公开(公告)号：WO2017105763A1

公开(公告)日：2017-06-22

申请号：PCT/US2016/062734

申请日：2016-11-18

Applicant: INTEL CORPORATION

Inventor： LU, Donglai David ,  YAO, Jimin ,  MALLIK, Amrita ,  KOSTIEW, George S. ,  LIFF, Shawna M.

IPC: H01L23/00

CPC classification number: H01L24/81 ,  H01L24/13 ,  H01L24/75 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/7501 ,  H01L2224/75101 ,  H01L2224/7525 ,  H01L2224/753 ,  H01L2224/75901 ,  H01L2224/7592 ,  H01L2224/75981 ,  H01L2224/81013 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/01001 ,  H01L2924/01002 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/0101 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2924/01036 ,  H01L2924/01054 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/81011 ,  H01L2224/81024 ,  H01L2924/014

Abstract: Described herein are devices and techniques for thermocompression bonding. A device can include a housing, a platform, and a plasma jet. The housing can define a chamber. The platform can be located within the chamber and can be proximate a thermocompression chip bonder. The plasma jet can be located proximate the platform. The plasma jet can be movable about the platform. The plasma jet can include a nozzle arranged to direct a plasma gas onto the platform. Also described are other embodiments for thermocompression bonding.

Abstract translation: 这里描述的是用于热压接的装置和技术。 装置可以包括壳体，平台和等离子体射流。 外壳可以限定一个腔室。 该平台可以位于腔室内并且可以靠近热压贴片机。 等离子体射流可以位于平台附近。 等离子射流可以围绕平台移动。 等离子体射流可以包括布置成将等离子体气体引导到平台上的喷嘴。 还描述了热压粘合的其他实施例。

公开(公告)号：WO2012100786A1

公开(公告)日：2012-08-02

申请号：PCT/EP2011/000299

申请日：2011-01-25

Applicant: EV GROUP E. THALLNER GmbH ,  PLACH, Thomas ,  HINGERL, Kurt ,  WIMPLINGER, Markus ,  FLÖTGEN, Christoph

Inventor： PLACH, Thomas ,  HINGERL, Kurt ,  WIMPLINGER, Markus ,  FLÖTGEN, Christoph

IPC: H01L21/18 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L24/83 ,  H01L21/187 ,  H01L21/2007 ,  H01L21/70 ,  H01L21/76251 ,  H01L24/80 ,  H01L2224/80907 ,  H01L2224/83009 ,  H01L2224/83894 ,  H01L2224/83907 ,  H01L2924/01001 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/01008 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2924/20102 ,  H01L2924/20103 ,  H01L2924/20104 ,  H01L2924/20105 ,  H01L2924/20106

Abstract: Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zum Bonden einer ersten Kontaktfläche (3) eines ersten Substrats (1) mit einer zweiten Kontaktfläche (4) eines zweiten Substrats (2) mit folgenden Schritten, insbesondere folgendem Ablauf: - Ausbildung eines Reservoirs (5) in einer Oberflächenschicht (6) an der ersten Kontaktfläche (3), - zumindest teilweises Auffüllen des Reservoirs (5) mit einem ersten Edukt oder einer ersten Gruppe von Edukten, - Kontaktieren der ersten Kontaktfläche (3) mit der zweiten Kontaktfläche (4) zur Ausbildung einer Pre-Bond-Verbindung, - Ausbildung eines permanenten Bonds zwischen der ersten und zweiten Kontaktfläche (3, 4), zumindest teilweise verstärkt durch Reaktion des ersten Edukts mit einem in einer Reaktionsschicht (7) des zweiten Substrats enthaltenen zweiten Edukt.

Abstract translation: 本发明涉及粘合的第一接触表面（3）的第一基板（1）具有第二接触表面（4）的第二基板（2）包括以下步骤的方法，尤其是以下序列： - 形成的贮存器（5）在一个 第一接触表面（3）上的表面层（6）， - 至少部分地填充（5）具有第一反应物或起始材料的第一组，储存器 - 第一接触表面接触（3）与所述第二接触表面（4），以形成一个 预键合连接， - 在形成第一和第二接触表面（3,4），至少部分地由所述第二反应物的第二基板（7）包含有在反应层中的第一反应物的反应增强之间的永久粘结的。

公开(公告)号：WO2011139862A2

公开(公告)日：2011-11-10

申请号：PCT/US2011/034399

申请日：2011-04-28

Applicant: MEDTRONIC, INC. ,  RUBEN, David, A. ,  MATTES, Michael, F. ,  SMITH, Jonathan, R.

Inventor： RUBEN, David, A. ,  MATTES, Michael, F. ,  SMITH, Jonathan, R.

IPC: H01L21/60 ,  A61B5/00

CPC classification number: H01L24/81 ,  A61B5/00 ,  A61B5/0402 ,  A61N1/375 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/564 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/80 ,  H01L24/83 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05111 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/114 ,  H01L2224/116 ,  H01L2224/13007 ,  H01L2224/13016 ,  H01L2224/13021 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16111 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/80896 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/8121 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/83194 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/83894 ,  H01L2224/92 ,  H01L2224/9202 ,  H01L2224/9205 ,  H01L2224/9212 ,  H01L2924/0001 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01055 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01088 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2224/80 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/80001 ,  H01L2924/00012

Abstract: An implantable medical device (IMD) is disclosed. The !MD includes a first substrate having a front side and a backside. A first via is formed in the front side, the via extending from a bottom point in the front side to a first height located at a surface of the front side. A first conductive pad is formed in the first via, the first conductive pad having an exposed top surface lower than first height. A second substrate is coupled to the first substrate, the second substrate having a second via formed in the front side, the via extending from a bottom point in the front side to a second height located at a surface of the front side. A second conductive pad is formed in the second via, the second conductive pad having an exposed top surface lower than second height. The coupled substrates are heated until a portion of one or both conductive pads refiow, dewet, agglomerate, and merge to form an interconnect, hermetic seal, or both depending on the requirements of the device.

Abstract translation: 公开了可植入医疗装置（IMD）。 该MD包括具有前侧和后侧的第一基板。 第一通孔形成在前侧，通孔从前侧的底点延伸到位于前侧表面的第一高度。 第一导电焊盘形成在第一通孔中，第一导电焊盘具有低于第一高度的暴露的顶表面。 第二基板耦合到第一基板，第二基板具有形成在前侧的第二通孔，该通孔从前侧的底点延伸到位于前侧表面的第二高度。 第二导电焊盘形成在第二通孔中，第二导电焊盘具有低于第二高度的暴露的顶表面。 耦合的衬底被加热直到根据器件的要求，一个或两个导电焊盘的一部分或一个或两个导电焊盘反射，脱水，聚集和合并以形成互连，气密密封或两者。

公开(公告)号：WO2011013527A1

公开(公告)日：2011-02-03

申请号：PCT/JP2010/062082

申请日：2010-07-16

Applicant: 新日鉄マテリアルズ株式会社 ,  株式会社日鉄マイクロメタル ,  寺嶋 晋一 ,  宇野 智裕 ,  山田 隆 ,  小田 大造

Inventor： 寺嶋　晋一 ,  宇野　智裕 ,  山田　隆 ,  小田　大造

IPC: H01L21/60 ,  C22C5/02 ,  C22C5/04 ,  C22C5/06

CPC classification number: C22C5/04 ,  C22C5/02 ,  C22C5/06 ,  C22C9/00 ,  H01L24/43 ,  H01L24/45 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/4312 ,  H01L2224/4321 ,  H01L2224/43848 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/4516 ,  H01L2224/45565 ,  H01L2224/45572 ,  H01L2224/45639 ,  H01L2224/45644 ,  H01L2224/45664 ,  H01L2224/48011 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48471 ,  H01L2224/4851 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/48724 ,  H01L2224/48739 ,  H01L2224/48744 ,  H01L2224/48764 ,  H01L2224/48824 ,  H01L2224/48839 ,  H01L2224/48844 ,  H01L2224/48864 ,  H01L2224/78301 ,  H01L2224/85045 ,  H01L2224/85065 ,  H01L2224/85075 ,  H01L2224/85181 ,  H01L2224/85186 ,  H01L2224/85207 ,  H01L2224/85439 ,  H01L2224/85444 ,  H01L2224/85464 ,  H01L2224/85564 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/20751 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/20753 ,  H01L2924/20754 ,  H01L2924/20755 ,  H01L2924/01034 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2924/01204 ,  H01L2924/20105 ,  H01L2924/20106 ,  H01L2924/20107 ,  H01L2924/20108 ,  H01L2924/01001 ,  H01L2924/20756 ,  H01L2924/20757 ,  H01L2924/20758 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2224/45669 ,  H01L2924/2076 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2924/20654 ,  H01L2924/20652 ,  H01L2924/20655 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/20109 ,  H01L2924/2011 ,  H01L2924/20111 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01033

Abstract: パラジウムめっきされたリードフレームであっても良好なウェッジ接合性を確保でき、耐酸化性に優れた、銅又は銅合金を芯線とする半導体用ボンディングワイヤーを提供する。 銅又は銅合金から成る芯線と、該芯線の表面に、10～200nmの厚さを有するパラジウムを含む被覆層と、該被覆層の表面に、1～80nmの厚さを有する、貴金属とパラジウムとを含む合金層とを有し、前記貴金属が銀又は金であり、前記合金層中の前記貴金属の濃度が10体積%以上75体積%以下であることを特徴とする。

Abstract translation: 公开了一种用于半导体的接合线，即使镀钯引线框也能保证良好的楔形结合，并且具有优异的抗氧化性，并且其中使用铜或铜合金作为芯线。 接合线的特征在于，包括铜线或铜合金的芯线，配置在芯线表面的被覆层的厚度为10〜200nm，并含有钯，合金层为 布置在涂层的表面上，具有1至80nm的厚度并且包含贵金属和钯，其中贵金属为银或金，贵金属以10至10的浓度包含在合金层中 75％（含）。

公开(公告)号：WO2010082248A1

公开(公告)日：2010-07-22

申请号：PCT/JP2009/005400

申请日：2009-10-16

Applicant: パナソニック株式会社 ,  佐野光 ,  藤井恭子

Inventor： 佐野光 ,  藤井恭子

IPC: H01L21/3205 ,  H01L23/12 ,  H01L23/52 ,  H01L27/14 ,  H01L31/10

CPC classification number: H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/10 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/13 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01058 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/00

Abstract: 　本発明は、半導体基板の凹部内に形成される構成要素を有する半導体装置において歩留の低下およびデバイスの信頼性の低下を防止することが可能な半導体装置およびそれを用いた電子機器ならびに半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。本発明の半導体装置は、絶縁膜（８）および貫通電極（６）が形成される貫通孔（７）が形成された半導体基板（１）を備え、半導体基板（１）の貫通孔（７）は、深さ方向に徐々に開口径が小さくなる形状を有し、貫通孔（７）の内壁には、貫通孔（７）の開口端よりも開口径が小さい段が形成されている。

Abstract translation: 提供一种半导体器件，其具有形成在半导体衬底的凹陷部分中的构成元件，并且消除了产量和器件可靠性的劣化，使用该半导体器件的电子设备以及半导体器件的制造方法。 半导体器件设置有半导体衬底（1），其中形成有形成有绝缘膜（8）和通孔（6）的通孔（7）。 半导体基板（1）的通孔（7）具有使得开口直径在深度方向上逐渐减小的形状，并且在通孔（7）的内壁上的开口直径小于通孔 形成通孔（7）的开口端。

公开(公告)号：WO2009152066A2

公开(公告)日：2009-12-17

申请号：PCT/US2009/046535

申请日：2009-06-08

Applicant: KULICKE ADN SOFA INDUSTRIES, INC. ,  GILLOTTI, Gary, S. ,  SZCZESNIAK, Stanley ,  VAN EMMERIK, Peter, J.

Inventor： GILLOTTI, Gary, S. ,  SZCZESNIAK, Stanley ,  VAN EMMERIK, Peter, J.

IPC: H01L21/60

CPC classification number: H01L24/85 ,  B23K20/007 ,  B23K2201/42 ,  H01L24/45 ,  H01L24/78 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/45164 ,  H01L2224/78268 ,  H01L2224/78301 ,  H01L2224/78703 ,  H01L2224/85043 ,  H01L2224/85045 ,  H01L2224/85075 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01067 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2224/48 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00015

Abstract: A wire bonding machine is provided. The wire bonding machine includes a bonding tool and an electrode for forming a free air ball on an end of a wire extending through the bonding tool where the free air ball is formed at a free air ball formation area of the wire bonding machine. The wire bonding machine also includes a bond site area for holding a semiconductor device during a wire bonding operation. The wire bonding machine also includes a gas delivery mechanism configured to provide a cover gas to: (1) the bond site area whereby the cover gas is ejected through at least one aperture of the gas delivery mechanism to the bond site area, and (2) the free air ball formation area.

Abstract translation: 提供引线接合机。 引线接合机包括接合工具和用于在延伸穿过接合工具的线的端部上形成自由空气球的电极，其中自由空气球形成在引线接合机的自由空气球形成区域。 引线接合机还包括用于在引线接合操作期间保持半导体器件的接合位置区域。 引线接合机还包括气体输送机构，其构造成提供覆盖气体以：（1）粘结位置区域，由此覆盖气体通过气体输送机构的至少一个孔被喷射到粘结位置区域，和（2 ）自由空气球形成区域。

公开(公告)号：WO2009116185A1

公开(公告)日：2009-09-24

申请号：PCT/JP2008/062238

申请日：2008-07-04

Applicant: 株式会社応用ナノ粒子研究所 ,  小松 晃雄

Inventor： 小松 晃雄

IPC: H01B1/22 ,  H01B13/00 ,  H01L21/52 ,  H05K1/09 ,  H05K3/12 ,  B22F1/02

CPC classification number: H01B1/22 ,  H01L24/29 ,  H01L24/33 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L24/84 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/37139 ,  H01L2224/40095 ,  H01L2224/40247 ,  H01L2224/77272 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/181 ,  H05K1/097 ,  H05K3/321 ,  H05K2201/0224 ,  H05K2201/0272 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/84

Abstract: 　Ｃ１～９又はＣ１１の複合銀ナノ粒子を保存時に凝集させないために、１０°C以下で非流動性を示す樹脂を用いてペースト化する技術、つまり非流動性ペーストを提供することである。本発明に係る複合銀ナノペーストは、銀原子の集合体からなる平均粒径１～２０ｎｍの銀核の周囲に、炭素数１～９又は１１のアルコール分子残基、アルコール分子誘導体又はアルコール分子の一種以上からなる有機被覆層を形成した複合銀ナノ粒子を少なくとも含有する金属成分を樹脂と混合して構成され、前記樹脂は１０°C以下では非流動状態にあって前記金属成分を分散状態に保持し、加熱により流動化して塗着可能になることを特徴とする。

Abstract translation: 本发明提供了一种通过使用在10℃或更低温度下表现出非流动性的树脂将C1-9或C11复合银纳米颗粒转化成糊料的技术，以便抑制纳米颗粒在储存中的聚集，即非 - - 这种纳米颗粒的流体糊。 通过将包含由银原子聚集体制成的平均粒径为1〜20nm的两个银芯构成的必需的复合银纳米颗粒的金属成分和覆盖芯的有机涂层混合而成的复合银纳米糊剂 的至少一种选自醇残基，醇分子衍生物和醇分子中的至少一种，每个含有1至9或11个碳原子的树脂，其特征在于，在10℃或更低的温度下，树脂处于非流体状态 为了保持金属成分处于分散状态，在加热时，可以将其流化以允许涂布。

公开(公告)号：WO2009072525A1

公开(公告)日：2009-06-11

申请号：PCT/JP2008/071969

申请日：2008-12-03

Applicant: 新日鉄マテリアルズ株式会社 ,  株式会社日鉄マイクロメタル ,  宇野 智裕 ,  木村 圭一 ,  山田 隆

Inventor： 宇野 智裕 ,  木村 圭一 ,  山田 隆

IPC: H01L21/60 ,  C22C5/02 ,  C22C5/04 ,  C22C5/06 ,  C22C9/00

CPC classification number: C22C5/02 ,  B23K35/0222 ,  B23K35/302 ,  C22C5/04 ,  C22C5/06 ,  C22C9/00 ,  C22C9/01 ,  H01L24/43 ,  H01L24/45 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/4312 ,  H01L2224/4321 ,  H01L2224/43825 ,  H01L2224/43848 ,  H01L2224/43986 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/45565 ,  H01L2224/45572 ,  H01L2224/45639 ,  H01L2224/45644 ,  H01L2224/45664 ,  H01L2224/45669 ,  H01L2224/45673 ,  H01L2224/45676 ,  H01L2224/45683 ,  H01L2224/48011 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/48471 ,  H01L2224/48486 ,  H01L2224/4851 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/48639 ,  H01L2224/48644 ,  H01L2224/48839 ,  H01L2224/48844 ,  H01L2224/85045 ,  H01L2224/85065 ,  H01L2224/85075 ,  H01L2224/85186 ,  H01L2224/85203 ,  H01L2224/85207 ,  H01L2224/85439 ,  H01L2224/85444 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01044 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/01203 ,  H01L2924/01204 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/20751 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/20753 ,  H01L2924/20754 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01001 ,  H01L2924/20105 ,  H01L2924/20106 ,  H01L2924/20107 ,  H01L2924/20108 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/01202 ,  H01L2224/45655 ,  H01L2224/45657 ,  H01L2224/45671 ,  H01L2224/45666 ,  H01L2924/20652 ,  H01L2924/20653 ,  H01L2924/20654 ,  H01L2924/20655 ,  H01L2924/20656 ,  H01L2924/20658 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/48824 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01006

Abstract: 本発明は、ネック部の損傷を低減でき、また、ループの直線性、ループ高さの安定性、ボンディングワイヤの接合形状の安定化に優れている、低ループ化、細線化、狭ピッチ化、三次元実装等の半導体実装技術にも適応する、高機能のボンディングワイヤを提供することを目的とする。 導電性金属からなる芯材と、該芯材の上に芯材とは異なる面心立方晶の金属を主成分とする表皮層を有するボンディングワイヤであって、前記表皮層の表面における長手方向の結晶方位の内& の占める割合が50%以上であることを特徴とする半導体装置用ボンディングワイヤである。

Abstract translation: 一种高功能接合线，能够减轻对颈部的损伤，环路线性优异，环高的稳定性和接合线的接合形状的稳定性，并且适用于半导体安装技术，例如 环路的降低，电线的变薄，间距的变窄以及立体安装。 用于半导体器件的接合线包括由导电金属制成的芯和主要成分是具有面心立方晶体结构并且与芯的金属不同并且形成在芯上的金属的表皮层。 接合线的特征在于，表层的表​​面中的长度方向上的所有晶体取向的取向的比例为50％以上。

公开(公告)号：WO2009072498A1

公开(公告)日：2009-06-11

申请号：PCT/JP2008/071899

申请日：2008-12-02

Applicant: 新日鉄マテリアルズ株式会社 ,  株式会社日鉄マイクロメタル ,  宇野 智裕 ,  木村 圭一 ,  山田 隆

Inventor： 宇野 智裕 ,  木村 圭一 ,  山田 隆

IPC: H01L21/60 ,  C22C5/02 ,  C22C5/04 ,  C22C5/06 ,  C22C9/00

CPC classification number: C22C5/04 ,  B23K35/0222 ,  B23K35/30 ,  B23K35/3006 ,  B23K35/3013 ,  B23K35/302 ,  C22C5/02 ,  C22C5/06 ,  C22C9/00 ,  H01L24/43 ,  H01L24/45 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/4312 ,  H01L2224/4321 ,  H01L2224/43848 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/45164 ,  H01L2224/45565 ,  H01L2224/45572 ,  H01L2224/45639 ,  H01L2224/45644 ,  H01L2224/45664 ,  H01L2224/45669 ,  H01L2224/45673 ,  H01L2224/45676 ,  H01L2224/48011 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/4851 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/48639 ,  H01L2224/48644 ,  H01L2224/48839 ,  H01L2224/48844 ,  H01L2224/78301 ,  H01L2224/85045 ,  H01L2224/85065 ,  H01L2224/85075 ,  H01L2224/851 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/85207 ,  H01L2224/85439 ,  H01L2224/85444 ,  H01L2224/859 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/01203 ,  H01L2924/01204 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/20751 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/20753 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/3861 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/20652 ,  H01L2924/20656 ,  H01L2924/20754 ,  H01L2924/20755 ,  H01L2924/20105 ,  H01L2924/20106 ,  H01L2924/20107 ,  H01L2924/20108 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01202 ,  H01L2224/45655 ,  H01L2224/45657 ,  H01L2224/45671 ,  H01L2224/45666 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2924/01001 ,  H01L2924/20658 ,  H01L2924/20654 ,  H01L2224/48824 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/2075 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01006

Abstract: 本発明は、ワイヤの表面性状、ループの直線性、ループ高さの安定性、ワイヤの接合形状の安定化に優れている、細線化、狭ピッチ化、ロングスパン化、三次元実装等の半導体実装技術にも適応する、高機能のボンディングワイヤを提供することを目的とする。 導電性金属からなる芯材と、該芯材の上に芯材とは異なる面心立方晶の金属を主成分とする表皮層を有する半導体装置用ボンディングワイヤであって、前記表皮層の表面における長手方向の結晶方位のうち& の占める割合が50%以上であることを特徴とする半導体装置用ボンディングワイヤである。

Abstract translation: 一种线材表面性能优异，环路线性度高，线圈高度稳定性好，接线形状稳定性好的高功能接合线，适用于半导体安装技术，例如线材变薄 ，缩小间距，延长跨度和三维安装。 用于半导体器件的接合线包括由导电金属制成的芯和主要成分是具有面心立方晶体结构并且与芯的金属不同并且形成在芯上的金属的表皮层。 接合线的特征在于，表层的表​​面中的长度方向上的所有晶体取向的取向的比例为50％以上。

公开(公告)号：WO2007021639A3

公开(公告)日：2009-04-30

申请号：PCT/US2006030703

申请日：2006-08-07

Applicant: ZIPTRONIX INC ,  ENQUIST PAUL M ,  FOUNTAIN GAIUS GILLMAN JR ,  TONG QIN-YI

Inventor： ENQUIST PAUL M ,  FOUNTAIN GAIUS GILLMAN JR ,  TONG QIN-YI

IPC: H01L21/4763

CPC classification number: H01L21/76838 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L24/02 ,  H01L24/81 ,  H01L24/94 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L27/0688 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/81121 ,  H01L2224/81201 ,  H01L2224/8123 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/81894 ,  H01L2224/81931 ,  H01L2224/83894 ,  H01L2224/9202 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/01002 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01055 ,  H01L2924/01059 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2224/81

Abstract: A method of three-dimensionally integrating elements such as singulated die or wafers and an integrated structure having connected elements such as singulated dies or wafers. Either or both of the die and wafer may have semiconductor devices formed therein. A first element having a first contact structure is bonded to a second element having a second contact structure. First and second contact structures can be exposed at bonding and electrically interconnected as a result of the bonding. A via may be etched and filled after bonding to expose and form an electrical interconnect to interconnected first and second contact structures and provide electrical access to this interconnect from a surface. Alternatively, first and/or second contact structures are not exposed at bonding, and a via is etched and filled after bonding to electrically interconnect first and second contact structures and provide electrical access to interconnected first and second contact structure to a surface. Also, a device may be formed in a first substrate, the device being disposed in a device region of the first substrate and having a first contact structure. A via may be etched, or etched and filled, through the device region and into the first substrate before bonding and the first substrate thinned to expose the via, or filled via after bonding.

Abstract translation: 三维集成元件如单模或晶片的方法以及具有连接元件如单个模具或晶片的集成结构。 芯片和晶片中的任一个或两者可以具有形成在其中的半导体器件。 具有第一接触结构的第一元件被结合到具有第二接触结构的第二元件。 第一和第二接触结构可以在结合时暴露，并且由于接合而电连接。 可以在接合之后蚀刻和填充通孔，以暴露并形成互连的第一和第二接触结构的电互连，并提供从表面到该互连的电接入。 或者，第一接触结构和/或第二接触结构在接合时不暴露，并且在接合之后蚀刻并填充通孔以电互连第一和第二接触结构，并提供对互连的第一和第二接触结构到表面的电接触。 此外，器件可以形成在第一衬底中，该器件设置在第一衬底的器件区域中并且具有第一接触结构。 通孔可以在结合之前被蚀刻或蚀刻和填充穿过器件区域并进入第一衬底，并且第一衬底被稀释以暴露通孔，或者在结合之后填充通孔。