公开(公告)号：WO2012039982A2

公开(公告)日：2012-03-29

申请号：PCT/US2011/051226

申请日：2011-09-12

Applicant: APPLIED MATERIALS, INC. ,  MALLICK, Abhijit Basu ,  INGLE, Nitin, K.

Inventor： MALLICK, Abhijit Basu ,  INGLE, Nitin, K.

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/764 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02208 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/7682 ,  H01L21/76837 ,  H01L2221/1047

Abstract: A method of forming air gaps between adjacent raised features on a substrate includes forming a carbon-containing material in a bottom region between the adjacent raised features using a flowable deposition process. The method also includes forming a silicon-containing film over the carbon-containing material using a flowable deposition process, where the silicon-containing film fills an upper region between the adjacent raised features and extends over the adjacent raised features. The method also includes curing the carbon-containing material and the silicon-containing material at an elevated temperature for a period of time to form the air gaps between the adjacent raised features.

Abstract translation: 在衬底上的相邻凸起特征之间形成气隙的方法包括使用可流动沉积工艺在相邻凸起特征之间的底部区域中形成含碳材料。 该方法还包括使用可流动沉积工艺在含碳材料上形成含硅膜，其中含硅膜填充相邻凸起特征之间的上部区域并在相邻凸起特征上延伸。 该方法还包括在升高的温度下固化含碳材料和含硅材料一段时间以在相邻的凸起特征之间形成气隙。

公开(公告)号：WO2011158319A1

公开(公告)日：2011-12-22

申请号：PCT/JP2010/060050

申请日：2010-06-14

Applicant: ルネサスエレクトロニクス株式会社 ,  川村 武志

Inventor： 川村　武志

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L23/535 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/022 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/28568 ,  H01L21/31055 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76852 ,  H01L21/76885 ,  H01L21/76889 ,  H01L21/76895 ,  H01L21/76897 ,  H01L21/823475 ,  H01L22/26 ,  H01L23/481 ,  H01L23/485 ,  H01L23/5283 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53266 ,  H01L23/53295 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/7833 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 　半導体基板（１Ｓ）上に層間絶縁膜（ＰＩＬ）を形成し、層間絶縁膜（ＰＩＬ）中にプラグ（ＰＬ１）を形成するためのＣＭＰが終わった後、層間絶縁膜（ＰＩＬ）の上面を後退させることで、プラグ（ＰＬ１）の上面が層間絶縁膜（ＰＩＬ）の上面よりも高くなるようにする。これにより、プラグ（ＰＬ１）と配線（Ｗ１）との鉛直方向の接続の信頼性を確保することができる。また、配線（Ｗ１）が層間絶縁膜（ＰＩＬ）中に掘り込まれないようにすることや、あるいは、掘り込まれて形成される量を低減することが可能となる。

Abstract translation: 公开了半导体器件的制造方法，其中在半导体衬底（1S）上形成层间绝缘膜（PIL），并且在对层间绝缘膜（PIL）中形成插塞（PL1）进行CMP之后，上部 通过缩回层间绝缘膜（PIL）的上表面，将插头（PL1）的表面形成为高于层间绝缘膜（PIL）的上表面。 因此，可以确保插头（PL1）和布线（W1）之间的连接的可靠性，所述连接在垂直方向。 此外，可以防止布线（W1）嵌入到层间绝缘膜（PIL）中，或者可以减少嵌入在层间绝缘膜中形成的布线的量。

公开(公告)号：WO2011147670A1

公开(公告)日：2011-12-01

申请号：PCT/EP2011/057409

申请日：2011-05-09

Applicant: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION ,  IBM UNITED KINGDOM LIMITED ,  LIN, Qinghuang ,  GOLDFARB, Dario, Leonardo ,  KWONG, Ranee, Wai-Ling ,  NEUMAYER, Deborah, Ann ,  SHOBHA, Hosadurga

Inventor： LIN, Qinghuang ,  GOLDFARB, Dario, Leonardo ,  KWONG, Ranee, Wai-Ling ,  NEUMAYER, Deborah, Ann ,  SHOBHA, Hosadurga

IPC: H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76802 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/76808 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76835 ,  H01L23/53223 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53266 ,  H01L23/53271 ,  H01L23/53276 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/00

Abstract: An interconnect structure is provided that includes at least one patterned and cured photo- patternable low k material located on a surface of a patterned and cured oxygen-doped SiC antireflective coating (ARC). A conductively filled region is located within the at least one patterned and cured photo-patternable low k material and the patterned and cured oxygen- doped SiC ARC. The oxygen-doped SiC ARC, which is a thin layer (i.e., less than 400 angstroms), does not produce standing waves that may degrade the diffusion barrier and the electrically conductive feature that are embedded within the patterned and cured photo- patternable low k dielectric material and, as such, structural integrity is maintained. Furthermore, since a thin oxygen-doped SiC ARC is employed, the plasma etch process time used to open the material stack of the ARC/dielectric cap can be reduced, thus reducing potential plasma damage to the patterned and cured photo-patternable low k material. Also, the oxygen-doped SiC ARC can withstand current BEOL processing conditions.

Abstract translation: 提供了一种互连结构，其包括位于图案化和固化的氧掺杂的SiC抗反射涂层（ARC）的表面上的至少一个图案化和固化的光可图案化的低k材料。 导电填充区域位于至少一个图案化和固化的可光致图案化低k材料和图案化和固化的氧掺杂SiC ARC内。 作为薄层（即，小于400埃）的氧掺杂SiC ARC不产生可能降解扩散阻挡层和嵌入图案化和固化的可光图案化低k内的导电特征的驻波 介电材料，因此，维持结构完整性。 此外，由于采用薄氧掺杂SiC ARC，因此可以减少用于打开ARC /电介质盖的材料堆叠的等离子体蚀刻工艺时间，从而减少图案化和固化的可光图案化低k材料的潜在等离子体损伤 。 此外，氧掺杂的SiC ARC可以承受当前的BEOL加工条件。

公开(公告)号：WO2011111498A1

公开(公告)日：2011-09-15

申请号：PCT/JP2011/053508

申请日：2011-02-18

Applicant: 株式会社日立国際電気 ,  赤江 尚徳 ,  村上 孝太郎 ,  ▲ひろせ▼ 義朗 ,  亀田 賢治

Inventor： 赤江　尚徳 ,  村上　孝太郎 ,  ▲ひろせ▼　義朗 ,  亀田　賢治

IPC: H01L21/316 ,  C23C16/44 ,  H01L21/31

CPC classification number: C23C16/4405 ,  C23C16/30 ,  C23C16/345 ,  C23C16/347 ,  C23C16/402 ,  C23C16/45531 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/0228 ,  Y10S438/905

Abstract: 　基板を収容した処理容器内に処理ガスを供給して基板上にシリコン酸化膜とは異なる薄膜を形成する工程と、薄膜を形成する工程を所定回数実施した後、処理容器内にフッ素含有ガスを供給して処理容器内に付着した薄膜を含む堆積物を除去する工程と、堆積物除去後の加熱された大気圧未満の圧力下にある処理容器内にシリコン含有ガスと、酸素含有ガスおよび水素含有ガスと、を交互に供給することで、処理容器内に所定膜厚のシリコン酸化膜を形成する工程と、を有する。

Abstract translation: 本发明公开了一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：通过将处理气体供给到容纳所述基板的处理容器的内部，在基板上形成与氧化硅膜不同的薄膜的工序; 一旦除去附着在处理容器内部的薄膜的沉积物的步骤，则一旦形成薄膜的步骤已经进行了预定数量的处理，则通过向处理容器的内部供给含氟气体来进行除去 倍; 以及通过交替地将含硅气体和含氧气体和含氢气体交替地供给到处理容器内部，在处理容器内部形成具有预定膜厚度的氧化硅膜的步骤 其在去除沉积物之后被加热并且处于小于大气压的压力。

公开(公告)号：WO2010140529A1

公开(公告)日：2010-12-09

申请号：PCT/JP2010/058984

申请日：2010-05-27

Applicant: 東京エレクトロン株式会社 ,  康 松潤

Inventor： 康　松潤

IPC: H01L21/316 ,  C23C16/42

CPC classification number: C23C16/402 ,  C23C16/045 ,  C23C16/401 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02274

Abstract: 　ＣＶＤ法により基板上にシリコン酸化膜を成膜するにあたり、カルボニル基を有するシロキサン系化合物からなり、エネルギーが与えられることにより分解してＣＯが脱離し、化学構造上ダングリングボンドが存在しない生成物が生成され、その生成物が成膜に寄与するシリコン酸化膜用成膜原料を用いる。これにより、良好なステップカバレッジでシリコン酸化膜が成膜される。

Abstract translation: 公开了通过CVD法在基板上形成氧化硅膜的原料，其包含具有羰基的硅氧烷化合物，其中通过施加能量分解材料，从而释放CO并产生不具有悬挂键的产物 在化学结构中，产品有助于膜的形成。 结果，形成了具有有利的台阶覆盖层的氧化硅膜。

公开(公告)号：WO2010113375A1

公开(公告)日：2010-10-07

申请号：PCT/JP2010/000541

申请日：2010-01-29

Applicant: パナソニック株式会社 ,  野村晃太郎

Inventor： 野村晃太郎

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/314 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L23/53238 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76835 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 　半導体装置は、基板の上に形成され、第１の配線２を有する第１の絶縁膜１と、第１の絶縁膜１及び第１の配線２の上に形成された第２の絶縁膜３と、第２の絶縁膜３の上に形成された第３の絶縁膜４とを備えている。第２の絶縁膜３は、空孔を含んでいる。

Abstract translation: 半导体器件具有：第一绝缘膜（1），其形成在基板上并具有第一布线（2）; 形成在第一绝缘膜（1）和第一布线（2）上的第二绝缘膜（3）; 和形成在第二绝缘膜（3）上的第三绝缘膜（4）。 第二绝缘膜（3）包括孔。

公开(公告)号：WO2010067395A1

公开(公告)日：2010-06-17

申请号：PCT/JP2008/003642

申请日：2008-12-08

Applicant: 富士通株式会社 ,  小林靖志 ,  中田義弘 ,  美濃浦優一

Inventor： 小林靖志 ,  中田義弘 ,  美濃浦優一

IPC: H01L21/312

CPC classification number: H01L21/3105 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76829

Abstract: 　シロキサン結合を有する絶縁膜を、エネルギー線又はプラズマに曝す第１の工程と、水素、炭素、窒素、及びシリコンからなる群から選ばれる少なくても一つの元素を構成元素として含むガス（但し、Ｎ ２ 及びＨ ２ Ｏガスを除く）に前記絶縁膜を曝露する第２の工程とを備え、前記第２の工程において、前記絶縁膜に対する前記ガスの暴露によって前記絶縁膜の比誘電率が下降した後、前記絶縁膜の比誘電率が最初に上昇する時点よりも前に、前記曝露を終了すること。

Abstract translation: 一种制造半导体器件的方法具有：将具有硅氧烷键的绝缘膜暴露于能量线或等离子体的第一步骤，以及将绝缘膜暴露于含有选自以下的至少一种元素的气体的第二步骤： 作为构成元素（不包括N 2和H 2 O气体）的氢，碳，氮和硅组成的组。 在第二步骤中，在绝缘膜暴露于气体之后绝缘膜的介电常数降低之后，在绝缘膜的介电常数先增加的时间之前，曝光结束。

公开(公告)号：WO2010039363A2

公开(公告)日：2010-04-08

申请号：PCT/US2009/055073

申请日：2009-08-26

Applicant: APPLIED MATERIALS, INC. ,  MALLICK, Abhijit, Basu ,  NEMANI, Srinivas, D.

Inventor： MALLICK, Abhijit, Basu ,  NEMANI, Srinivas, D.

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L21/3148 ,  C23C16/325 ,  C23C16/347 ,  C23C16/401 ,  C23C16/505 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02219 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/31633 ,  H01L21/3185

Abstract: A method for depositing a silicon nitride based dielectric layer is provided. The method includes introducing a silicon precursor and a radical nitrogen precursor to a deposition chamber. The silicon precursor has a N-Si-H bond, N-Si-Si bond and/or Si-Si-H bond. The radical nitrogen precursor is substantially free from included oxygen. The radical nitrogen precursor is generated outside the deposition chamber. The silicon precursor and the radical nitrogen precursor interact to form the silicon nitride based dielectric layer.

Abstract translation: 提供了一种用于沉积氮化硅基电介质层的方法。 该方法包括将硅前体和自由基氮前体引入沉积室。 硅前体具有N-Si-H键，N-Si-Si键和/或Si-Si-H键。 自由基氮前体基本不含氧。 自由基氮前体在沉积室外部产生。 硅前体和自由基氮前体相互作用形成氮化硅基电介质层。

公开(公告)号：WO2009150021A2

公开(公告)日：2009-12-17

申请号：PCT/EP2009056160

申请日：2009-05-20

Applicant: BASF SE ,  KLIPP ANDREAS ,  WAGNER NORBERT ,  ZAGAR CYRILL ,  FECHTENKOETTER ANDREAS ,  PENG CHIH-CHENG ,  SHIH CHIEN HSUEH STEVE ,  SUJANDI SUJANDI

Inventor： KLIPP ANDREAS ,  WAGNER NORBERT ,  ZAGAR CYRILL ,  FECHTENKOETTER ANDREAS ,  PENG CHIH-CHENG ,  SHIH CHIEN HSUEH STEVE ,  SUJANDI SUJANDI

IPC: C08G77/06 ,  C08J9/00 ,  C08J9/232

CPC classification number: C08G77/06 ,  B01D53/228 ,  B01D71/70 ,  C08J9/28 ,  C08J2383/04 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02343 ,  H01L21/02348 ,  H01L21/3121

Abstract: The present invention concerns a method of making a porous material comprising the following steps in the order a-b-c-d: (a) reacting at least one organosilane (A) with water in the presence of a solvent (C) to form a polymeric material, (b) subjecting said polymeric material to a first heat treatment, (c) bringing said polymeric material into contact with at least one dehydroxylation agent (D), (d) subjecting said polymeric material to electromagnetic radiation and/or to a further heat treatment. The present invention furthermore concerns the porous material obtainable by the inventive method, semiconductor devices and electronic components comprising said porous material, and the use of said material for electrical insulation and in microelectronic devices, membranes, displays and sensors.

Abstract translation: 本发明涉及制备多孔材料的方法，其顺序包括以下步骤：（a）在溶剂（C）存在下使至少一种有机硅烷（A）与水反应形成聚合物材料，（b ）使所述聚合材料经受第一热处理，（c）使所述聚合材料与至少一种脱羟基化剂（D）接触，（d）使所述聚合材料经受电磁辐射和/或进一步热处理。 本发明还涉及通过本发明方法可获得的多孔材料，包括所述多孔材料的半导体器件和电子部件以及所述用于电绝缘的材料以及在微电子器件，膜，显示器和传感器中的用途。

公开(公告)号：WO2009119365A1

公开(公告)日：2009-10-01

申请号：PCT/JP2009/055034

申请日：2009-03-16

Applicant: 東京エレクトロン株式会社 ,  中尾 賢 ,  原田 宗生

Inventor： 中尾 賢 ,  原田 宗生

IPC: H01L21/312 ,  C23C14/12 ,  H01L21/31

CPC classification number: C23C14/12 ,  B05D1/60 ,  B05D3/0473 ,  B05D3/0493 ,  C23C14/243 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02312 ,  H01L21/312

Abstract: 　成膜容器の壁面に沿って設けられた外部ヒータによって、前記成膜容器の前記壁面を有機膜の形成に供する原料モノマーの蒸発温度以上に加熱し、前記外部ヒータと離隔し、基板を搭載した基板支持容器に近接して配置された内部ヒータによって、前記基板を前記原料モノマーの熱重合反応温度に加熱し、前記成膜容器内に前記原料モノマーを供給し、前記基板上での熱重合を通じて前記有機膜を形成する。

Abstract translation: 使用沿着成膜容器的壁布置的外部加热器将成膜容器的壁加热至或高于用于形成有机膜的原料单体的蒸发温度。 将安装在基板支撑容器上的基板加热至原料单体的热聚合温度，其中内部加热器与外部加热器隔开并靠近基板支撑容器。 将原料单体进料到成膜容器中，通过在基材上发生的热聚合形成有机膜。