the substrate to form openings above the buried oxide layer and a micro-electro-mechanical systems (MEMS) resonator element between the openings, the MEMS resonator element enclosed within the buried oxide layer, the top oxide layer, and sidewall oxide layers. The method further includes filling the openings with polysilicon to form polysilicon electrodes adjacent the MEMS resonator element, removing the top oxide layer and the sidewall oxide layers adjacent the MEMS resonator element, bonding the polysilicon electrodes to one of a complementary metal-oxide semiconductor (CMOS) wafer or a carrier wafer, removing the buried oxide layer adjacent the MEMS resonator element, and bonding the substrate to a capping wafer to seal the MEMS resonator element between the capping wafer and one of the CMOS wafer or the carrier wafer.

    摘要翻译： 晶片级封装的方法包括提供包括掩埋氧化物层和顶部氧化物层的衬底，以及蚀刻衬底以在掩埋氧化物层之上形成开口和在开口之间的微电子机械系统（MEMS）谐振器元件， 封装在掩埋氧化物层内的MEMS谐振器元件，顶部氧化物层和侧壁氧化物层。 该方法还包括用多晶硅填充开口以形成邻近MEMS谐振器元件的多晶硅电极，去除与MEMS谐振器元件相邻的顶部氧化物层和侧壁氧化物层，将多晶硅电极连接到互补金属氧化物半导体（CMOS ）晶片或载体晶片，去除邻近MEMS谐振器元件的掩埋氧化物层，以及将衬底接合到封盖晶片，以密封封装晶片和CMOS晶片或载体晶片之一中的MEMS谐振器元件。