公开(公告)号：WO2009072348A1

公开(公告)日：2009-06-11

申请号：PCT/JP2008/068248

申请日：2008-10-07

Applicant: 株式会社新川 ,  国立大学法人東北大学 ,  前田 徹 ,  歌野 哲弥 ,  寺本 章伸

Inventor： 前田 徹 ,  歌野 哲弥 ,  寺本 章伸

IPC: H01L21/60

CPC classification number: H01L24/85 ,  B23K20/007 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/78 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/78268 ,  H01L2224/78301 ,  H01L2224/7865 ,  H01L2224/85009 ,  H01L2224/85013 ,  H01L2224/85045 ,  H01L2224/85065 ,  H01L2224/85075 ,  H01L2224/85181 ,  H01L2224/85201 ,  H01L2224/85203 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01001 ,  H01L2924/00

Abstract: 　ボンディング装置（１０）において、内部を不活性ガス雰囲気に保持するチャンバ（１２）と、チャンバ（１２）に取付けられ、プラズマ化したガスをチャンバ（１２）内に置かれた基板（４１）と半導体チップ（４２）に照射してパッドと電極の表面処理を行う第１のプラズマトーチ（２０）と、チャンバ（１２）に取付けられ、プラズマ化したガスをチャンバ（１２）内に位置するキャピラリ（１７）先端のイニシャルボール（１９）又はワイヤ（１８）に照射してイニシャルボール（１９）又はワイヤ（１８）の表面処理を行う第２のプラズマトーチ（３０）と、表面処理されたパッドと電極とに表面処理されたイニシャルボール（１９）、ワイヤ（１８）をチャンバ（１２）内でボンディングするボンディング処理部（１００）を備える。これによって、電極とパッド及びワイヤ双方の表面洗浄を効果的に行う。

Abstract translation: 接合装置（10）具有内部保持在惰性气体气氛下的室（12）; 第一等离子体焰炬（20），其附接到所述室（12），用于通过将进入等离子体状态的气体施加到放置在内部的基板（41）和半导体芯片（42）的表面处理到焊盘和电极 腔室（12）; 第二等离子体焰炬（30），其通过将进入等离子体状态的气体施加到初始球（19）而附接到腔室（12），用于对初始球（19）或线（18）进行表面处理， 或位于腔室（12）中的毛细管（17）的前端的线（18）; 以及用于将经表面处理的初始球（19）和线（18）接合到腔室（12）中的经表面处理的垫和电极的接合处理部（100）。 因此，可以有效地进行电极，垫和线的表面的清洁。

公开(公告)号：WO2009011152A1

公开(公告)日：2009-01-22

申请号：PCT/JP2008/055486

申请日：2008-03-25

Applicant: 国立大学法人東北大学 ,  三井造船株式会社 ,  Soitec Asia 株式会社 ,  大見 忠弘 ,  寺本 章伸 ,  佐野 純央 ,  吉見 信

Inventor： 大見 忠弘 ,  寺本 章伸 ,  佐野 純央 ,  吉見 信

IPC: H01L21/02 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L21/76254 ,  H01L27/1203

Abstract: 　半導体層を形成するシリコンよりも、機械的特性の優れたＳｉＣ等の材料によって基体を形成し、当該基体と半導体層とを絶縁物層を介して貼り合わせる。貼り合わせた後、半導体層を基体から機械的に切り離してＳＯＩ基板を作成する一方、切り離された半導体層を次のＳＯＩ基板の作成に再利用する。これによって、従来の手法では困難であった直径４００ｍｍ以上の大きさを有する大型のＳＯＩ基板を得ることができた。

Abstract translation: 基体由诸如SiC的材料形成，具有比用于形成半导体层的硅的机械特性更高的机械特性，并且基底材料和半导体层通过绝缘层接合。 在接合之后，通过将半导体层与基体机械分离来形成SOI衬底，并且分离的半导体层被再次用于形成随后的SOI衬底。 因此，可以获得通过常规方法难以获得的直径为400mm以上的大型SOI衬底。

公开(公告)号：WO2008090891A1

公开(公告)日：2008-07-31

申请号：PCT/JP2008/050821

申请日：2008-01-22

Applicant: 国立大学法人東北大学 ,  住友大阪セメント株式会社 ,  株式会社ヨコオ ,  大見 忠弘 ,  寺本 章伸 ,  石塚 雅之 ,  日高 宣浩 ,  白方 恭

Inventor： 大見 忠弘 ,  寺本 章伸 ,  石塚 雅之 ,  日高 宣浩 ,  白方 恭

IPC: H01F1/26 ,  H01F1/147 ,  H01F1/24 ,  H01F1/37 ,  H01F41/02 ,  H05K1/02 ,  H05K1/03 ,  H05K9/00

CPC classification number: H01F41/0246 ,  H01F1/26 ,  H01F1/37 ,  H05K1/0233

Abstract: 　数百ＭＨｚ～数ＧＨｚの周波数において、磁気損失が充分小さい複合磁性体及びその製造方法を提供する。 　磁性粉末を絶縁性材料中に分散して構成される複合磁性体において、前記磁性粉末は、球状又は扁平状であり、前記複合磁性体は、次の（ａ）から（ｃ）の内のいずれか一つの特性を有している。 （ａ）１ＧＨｚ又は５００ＭＨｚの周波数おいて比透磁率μｒが1よりも大きく、かつ損失正接ｔａｎδが０．１以下であること、 （ｂ）１．２ＧＨｚ以下の周波数における複素透磁率の実部μｒ’が１０よりも大きく、かつ損失正接ｔａｎδが０．３以下であること、及び （ｃ）複素透磁率の実部μｒ’が４ＧＨｚ以下の周波数で1よりも大きく、かつ１ＧＨｚ以下の周波数において損失正接ｔａｎδが０．１以下であること。

Abstract translation: 可以提供具有几百MHz至几GHz频率的足够小的磁损耗的复合磁体及其制造方法。 复合磁体通过将磁粉分散在绝缘材料中而形成。 磁粉具有球形或扁平形状。 复合磁体具有以下特征（a）〜（c）中的一个：（a）在1GHz或500MHz的频率下，相对磁导率μr大于1，损耗角正切tan d不大于0.1 。 （b）在不大于1.2GHz的频率下，复磁导率的实部μr'大于10，损耗角正切tan d不大于0.3。 （c）在不大于4GHz的频率下，复磁导率的实部μr'大于1; 在不大于1GHz的频率下，损耗角正切tan d不大于0.1。

公开(公告)号：WO2007034541A1

公开(公告)日：2007-03-29

申请号：PCT/JP2005/017339

申请日：2005-09-21

Applicant: 大見 忠弘 ,  寺本 章伸

Inventor： 大見 忠弘 ,  寺本 章伸

IPC: C23C14/00 ,  H01L51/50 ,  H05B33/10

CPC classification number: C23C14/12 ,  C23C14/24 ,  C23C14/564

Abstract: 　高集積度及び超微細加工が要求される半導体装置等に使用される蒸着薄膜では、当該蒸着薄膜に対する汚染物質、特に、有機物の吸着が問題となっている。 　チャンバ内のガス圧力を粘性流域に保った場合、分子流域に保った場合に比較して、有機物の吸着が著しく低くなる現象を見出し、この現象に基づいて、蒸着薄膜形成時には、ガス圧力を分子流域にし、非蒸着時には、ガス圧力を粘性流域にするように、ガス圧力を制御することにより、有機物汚染の少なく蒸着薄膜を形成することができる。

Abstract translation: 本发明提供一种真空沉积设备和真空沉积方法，其可以解决例如在满足高度集成和微细加工要求的半导体器件中使用的沉积薄膜所涉及的问题，污染物，特别是有机物 材料被吸附在沉积的薄膜上。 已经发现一种现象，其中当室内的气体压力保持在粘性流动区域中时，有机材料的吸附显着低于气体压力保持在分子流动区域中的情况。 基于这种现象，可以通过以形成沉积薄膜的气体压力使气体压力达到分子流动区域的方式控制气体压力来形成不含有机材料的显着污染的沉积薄膜，以及 在非沉积期间气体压力被带到粘性流动区域。

公开(公告)号：WO2005017991A1

公开(公告)日：2005-02-24

申请号：PCT/JP2004/011595

申请日：2004-08-12

Applicant: 東京エレクトロン株式会社 ,  日本ゼオン株式会社 ,  大見 忠弘 ,  小林 保男 ,  川村 剛平 ,  寺本 章伸 ,  杉本 達也 ,  山田 俊郎 ,  田中 公章

Inventor： 大見 忠弘 ,  小林 保男 ,  川村 剛平 ,  寺本 章伸 ,  杉本 達也 ,  山田 俊郎 ,  田中 公章

IPC: H01L21/314

CPC classification number: H01L21/3127 ,  H01L21/0212 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/3146

Abstract: 　本発明は、４２０°C以下の熱履歴を経たフッ素添加カーボン膜からなる絶縁膜を備えた半導体装置に関する。本発明の特徴は、前記フッ素添加カーボン膜中の水素原子の含有量が、前記熱履歴を経る前において、３原子％以下であることにある。

Abstract translation: 一种半导体器件，其具有包含在420℃以下的温度下经历了热历史的氟掺杂碳膜的绝缘膜，其特征在于，所述氟掺杂碳膜的氢原子含量为3原子％以下， 热历史的经验。

公开(公告)号：WO2005010244A1

公开(公告)日：2005-02-03

申请号：PCT/JP2004/009990

申请日：2004-07-07

Applicant: 株式会社アドマップ ,  三井造船株式会社 ,  大見 忠弘 ,  寺本 章伸 ,  佐野 純央

Inventor： 大見 忠弘 ,  寺本 章伸 ,  佐野 純央

IPC: C30B29/36

CPC classification number: H01L21/02052 ,  C30B29/36 ,  H01L21/3148 ,  H01L29/1608 ,  Y10T428/31

Abstract: A silicon carbide product is disclosed which is characterized by having a surface with a metal impurity concentration of not more than 1 x 10 (atoms/cm ). Also disclosed are a method for producing such a silicon carbide product and a method for cleaning a silicon carbide product. A silicon carbide having such a highly cleaned surface can be obtained by cleaning it with a hydrofluoric acid, a hydrochloric acid, or an aqueous solution containing a sulfuric acid and a hydrogen peroxide solution. The present invention provides a highly cleaned silicon carbide, and thus enables to produce a semiconductor device which is free from consideration on deterioration in characteristics caused by impurities. Further, when the silicon carbide is used in a unit for semiconductor production or the like, there is such an advantage that an object processed in the unit can be prevented from suffering an adverse affect of flying impurities.

Abstract translation: 公开了一种碳化硅产品，其特征在于具有不大于1×10 11（原子/ cm 2）的金属杂质浓度的表面。 还公开了制造这种碳化硅产品的方法和清洁碳化硅产品的方法。 通过用氢氟酸，盐酸或含有硫酸和过氧化氢溶液的水溶液进行清洗，可以得到具有高度清洁表面的碳化硅。 本发明提供了高度清洁的碳化硅，因此能够制造出不考虑由杂质引起的特性劣化的半导体器件。 此外，当将碳化硅用于半导体生产等的单位时，具有能够防止在该单元中加工的物体遭受飞散杂质的不利影响的优点。

公开(公告)号：WO2004112141A1

公开(公告)日：2004-12-23

申请号：PCT/JP2004/008216

申请日：2004-06-11

Applicant: 株式会社豊田自動織機 ,  新潟精密株式会社 ,  大見 忠弘 ,  西牟田 武史 ,  宮城 弘 ,  須川 成利 ,  寺本 章伸

Inventor： 大見 忠弘 ,  西牟田 武史 ,  宮城 弘 ,  須川 成利 ,  寺本 章伸

IPC: H01L27/092

CPC classification number: H01L29/66795 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/82385 ,  H01L27/092 ,  H03D7/1441 ,  H03D7/1458 ,  H03D2200/0025 ,  H03D2200/0033 ,  H03D2200/0047

Abstract: 　シリコン基板上に高さＨ B で、幅がＷ B の直方体状の突出部２１を形成し、突出部２１の頂面及び側壁面の一部にゲート酸化膜を形成する。ゲート電極２６の両側にソースとドレインを形成してＭＯＳトランジスタを形成する。このＭＯＳトランジスタで周波数変換回路及びダイレクトコンバージョンの受信回路を構成する。これにより、ダイレクトコンバージョン受信の周波数変換回路におけるＩ信号とＱ信号の誤差を減らす。

Abstract translation: 在硅衬底上形成具有高度HB和宽度WB的长方体突起部分（21），并且在突起部分（21）的顶壁和侧壁表面的部分上形成栅极氧化膜。 源极和漏极形成在栅电极（26）的两个相对侧上，从而形成MOS晶体管。 该MOS晶体管用于配置频率转换电路和直接转换的接收电路。 以这种方式，可以减少直接转换接收的频率转换电路中的I和Q信号的误差。

公开(公告)号：WO2004109790A1

公开(公告)日：2004-12-16

申请号：PCT/JP2004/007844

申请日：2004-05-31

Applicant: 大見 忠弘 ,  寺本 章伸

Inventor： 大見 忠弘 ,  寺本 章伸

IPC: H01L21/336

CPC classification number: H01L21/82385 ,  H01L21/28167 ,  H01L21/823857 ,  H01L29/66787 ,  H01L29/785

Abstract: 本発明によれば、複数の結晶面を有する立体構造のシリコン基板表面に、プラズマを用いてゲート絶縁膜を形成する。プラズマゲート絶縁膜は、複数の結晶面においても界面準位の増加がなく、立体構造のコーナー部おいても均一な膜厚を有する。プラズマにより高品質のゲート絶縁膜を成膜することで特性の良い半導体装置が得られる。

Abstract translation: 在具有多个晶面的三维硅衬底表面上使用等离子体形成栅极绝缘膜。 等离子体栅极绝缘膜在任何晶面中不会增加界面态，即使在三维结构的角部也具有均匀的厚度。 通过使用等离子体形成高品质的栅极绝缘膜，可以获得具有良好特性的半导体器件。

公开(公告)号：WO2009044917A1

公开(公告)日：2009-04-09

申请号：PCT/JP2008/068183

申请日：2008-10-06

Applicant: 国立大学法人東北大学 ,  信越半導体株式会社 ,  大見 忠弘 ,  寺本 章伸 ,  諏訪 智之 ,  黒田 理人 ,  工藤 秀雄 ,  速水 善範

Inventor： 大見 忠弘 ,  寺本 章伸 ,  諏訪 智之 ,  黒田 理人 ,  工藤 秀雄 ,  速水 善範

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/324 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/045 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02433 ,  H01L29/78

Abstract: 　半導体基板表面に原子ステップで段状とされた複数のテラスを実質的に同一方向に形成する。さらにこの半導体基板を使用し、キャリア走行方向（ソース－ドレイン方向）にステップが存在しないようにＭＯＳトランジスタを形成する。

Abstract translation: 通过原子台阶形成的多个台阶基本上在半导体衬底表面上沿相同的方向形成。 此外，通过使用半导体衬底，以在载体行进方向（源极 - 漏极方向）上不存在台阶的方式形成MOS晶体管。

公开(公告)号：WO2008007748A1

公开(公告)日：2008-01-17

申请号：PCT/JP2007/063926

申请日：2007-07-12

Applicant: 国立大学法人東北大学 ,  財団法人国際科学振興財団 ,  大見 忠弘 ,  寺本 章伸 ,  黒田 理人

Inventor： 大見 忠弘 ,  寺本 章伸 ,  黒田 理人

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/08 ,  H01L27/088 ,  H01L27/092 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/78 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/045 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823835 ,  H01L21/82385 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/456 ,  H01L29/518 ,  H01L29/785 ,  H01L2029/7857

Abstract: 　遮光状態で窒素雰囲気において、シリコン表面を水素添加超純水で洗浄することにより、ピーク・トゥ・バレイ(P-V)値で、0.3nm以下の平坦度を実現すると共に、電極とシリコンとの間の仕事関数差を0.2eV以下にすることにより、接触抵抗を10 -11 Ωcm 2 以下を実現する。これによって、10GHz以上の周波数で動作可能な半導体装置を得ることができる。

Abstract translation: 本发明提供一种半导体器件，其中以峰 - 谷（PV）值表示的平坦度为0.3nm以下的程度是通过在遮光状态下用加氢超纯水冲洗硅表面而实现的， 在氮气气氛中，通过将电极和电极之间的功函数差设定为0.2eV以下，可以实现10〜10Ω·cm 2以下的接触电阻 硅。 如此提供的半导体器件可以在10GHz或更高的频率下工作。