公开(公告)号：WO2008121173A3

公开(公告)日：2009-02-26

申请号：PCT/US2008000686

申请日：2008-01-18

Applicant: JORDAN ERIC ,  CETEGEN BAKI M ,  HADIDI KAMAL ,  WOSKOV PAUL

Inventor： JORDAN ERIC ,  CETEGEN BAKI M ,  HADIDI KAMAL ,  WOSKOV PAUL

IPC: C23C16/50

CPC classification number: C23C16/511 ,  C23C4/134 ,  C23C16/513 ,  H05H1/30

Abstract: A microwave plasma apparatus for processing a material includes a plasma chamber, a microwave radiation source, and a waveguide guiding microwave radiation from the microwave radiation source to the plasma chamber. A process gas flows through the plasma chamber and the microwave radiation couples to the process gas to produce a plasma jet. A process material is introduced to the plasma chamber, becomes entrained in the plasma jet, and is thereby transformed to a stream of product material droplets or particles. The product material droplets or particles are substantially more uniform in size, velocity, temperature, and melt state than are droplets or particles produced by prior devices.

Abstract translation: 用于处理材料的微波等离子体装置包括等离子体室，微波辐射源和引导从微波辐射源到等离子体室的微波辐射的波导。 工艺气体流过等离子体室，并且微波辐射耦合到工艺气体以产生等离子体射流。 将工艺材料引入到等离子体室中，夹带在等离子体射流中，从而转化为产物物料液滴或颗粒物流。 产品材料液滴或颗粒在尺寸，速度，温度和熔融状态方面比由现有装置产生的液滴或颗粒大致更均匀。

公开(公告)号：WO2008149918A1

公开(公告)日：2008-12-11

申请号：PCT/JP2008/060333

申请日：2008-06-05

Applicant: 東洋製罐株式会社 ,  伊藤 卓郎 ,  森 拓己 ,  中尾 浩 ,  山崎 和彦

Inventor： 伊藤 卓郎 ,  森 拓己 ,  中尾 浩 ,  山崎 和彦

IPC: B65D23/02 ,  B65D1/00 ,  B65D65/42 ,  B65D65/46 ,  C23C16/50

CPC classification number: C23C16/045 ,  B65D23/0814 ,  C23C16/26 ,  Y02W90/12 ,  Y02W90/13 ,  Y10T428/13 ,  Y10T428/1303 ,  Y10T428/1352 ,  Y10T428/1359 ,  Y10T428/139

Abstract: 【課題】器壁の内面に蒸着膜が形成されているポリ乳酸ボトルにおいて、成膜時のボトルの熱変形が有効に防止され、且つ酸素と水分に対するバリア性に優れたボトルを提供する。 【解決手段】器壁が生分解性樹脂からなり、器壁の内面にプラズマＣＶＤ法によって形成された蒸着膜が形成されている生分解性樹脂ボトルにおいて、前記蒸着膜は、ＦＴ－ＩＲ測定で、波数３２００～２６００ｃｍ －１ の領域にＣＨ、ＣＨ ２ 及びＣＨ ３ に由来する炭化水素系ピークを示し、これら炭化水素系ピークから算出されるＣＨ、ＣＨ ２ 及びＣＨ ３ の合計当りのＣＨ ２ 比が３５％以下及びＣＨ ３ 比が４０％以上であることを特徴とする。

Abstract translation: 为了提供在瓶壁的内表面上具有气相沉积膜的聚乳酸瓶，在膜沉积期间被有效地防止热变形，并且作为对氧气和水的优异屏障起作用。 解决问题的手段瓶子包括由生物可降解树脂制成的瓶壁和通过等离子体辅助CVD法形成在瓶壁的内表面上的气相沉积膜，其特征在于，蒸镀膜 在FT-IR光谱分析中，波数3,200-2,600cm-1的CH，CH 2和CH 3的烃峰，CH 2和CH 3的比例与CH，CH 2和CH 3之和，其中 由这些烃峰计算，分别为35％以下，40％以上。

公开(公告)号：WO2008099061A1

公开(公告)日：2008-08-21

申请号：PCT/FI2008/050059

申请日：2008-02-13

Applicant: NIEMINEN, Olavi

Inventor： NIEMINEN, Olavi

IPC: G02B1/10 ,  G02B1/11 ,  B29D11/00 ,  B05D7/26 ,  C23C16/50 ,  B05D1/02

CPC classification number: G02B1/118 ,  B29D11/00865 ,  C23C16/0245 ,  C23C16/40 ,  C23C16/515 ,  G02B1/12 ,  G02B5/208

Abstract: A method for coating an optical product made of a viscous material, the method employing an integrated automated apparatus for manufacturing a surface composite which is hard, scratch-free and comprises an antireflection function. In the method at least one surface of the optical product (52) is plasma-etched and a layer (56) comprising the antireflection function is produced using chemical vapor deposition (CVD) method. The method includes manufacturing a hard, scratch-free adhesion layer (53) by piezo spraying varnish onto the plasma-etched surface of the optical product (52); and producing said layer (56) comprising the antireflection function onto the piezo-sprayed layer (53).

Abstract translation: 一种用于涂覆由粘性材料制成的光学产品的方法，该方法采用集成的自动化装置来制造表面复合材料，该表面复合材料是硬的，无刮擦的并且包括抗反射功能。 在该方法中，光学产品（52）的至少一个表面被等离子体蚀刻，并且使用化学气相沉积（CVD）方法产生包含抗反射功能的层（56）。 该方法包括通过压电喷涂将硬质，无刮擦的粘合层（53）制造到光学产品（52）的等离子体蚀刻表面上; 以及将包含所述抗反射功能的所述层（56）制成到所述压电喷涂层（53）上。

公开(公告)号：WO2008096616A1

公开(公告)日：2008-08-14

申请号：PCT/JP2008/051061

申请日：2008-01-25

Applicant: コニカミノルタホールディングス株式会社 ,  福田 和浩

Inventor： 福田 和浩

IPC: B32B9/00 ,  C23C16/42 ,  C23C16/50

CPC classification number: C23C16/30 ,  Y10T428/24992

Abstract: 　本発明は、過酷な環境下で保存されても密着性に優れ、更に激しい衝撃を受けても劣化することなく、かつ良好なガスバリア耐性を備えた透明ガスバリア性フィルムとその製造方法を提供する。この透明ガスバリア性フィルムは、樹脂基材上に、隣接する２層間の炭素原子数濃度差が２．０原子数％以上、１０原子数％以下で、かつそれぞれの層の厚みが１ｎｍ以上、１０ｎｍ以下である条件を満たす少なくとも２層の構成層を有することを特徴とする。

Abstract translation: 公开了具有良好阻气性的透明阻气膜，即使在恶劣的环境条件下保存后也显示优异的粘合性，即使施加大的冲击也不会劣化。 还公开了制造这种透明阻气膜的方法。 透明阻气膜的特征在于在树脂基材上具有至少两个满足两个相邻层之间的碳原子数浓度差不小于2.0原子数但不大于10的条件的组成层 ％原子数，每层的厚度不小于1nm但不大于10nm。

公开(公告)号：WO2008055017A3

公开(公告)日：2008-07-31

申请号：PCT/US2007081991

申请日：2007-10-19

Applicant: ASM INC ,  ELERS KAI-ERIK

Inventor： ELERS KAI-ERIK

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/50

CPC classification number: C23C16/45525 ,  C23C16/4554 ,  C23C16/50 ,  H01L21/28088 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517

Abstract: Metallic-compound films are formed by plasma-enhanced atomic layer deposition (PEALD). According to preferred methods, film or thin film composition is controlled by selecting plasma parameters to tune the oxidation state of a metal (or plurality of metals) in the film. In some embodiments, plasma parameters are selected to achieve metal-rich metallic-compound films. The metallic-compound films can be components of gate stacks, such as gate electrodes. Plasma parameters can be selected to achieve a gate stack with a predetermined work function.

Abstract translation: 通过等离子体增强原子层沉积（PEALD）形成金属化合物膜。 根据优选的方法，通过选择等离子体参数来调节膜中金属（或多种金属）的氧化态来控制膜或薄膜组合物。 在一些实施例中，选择等离子体参数以实现富金属的金属化合物膜。 金属化合物膜可以是栅极堆叠的组分，例如栅电极。 可以选择等离子体参数以实现具有预定功函数的栅极堆叠。

公开(公告)号：WO2008075637A1

公开(公告)日：2008-06-26

申请号：PCT/JP2007/074213

申请日：2007-12-17

Applicant: 日本ゼオン株式会社 ,  杉本 達也 ,  中村 昌洋

Inventor： 杉本 達也 ,  中村 昌洋

IPC: H01L21/3065 ,  C08F2/52 ,  C08F36/04 ,  C23C16/50 ,  C07C23/08

CPC classification number: C07C23/08 ,  C23C16/26 ,  H01L21/0212 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/3127

Abstract: 　本発明は、パーフルオロ－(３－メチレンシクロペンテン)を含有してなるプラズマ反応 用ガス、前記プラズマ反応用ガスを処理容器内に供給し、該容器内で被エッチング基体をドライエッチングする工程を有するドライエッチング方法、及び、前記プラズマ反応用ガスを処理容器内に供給し、該容器内で被処理物の表面にＣＶＤ法によりフルオロカーボン膜を成膜する工程を有する成膜方法である。本発明のプラズマ反応用ガスによれば、マスクであるレジストの膜厚が薄い場合においても、半導体材料に対し高選択性を発現し、かつ形状の良好な矩形を有する微細なパターンをエッチング可能である。また、高密度プラズマ下においてもエッチング速度と選択性においてバランスの取れたエッチングが可能である。さらに、加熱処理を施しても応力緩和の小さいフルオロカーボン膜を成膜可能である。

Abstract translation: 公开了一种含有全氟（3-亚甲基环戊烯）的等离子体反应气体。 还公开了一种干蚀刻方法，其具有通过将用于等离子体反应的气体供应到腔室中而在处理室内对要蚀刻的物体进行干蚀刻的步骤。 进一步公开的是通过在室内将等离子体反应气体供给到处理室内的待处理物体的表面上的CVD形成氟碳膜的方法。 用于等离子体反应的气体对于半导体材料表现出高选择性，并且即使当作为掩模的抗蚀剂薄时，也能够形成具有良好矩形形状的更细的图案。 用于等离子体反应的气体使得即使使用高密度等离子体也能够进行蚀刻速率和选择性之间的良好平衡的蚀刻。 此外，即使在热处理之后，用于等离子体反应的气体也能够形成具有低应力松弛的碳氟化合物膜。

公开(公告)号：WO2008051851A1

公开(公告)日：2008-05-02

申请号：PCT/US2007/081960

申请日：2007-10-19

Applicant: ASM AMERICA, INC. ,  ELERS, Kai-erik ,  EILK, Glen ,  MARCUS, Steven

Inventor： ELERS, Kai-erik ,  EILK, Glen ,  MARCUS, Steven

IPC: C23C16/08 ,  C23C16/32 ,  C23C16/50 ,  C23C16/455

CPC classification number: C23C16/32 ,  C23C16/45527 ,  C23C16/45542 ,  C23C16/515

Abstract: Methods of forming a metal carbide film are provided. In some embodiments, methods for forming a metal carbide film in an atomic layer deposition (ALD) type process comprise alternately and sequentially contacting a substrate in a reaction space with vapor phase pulses of a metal compound 102 and one or more plasma-excited species of a carbon-containing compound 106. In other embodiments, methods of forming a metal carbide film in a chemical vapor deposition (CVD) type process comprise simultaneously contacting a substrate in a reaction space with a metal compound 102 and one or more plasma-excited species of a carbon-containing compound 106. The substrate is further exposed to a reducing agent 103. The reducing agent removes impurities, including halogen atoms and/or oxygen atoms.

Abstract translation: 提供了形成金属碳化物膜的方法。 在一些实施例中，用于在原子层沉积（ALD）型工艺中形成金属碳化物膜的方法包括交替地和顺序地将反应空间中的衬底与金属化合物102的气相脉冲和一种或多种等离子体激发的 在其它实施方案中，在化学气相沉积（CVD）型方法中形成金属碳化物膜的方法包括同时使反应空间中的底物与金属化合物102和一种或多种等离子体激发的物质 的底物进一步暴露于还原剂103.还原剂除去杂质，包括卤原子和/或氧原子。

公开(公告)号：WO2007146537A2

公开(公告)日：2007-12-21

申请号：PCT/US2007/069091

申请日：2007-05-17

Applicant: MICRON TECHNOLOGY, INC. ,  RUEGER, Neal ,  SMYTHE, John

Inventor： RUEGER, Neal ,  SMYTHE, John

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/50 ,  C23C16/52

CPC classification number: C23C16/45525 ,  C23C16/45536

Abstract: Disclosed is a method of forming a layer of material using an atomic layer deposition (ALD) process in a process chamber of a process tool. In one illustrative embodiment, the method includes identifying a target characteristic for the layer of material, determining a precursor pulse time for introducing a precursor gas into the process chamber during the ALD process to produce the target characteristic in the layer of material, and performing the ALD process that comprises a plurality of steps wherein the precursor gas is introduced into the chamber for the determined precursor pulse time to thereby form the layer of material.

Abstract translation: 公开了一种在处理工具的处理室中使用原子层沉积（ALD）工艺形成材料层的方法。 在一个说明性实施例中，该方法包括识别材料层的目标特性，确定用于在ALD过程期间将前体气体引入处理室的前体脉冲时间，以在材料层中产生目标特性，并执行 ALD方法，其包括多个步骤，其中将前体气体引入到室中用于所确定的前体脉冲时间，从而形成材料层。

公开(公告)号：WO2006065740A3

公开(公告)日：2007-03-22

申请号：PCT/US2005044909

申请日：2005-12-12

Applicant: APPLIED MATERIALS INC ,  LIANG QIWEI ,  LU SIQING

Inventor： LIANG QIWEI ,  LU SIQING

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/00 ,  C23C16/50 ,  C23C16/505 ,  H01L21/3065

CPC classification number: C23C16/45563 ,  C23C16/507 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449

Abstract: A gas distributor (400) for use in a semiconductor processing chamberl 17 is provided. The gas distributor comprises a gas inlet (420 a gas outlet (516), and a stem section (402) having a spiral thread (404). The gas distributor further comprises a body (414) having a gas deflecting surface (410) that extends radially outward away from the stem section and a lower face disposed on the opposite side of the body from the gas deflecting surface, a lateral seat (406) disposed between the spiral thread and the gas deflecting surface, an a gas passageway (512) that extends from the gas inlet through the stem section and body to the gas outlet. In a specific embodiment, the lateral seat is adapted to hold a sealing member (822).

Abstract translation: 提供了用于半导体处理室17的气体分配器（400）。 气体分配器包括气体入口（420a，气体出口）和具有螺旋螺纹（404）的杆部分（402），气体分配器还包括具有气体偏转表面（410）的主体（414） 从所述杆部分径向向外延伸，以及设置在所述主体的与所述气体偏转表面相反的一侧的下表面，设置在所述螺旋线和所述气体偏转表面之间的侧部座（406），气体通道（512） 从气体入口通过杆部分和主体延伸到气体出口。在一个具体实施例中，侧向座适于保持密封构件（822）。

公开(公告)号：WO2006031452A3

公开(公告)日：2007-03-01

申请号：PCT/US2005031105

申请日：2005-08-31

Applicant: LAM RES CORP ,  KIM YUNSANG ,  KUTHI ANDRAS

Inventor： KIM YUNSANG ,  KUTHI ANDRAS

IPC: C23C16/50 ,  C23C16/452 ,  C23C16/503 ,  C23C16/505 ,  C23C16/509 ,  C23C16/52 ,  C23F1/00 ,  H01L21/306

CPC classification number: H01L21/02071 ,  H01L21/02046 ,  H01L21/31116 ,  H05H1/2406 ,  H05H2001/2412 ,  H05H2001/2437

Abstract: An apparatus for cleaning a substrate in a reactive ion etch process is disclosed. The apparatus is configured to produce an atmospheric plasma using a RF generation device. The apparatus includes a plasma forming chamber including a cavity defined by a set of interior chamber walls comprised of a dielectric material. The apparatus also includes an atmospheric plasma generated by the RF generation device, the atmospheric plasma protruding from a first end of the cavity to clean the substrate.

Abstract translation: 公开了一种用于在反应离子蚀刻工艺中清洁衬底的设备。 该装置被配置为使用RF产生装置产生大气等离子体。 该装置包括等离子体形成室，其包括由一组由电介质材料组成的内部室壁限定的空腔。 该装置还包括由RF产生装置产生的大气等离子体，大气等离子体从空腔的第一端突出以清洁衬底。