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    管型反応容器および該反応容器を用いたシリコンの製造方法
    2.
    发明申请
    管型反応容器および該反応容器を用いたシリコンの製造方法 审中-公开
    管状反应容器及其制造方法

    公开(公告)号：WO2005016820A1

    公开(公告)日：2005-02-24

    申请号：PCT/JP2004/011542

    申请日：2004-08-11

    Applicant: 株式会社トクヤマ ,  若松 智 ,  杉村 繁樹 ,  中村 靖夫 ,  辻尾 賢一

    Inventor： 若松 智 ,  杉村 繁樹 ,  中村 靖夫 ,  辻尾 賢一

    IPC: C01B33/02

    CPC classification number: B01F3/02 ,  B01F5/0618 ,  B01F5/0646 ,  B01F5/0647 ,  B01F5/065 ,  B01F5/0655 ,  B01F2005/0625 ,  B01F2005/0636 ,  B01F2005/0637 ,  B01J19/0053 ,  B01J19/2415 ,  B01J19/2425 ,  B01J19/244 ,  B01J2219/00015 ,  C01B33/02 ,  C01B33/03 ,  Y10T117/10 ,  Y10T117/1028

    Abstract: 　反応容器の構成部材に過剰な温度負荷をかけることなく、生成したシリコンをスムーズに落下回収し、また、工業的に大規模な製造設備にスケールアップしてもシリコン析出用原料ガスを効率よく反応させ、かつシリコン微粉やシラン類オリゴマー成分の発生も抑制し、長期間にわたって工業的にシリコンの製造が可能な反応容器を提供する。 　上下方向に延在する壁により囲まれた空間を形成した管型反応容器であり、上部にシリコン析出用原料ガス流入口と、下端に析出シリコン排出口とを備え、前記管型反応容器の原料ガスと接触する壁面に流通抵抗増加部位が形成されていることを特徴とする管型反応容器。流通抵抗増加部位が、突起、凹部、または傾斜から選ばれる少なくとも1種である。        

    Abstract translation: 避免过度温度负荷的反应容器，能够使形成的硅平滑地下降和回收，即使在扩大到工业上的大尺寸生产设备的情况下，也可确保原料气体对硅沉淀的有效反应，并抑制硅的发生 微粉末和硅烷低聚物组分，从而实现硅的长期工业生产。 特别地，提供了一种具有被垂直延伸的壁围绕的空间的管状反应容器，其特征在于，用于硅沉淀的原料气体的流入口设置在其上部，在其下端设有沉淀硅排出口 并且在与原料气体接触的管状反应容器的壁面上设置流动阻力增加位置。 流动阻力增加位置各自为从突出部，凹部和倾斜中选择的至少一个。

    半導体装置とその製造方法
    3.
    发明申请
    半導体装置とその製造方法 审中-公开
    半导体器件及其制造方法

    公开(公告)号：WO2014125626A1

    公开(公告)日：2014-08-21

    申请号：PCT/JP2013/053724

    申请日：2013-02-15

    Applicant: トヨタ自動車株式会社 ,  妹尾 賢

    Inventor： 妹尾　賢

    IPC: H01L29/06 ,  H01L21/822 ,  H01L27/04 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868

    CPC classification number: H01L29/0623 ,  H01L21/266 ,  H01L21/765 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/402 ,  H01L29/404 ,  H01L29/405 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/861

    Abstract: 　主面表面の絶縁層内の可動イオンを低減するとともに、耐圧を高めた半導体装置を提供する。半導体装置２は、複数のＦＬＲ１４と、絶縁層５と、半導体層３を備える。複数のＦＬＲ１４は、基板８の平面視において、素子が形成されている活性領域を囲んでいる。絶縁層５は、半導体装置２の主面上に設けられており、複数のＦＬＲ１４を覆っている。半導体層３は、絶縁層内に設けられており、ＦＬＲ１４と平行に活性領域を囲んでいる。半導体層３は、リサーフ条件の面密度よりも低い面密度で不純物を含んでいる。さらに、半導体層３は、平面視において、隣接するＦＬＲ１４の間の範囲（リング間範囲Ｒａ）の一部とオーバーラップしており、リング間範囲Ｒａの残部とオーバーラップしていない。

    Abstract translation: 提供一种降低主表面的绝缘层内的可动离子的半导体器件，以及其增加的击穿电压。 半导体器件（2）设置有多个FLR（14），绝缘层（5）和半导体层（3）。 在衬底（8）的平面图中的多个FLR（14）包围由元件形成的有源区域。 绝缘层（5）设置在半导体器件（2）的主表面上并覆盖多个FLR（14）。 半导体层（3）设置在绝缘层内，并与FLR（14）平行地包围有源区域。 半导体层（3）包括密度低于RESURF条件密度的杂质。 此外，平面图中的半导体层（3）与相邻的FLR（14）之间的范围（环间距离（Ra））的重叠部分重叠，并且与环间距离的剩余部分（Ra ）。

    半導体装置
    5.
    发明申请
    半導体装置 审中-公开
    半导体器件

    公开(公告)号：WO2011101955A1

    公开(公告)日：2011-08-25

    申请号：PCT/JP2010/052284

    申请日：2010-02-16

    Applicant: トヨタ自動車株式会社 ,  妹尾 賢

    Inventor： 妹尾　賢

    IPC: H01L29/78 ,  H01L29/739

    CPC classification number: H01L29/407 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/7397

    Abstract: 　本願は、半導体装置の耐圧を低下させることなくゲート容量を低減し、かつ、酸化膜の形成不良があっても主電極間にリーク電流が発生し難くすることを目的とする。　本願の半導体装置は、ゲート電極とダミーゲート電極を有する。ゲート電極は、エミッタ電極から絶縁されており、ドリフト領域とエミッタ領域を分離している範囲のボディ領域に対して絶縁膜を介して対向している。ダミーゲート電極は、エミッタ電極と導通しており、ドリフト領域とボディ領域に絶縁膜を介して接続されている。ダミーゲート電極は、その少なくとも一部に、ドリフト領域と逆導電型の第１導電材領域を有している。ダミーゲート電極においては、第１導電材領域によってエミッタ電極がドリフト領域から分離されている。

    Abstract translation: 本公开最小化门体积而不降低半导体器件的耐压性，并且即使在金属氧化物膜的形成中出现缺陷时也干扰主电极之间的电流泄漏的发生。 半导体器件包括栅电极和虚栅极。 栅电极与发射电极绝缘，并且与分离漂移区域和发射极区域的范围的体区域相对，其间插入绝缘体膜。 虚拟栅电极与发射电极具有连续性，并且连接到横跨绝缘膜的漂移区域和主体区域。 虚拟栅极电极在其至少一部分上还包括与漂移区域反向导电的类型的第一导电构件区域。 在虚拟栅电极中，发射极通过第一导电构件区域与漂移区分离。

    高圧熱処理装置
    7.
    发明申请
    高圧熱処理装置 审中-公开
    高压热处理设备

    公开(公告)号：WO2005006426A1

    公开(公告)日：2005-01-20

    申请号：PCT/JP2004/009844

    申请日：2004-07-09

    Applicant: 東京エレクトロン株式会社 ,  中尾 賢 ,  高橋 伸明

    Inventor： 中尾 賢 ,  高橋 伸明

    IPC: H01L21/31

    CPC classification number: H01L21/67748 ,  C23C16/45557 ,  C23C16/54 ,  H01L21/67201

    Abstract: A high-pressure heat treatment apparatus whose throughput is increased by enabling pressure increasing/decreasing operation and loading/unloading operation of a body to be treated to be made in a load-lock chamber while the body is being heat-treated in a high-pressure treatment chamber always maintained at a high pressure, and enabling the body to be treated having a large diameter to be quickly heat-treated under high pressure. A high-pressure heat treatment apparatus has a high-pressure treatment chamber (10) receiving a sheet of a body (W) to be treated and applying predetermined heat treatment to the body under a high-pressure environment; a transportation chamber (30) connected to the high-pressure treatment chamber (10) through a shield door (20) and maintained at a pressure substantially the same as a pressure in the high-pressure treatment chamber (10); and a load-lock chamber (60) for loading and unloading the body (W) and whose inside pressure can be increased and decreased, one end of which chamber being connected to the transportation chamber (30) through a first gate valve (40), the other end being connected to the atmosphere side through a second gate valve (50). In the transportation chamber (30) is provided a transportation mechanism (35) for transporting the body (W) between the load-lock chamber (60) and the high-pressure treatment chamber (10).

    Abstract translation: 一种高压热处理装置，其通过在身体被高温处理时能够在负载锁定室中进行待处理物体的加压/减少操作和加载/卸载操作来提高生产量， 压力处理室一直保持在高压下，并且能够使具有大直径的主体被处理以在高压下快速热处理。 高压热处理装置具有高压处理室（10），其容纳被处理体（W）的片材，并在高压环境下对身体进行预定的热处理; 通过屏蔽门（20）连接到高压处理室（10）并保持在与高压处理室（10）中的压力基本相同的压力的运送室（30）。 以及用于装载和卸载主体（W）并且其内部压力可以增大和减小的装载锁定室（60），其一端通过第一闸阀（40）连接到运送室（30） ，另一端通过第二闸阀（50）连接到大气侧。 在输送室（30）中设置有用于输送负载锁定室（60）和高压处理室（10）之间的主体（W）的输送机构（35）。

    縦型熱処理装置
    8.
    发明申请
    縦型熱処理装置 审中-公开
    立式热处理设备

    公开(公告)号：WO2003088339A1

    公开(公告)日：2003-10-23

    申请号：PCT/JP2002/012548

    申请日：2002-11-29

    Applicant: 東京エレクトロン株式会社 ,  門部 雅人 ,  中尾 賢 ,  山賀 健一

    Inventor： 門部 雅人 ,  中尾 賢 ,  山賀 健一

    IPC: H01L21/31

    CPC classification number: H01L21/67109 ,  C23C16/46

    Abstract: ヒータエレメントの交換等のメンテナンス作業を容易にし、メンテナンス性の向上を図る。　多数の被処理体ｗを収容して熱処理するための処理容器４と、該処理容器４の周囲を覆う筒状のヒータ６と、該ヒータ６を設置するヒータ設置部７と、前記ヒータ６を一側からメンテナンス可能に収容した筐体１１とを備え、前記ヒータ６は複数のヒータエレメント３１を個々に交換可能に有し、前記ヒータ設置部７にはヒータ６を回転可能に支持する回転支持機構４０が設けられている。

    Abstract translation: 包括用于储存大量用于热处理的处理体（W）的处理容器（4），能够促进维护操作的立式热处理设备，例如更换加热器元件并提高维护性，管状加热器 ），用于安装加热器（6）的加热器安装部分（7）和用于存储加热器（6）的壳体（11），从而可以维持加热器（6）的外壳 所述加热器（6）还包括安装成单独更换的多个加热器元件（31），所述加热器安装部分（7）还包括用于可旋转地支撑所述加热器的旋转支撑机构（40）。

    半導体装置
    9.
    发明申请
    半導体装置 审中-公开
    半导体器件

    公开(公告)号：WO2013076820A1

    公开(公告)日：2013-05-30

    申请号：PCT/JP2011/076942

    申请日：2011-11-22

    Applicant: トヨタ自動車株式会社 ,  平林 康弘 ,  妹尾 賢

    Inventor： 平林　康弘 ,  妹尾　賢

    IPC: H01L29/78

    CPC classification number: H01L29/78 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/407 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/861

    Abstract: 　本明細書が開示する第１の半導体装置は、セル領域と、セル領域の周辺に設けられた非セル領域とを含む半導体基板を備えている。セル領域は、第１導電型の第１半導体領域と、第１半導体領域の表面側の半導体基板の表面に形成された第２導電型の第２半導体領域と、半導体基板の表面側から第２半導体領域を貫通して第１半導体領域と接する深さまで形成されており、長手方向が第１方向に伸びるトレンチ型の絶縁ゲートと、絶縁ゲートと非セル領域との間のセル領域に少なくともその一部が形成され、トレンチ内に絶縁膜に被覆された導電体が充填されている第１トレンチ導電体とを備えている。第１トレンチ導電体は、第１方向に伸びる第１部分と、第１方向に直交し、セル領域側から非セル領域に向かう第２方向に突出する第２部分とを備えており、第２部分の底部の少なくとも一部は、第１半導体領域と第２半導体領域の境界よりも深い位置に達している。

    Abstract translation: 该第一半导体器件设置有包括提供到单元区域周边的单元区域和非单元区域的半导体衬底。 单元区域设置有：第一导电类型的第一半导体区域; 形成在所述半导体衬底的所述第一半导体区域的表面侧的表面上的第二导电类型的第二半导体区域; 沟槽型绝缘栅极，其形成为从半导体衬底的表面侧穿过第二半导体区域的深度并与第一半导体区域接触，纵向方向在第一方向上延伸; 以及第一沟槽电导体，其至少一部分形成在绝缘栅极和非电池区域之间的电池区域中，并且其中沟槽被覆有绝缘膜的电导体填充。 第一沟槽电导体设置有沿第一方向延伸的第一部分和在与第一方向正交的第二方向上突出并且从电池区域侧朝向非电池区域定向的第二部分; 第二部分的底部的至少一部分到达比第一半导体区域和第二半导体区域之间的边界更深的位置。

    車両の制御装置
    10.
    发明申请
    車両の制御装置 审中-公开
    车辆控制装置

    公开(公告)号：WO2013072960A1

    公开(公告)日：2013-05-23

    申请号：PCT/JP2011/006370

    申请日：2011-11-16

    Applicant: トヨタ自動車株式会社 ,  井上 雄二 ,  出塩 幸彦 ,  江藤 真吾 ,  道越 洋裕 ,  松尾 賢治

    Inventor： 井上　雄二 ,  出塩　幸彦 ,  江藤　真吾 ,  道越　洋裕 ,  松尾　賢治

    IPC: B60W10/08 ,  B60K6/48 ,  B60K6/547 ,  B60W10/02 ,  B60W20/00

    CPC classification number: B60W10/06 ,  B60K6/42 ,  B60K6/48 ,  B60K6/547 ,  B60K2006/4825 ,  B60W10/02 ,  B60W10/08 ,  B60W20/00 ,  B60W20/40 ,  B60W2510/0275 ,  B60W2710/083 ,  Y02T10/6221 ,  Y02T10/6252 ,  Y10S903/902 ,  Y10T477/26

    Abstract: 【課題】エンジンとモータとの間にクラッチを備えた車両におけるモータによるエンジン始動時に、クラッチでの衝撃の発生を抑制して、車両のドライバビリティを向上できる車両の制御装置を提供する。 【解決手段】エンジンと、車輪に連結されたモータジェネレータと、解放状態および係合状態の間で伝達状態を切り替えるクラッチと、を備え、クラッチを係合状態にしてモータジェネレータによりエンジンを始動する車両の制御装置であって、モータジェネレータによりエンジンを始動する際に（ステップＳ１；ＹＥＳ）、モータジェネレータの補償トルクをクラッチのクラッチトルクよりも常に小さくする（ステップＳ５）。

    Abstract translation: [问题]提供一种车辆控制装置，使得在通过在发动机和电动机之间设置有离合器的车辆上的电动机起动发动机时，可以通过抑制发动机的冲击的发展来增加车辆的驾驶性能 离合器。 [解决方案]具有发动机的车辆的控制装置，连接到车轮的电动发电机和在释放状态和接合状态之间切换变速器状态的离合器通过电动发电机将离合器启动在发动机中 从事状态。 当发动机由电动发电机起动时（步骤S1：是），使电动发电机的补偿转矩始终小于离合器的离合器转矩（步骤S5）。

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