公开(公告)号：WO2019053310A1

公开(公告)日：2019-03-21

申请号：PCT/ES2018/070587

申请日：2018-09-07

Applicant: CONSORCI PER A LA CONSTRUCCIÓ, EQUIPAMENT I EXPLOTACIÓ DEL LABORATORI DE LLUM DE SINCROTRÓ ,  IBSS GROUP INC.

Inventor： PELLEGRIN, Eric ,  GONZÁLEZ CUXART, Marc

IPC: H01J37/32 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01J37/32357 ,  H01J37/32467 ,  H01J37/32889

Abstract: Dispositivo de deposición química de vapor remota asistida por plasma y método para producirlo, el cual (11) comprende un tubo (13) rodeado por una bobina (14) de corriente eléctrica de radiofrecuencia para transformar un gas o gases (16) de suministro que pasan a través de dicho tubo (13) en plasma ( 17), incluyendo el tubo (13) un extremo de entrada (13a) para la entrada del gas o gases (16) de suministro. El tubo (13) está hecho de Al 2 O 3, un extremo (13b) de salida del tubo (13) tiene el mismo tamaño que ei área de sección transversal del tubo (13), y un elemento (10) de conexión de acero inoxidable está dispuesto en el extremo (13b) de salida del tubo (13), conectando dicho elemento (10) de conexión de acero inoxidable el tubo (13) a medios (18a) de unión del dispositivo (11) para unir de forma amovible el extremo (13b) de salida del tubo (13) a una cámara externa (C) en la que tiene lugar la deposición química de vapor remota asistida por plasma.

公开(公告)号：WO2017209900A1

公开(公告)日：2017-12-07

申请号：PCT/US2017/031590

申请日：2017-05-08

Applicant: APPLIED MATERIALS, INC.

Inventor： LO, Kin Pong ,  CHU, Schubert S.

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01L21/67207 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/32889 ,  H01L21/02046 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/67184

Abstract: Implementations of the present disclosure generally relate to an improved vacuum processing system. In one implementation, the vacuum processing system includes a first transfer chamber coupling to at least one epitaxy process chamber, a second transfer chamber, a transition station disposed between the first transfer chamber and the second transfer chamber, a first plasma-cleaning chamber coupled to the second transfer chamber for removing oxides from a surface of a substrate, and a load lock chamber coupled to the second transfer chamber. The transition station connects to the first transfer chamber and the second transfer chamber, and the transition station includes a second plasma-cleaning chamber for removing carbon-containing contaminants from the surface of the substrate.

Abstract translation: 本公开的实施方式一般涉及改进的真空处理系统。 在一个实施方式中，真空处理系统包括耦合到至少一个外延处理室的第一传输室，第二传输室，设置在第一传输室和第二传输室之间的过渡站，第一等离子体清洁室，耦合到 用于从衬底的表面去除氧化物的第二传输室，以及耦合到第二传输室的负载锁定室。 过渡站连接到第一传送室和第二传送室，并且过渡站包括第二等离子体清洁室，用于从基底表面除去含碳污染物。

公开(公告)号：WO2014054570A1

公开(公告)日：2014-04-10

申请号：PCT/JP2013/076511

申请日：2013-09-30

Applicant: 東京エレクトロン株式会社

Inventor： 村松　誠 ,  北野　高広 ,  冨田　忠利 ,  田内　啓士 ,  矢野　和利 ,  重冨　賢一 ,  豊澤　聡大

IPC: B05D3/02 ,  B05C9/14 ,  B05D3/10 ,  B05D7/24 ,  H01L21/027 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/67098 ,  B05C9/14 ,  B05C11/08 ,  G03F7/0002 ,  H01J37/32889 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/0271 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/67023 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67103 ,  H01L21/67173 ,  H01L21/67225 ,  H01L21/67748 ,  H01L21/68757 ,  H01L21/68764

Abstract: 　本発明は、第１のポリマーと第２のポリマーとを含むブロック共重合体を用いて、基板を処理する方法であって、ブロック共重合体を、基板上又は基板上に塗布された下地膜上に塗布するブロック共重合体塗布工程と、基板上のブロック共重合体を非酸化性ガス雰囲気で熱処理して、ブロック共重合体を第１のポリマーと第２のポリマーに相分離させるポリマー分離工程と、を有する。

Abstract translation: 本发明是一种使用包含第一聚合物和第二聚合物的嵌段共聚物处理基材的方法，所述方法具有嵌段共聚物涂布步骤，其中嵌段共聚物涂覆在基材上或涂覆在基材上的基膜上 基材和聚合物分离步骤，其中将基材上的嵌段共聚物在非氧化性气体气氛中进行热处理，以引发嵌段共聚物相分离成第一聚合物和第二聚合物。

公开(公告)号：WO2011137373A2

公开(公告)日：2011-11-03

申请号：PCT/US2011/034623

申请日：2011-04-29

Applicant: APPLIED MATERIALS, INC. ,  KURITA, Shinichi ,  KUDELA, Jozef ,  ANWAR, Suhail ,  WHITE, John M. ,  YIM, Dong-Kil ,  WOLF, Hans ,  ZVALO, Dennis ,  INAGAWA, Makoto ,  MORI, Ikuo

Inventor： KURITA, Shinichi ,  KUDELA, Jozef ,  ANWAR, Suhail ,  WHITE, John M. ,  YIM, Dong-Kil ,  WOLF, Hans ,  ZVALO, Dennis ,  INAGAWA, Makoto ,  MORI, Ikuo

IPC: C23C16/50 ,  C23C16/44 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/67712 ,  C23C16/4587 ,  C23C16/46 ,  C23C16/463 ,  C23C16/511 ,  C23C16/54 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3222 ,  H01J37/32513 ,  H01J37/32522 ,  H01J37/32889 ,  H01J37/32899 ,  H01L21/67098 ,  H01L21/67126 ,  H01L21/67173 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/67201

Abstract: The present invention generally relates to a vertical CVD system having a processing chamber that is capable of processing multiple substrates. The multiple substrates are disposed on opposite sides of the processing source within the processing chamber, yet the processing environments are not isolated from each other. The processing source is a horizontally centered vertical plasma generator that permits multiple substrates to be processed simultaneously on either side of the plasma generator, yet independent of each other. The system is arranged as a twin system whereby two identical processing lines, each with their own processing chamber, are arranged adjacent to each other. Multiple robots are used to load and unload the substrates from the processing system. Each robot can access both processing lines within the system.

Abstract translation: 本发明一般涉及具有能够处理多个基板的处理室的垂直CVD系统。 多个基板设置在处理室内的处理源的相对侧上，但处理环境彼此不隔离。 处理源是水平居中的垂直等离子体发生器，其允许在等离子体发生器的任一侧上同时处理多个基板，但彼此独立。 该系统被布置为双系统，由此两个相同的处理线各自具有它们自己的处理室，彼此相邻布置。 多个机器人用于从处理系统装载和卸载基板。 每个机器人可以访问系统内的两条处理线。

公开(公告)号：WO2016156728A1

公开(公告)日：2016-10-06

申请号：PCT/FR2016/050699

申请日：2016-03-29

Applicant: COATING PLASMA INDUSTRIE

Inventor： VIARD, Jocelyn

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/677

CPC classification number: H01J37/32889 ,  H01J37/32403 ,  H01J37/32669 ,  H01J37/32733 ,  H01J37/32779 ,  H01J37/32899 ,  H01L21/6715 ,  H01L21/67173 ,  H01L21/6776

Abstract: Installation de traitement de surface d'objets par plasma, comprenant -une enceinte (10; 110) -des moyens (P45, P46)de mise sous vide de cette enceinte, -une zone de stockage des objets à traiter, dite zone de stockage amont (20; 120) -une zone de stockage des objets traités, dite zone de stockage aval (70; 120), -au moins deux chambres (40, 50, 60; 140, 150) de traitement plasma comprenant des moyens (42A, 42B; 42A; 142B) d'injection d'un mélange gazeux actif, des moyens (43; 143) de création d'une décharge électrique et des moyens de confinement du plasma dans le volume intérieur de la chambre, -des moyens de transport (30; 130) entre les zones de stockage et les chambres, caractérisée en ce que les moyens de transport sont des moyens de convoyage (30; 2 30) définissant une direction de convoyage (F30; F130), en ce que les différentes chambres sont placées les unes derrière les autres, selon la direction de convoyage, et en ce que les atmosphères des différentes chambres de traitement plasma ne sont pas hermétiques l'une par rapport à l'autre.

Abstract translation: 用于用等离子体处理物体表面的设备，包括：外壳（10; 110）; 用于将该外壳置于真空下的装置（P45，P46） 用于存储被处理物体的区域，称为上游存储区域（20; 120）; 用于存储被处理物体的区域，称为下游存储区域（70; 120）; 包括用于喷射活性气体混合物的装置（42A，42B; 42A; 142B）的至少两个等离子体处理室（40,50,60; 140,150），用于产生放电的装置（43; 143） 等离子体到室内的体积; 以及用于在所述存储区域和所述室之间传送的装置（30; 130），其特征在于，所述传送装置是限定传送方向（F30; F130）的传送装置（30; 230），并且所述各个室被放置 一个在输送方向上彼此接近，并且各种等离子体处理室的气氛彼此不被密封地密封。

公开(公告)号：WO2014084472A1

公开(公告)日：2014-06-05

申请号：PCT/KR2013/006076

申请日：2013-07-09

Applicant: 로체 시스템즈(주)

Inventor： 류기룡 ,  박생만 ,  우치야마마사히코

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/02 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01L21/67742 ,  H01J37/32697 ,  H01J37/32724 ,  H01J37/32733 ,  H01J37/32816 ,  H01J37/32889 ,  H01J37/32899 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67075 ,  H01L21/67155 ,  H01L21/67207 ,  H01L21/6831 ,  H01L21/6833

Abstract: 얇은 웨이퍼의 제작과 이송을 원활하게 할 수 있도록 하는 웨이퍼 식각 시스템 및 이를 이용한 웨이퍼 식각 공정이 개시된다. 본 발명은 웨이퍼를 기계적으로 식각하는 웨이퍼 그라인딩 장치; 상기 웨이퍼 그라인딩 유닛으로부터 식각된 웨이퍼를 정렬시키는 얼라이너; 상기 얼라이너에 정렬된 웨이퍼를 다시한번 식각하는 건식 식각 장치; 상기 얼라이너와 상기 건식 식각 장치 사이에서 상기 웨이퍼를 이송시키는 웨이퍼 이송 장치; 상기 건식 식각 장치로부터 식각이 완료된 웨이퍼에 테이핑 작업을 실시하도록 하는 테이프 마운터를 포함한다.

Abstract translation: 公开了一种晶片蚀刻系统和使用该晶片蚀刻工艺的晶片蚀刻工艺，能够使薄晶片平滑地制造和转移。 本发明包括：用于机械蚀刻晶片的晶片研磨装置; 对准器，用于对准来自晶片研磨单元的蚀刻晶片; 干蚀刻装置，用于再次蚀刻通过对准器排列的晶片; 用于在对准器和干蚀刻装置之间传送晶片的晶片传送装置; 以及用于对从干蚀刻装置完成蚀刻的晶片上进行胶带的带式安装机。

公开(公告)号：WO2011163149A3

公开(公告)日：2012-04-12

申请号：PCT/US2011041126

申请日：2011-06-20

Applicant: APPLIED MATERIALS INC ,  LEI WEI-SHENG ,  EATON BRAD ,  YALAMANCHILI MADHAVA RAO ,  SINGH SARAVJEET ,  KUMAR AJAY ,  HOLDEN JAMES M

Inventor： LEI WEI-SHENG ,  EATON BRAD ,  YALAMANCHILI MADHAVA RAO ,  SINGH SARAVJEET ,  KUMAR AJAY ,  HOLDEN JAMES M

IPC: H01L21/301

CPC classification number: H01L21/822 ,  B23K26/36 ,  H01J37/32889 ,  H01J37/32899 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/3083 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67092 ,  H01L21/67207 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/78 ,  H01L23/544 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: Methods of dicing semiconductor wafers, each wafer having a plurality of integrated circuits, are described, A method includes forming a mask above the semiconductor wafer. The mask is composed of a layer covering and protecting the integrated circuits. The mask is patterned with a femtosecond-based laser scribing process to provide a patterned mask with gaps. The patterning exposes regions of the semiconductor wafer between the integrated circuits. The semiconductor wafer is then etched through the gaps in the patterned mask to singulate the integrated circuits.

Abstract translation: 描述了半导体晶片的切割方法，每个具有多个集成电路的晶片。一种方法包括在半导体晶片上形成掩模。 掩模由覆盖和保护集成电路的层组成。 使用基于飞秒的激光划线工艺对掩模进行图案化以提供具有间隙的图案化掩模。 图案化使得集成电路之间的半导体晶片的区域露出。 然后通过图案化掩模中的间隙蚀刻半导体晶片，以对集成电路进行分离。

公开(公告)号：WO2012038369A1

公开(公告)日：2012-03-29

申请号：PCT/EP2011/066193

申请日：2011-09-19

Applicant: VALEO VISION ,  MORET, Frédéric ,  BRASSIER, Marc ,  CHENET, Alexis

Inventor： MORET, Frédéric ,  BRASSIER, Marc ,  CHENET, Alexis

IPC: C23C14/56 ,  C23C14/22 ,  C23C16/44 ,  H01L21/00 ,  H01J37/16 ,  H01J37/18 ,  H01J37/317 ,  H01L21/67

CPC classification number: C23C16/486 ,  C23C14/22 ,  C23C14/56 ,  C23C14/564 ,  C23C14/568 ,  C23C16/44 ,  H01J37/18 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/32422 ,  H01J37/32458 ,  H01J37/32889 ,  H01J37/32899

Abstract: Cette installation de traitement d'un objet, par exemple un objet en polymère pour feu ou projecteur de véhicule automobile, comprend une chambre à vide (12), dans laquelle l'objet (22) est destiné à être placé, des moyens (24) de mise sous vide de la chambre (12), et des moyens (44) de bombardement ionique, destinés à traiter l'objet (22), comprenant un générateur (46) d'ions et au moins un applicateur (48) d'ions destiné à émettre un faisceau d'ions. Cette installation comprend de plus un premier sas (36), des moyens (40) de mise en communication sélective de la chambre à vide (12) et du premier sas (36), et des moyens (24) de mise sous vide de ce premier sas (36). Les moyens de bombardement ionique (44) sont agencés à l'extérieur de la chambre à vide (12). L'applicateur d'ions (48) est logé dans le premier sas (36).

Abstract translation: 本发明涉及一种用于处理物体的单元，例如用于机动车辆前灯的聚合物物体。 该单元包括：用于容纳物体（22）的真空室（12）; 用于将所述腔室（12）置于真空下的装置（24） 和用于处理物体（22）的离子轰击装置（44）。 所述装置（44）包括离子发生器（46）和用于发射离子束的至少一个离子施加器（48）。 该单元还包括第一气闸（36），用于在真空室（12）和第一气闸（36）之间建立选择性连通的装置（40）以及用于将气闸（36）放置在真空下的装置（24）。 离子轰击装置（44）布置在真空室（12）的外部。 离子施加器（48）容纳在第一气闸（36）内。

公开(公告)号：WO2011137371A3

公开(公告)日：2012-03-01

申请号：PCT/US2011034619

申请日：2011-04-29

Applicant: APPLIED MATERIALS INC ,  KURITA SHINICHI ,  KUDELA JOZEF ,  ANWAR SUHAIL ,  WHITE JOHN M ,  YIM DONG-KIL ,  WOLF HANS ,  ZVALO DENNIS ,  INAGAWA MAKOTO ,  MORI IKUO

Inventor： KURITA SHINICHI ,  KUDELA JOZEF ,  ANWAR SUHAIL ,  WHITE JOHN M ,  YIM DONG-KIL ,  WOLF HANS ,  ZVALO DENNIS ,  INAGAWA MAKOTO ,  MORI IKUO

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/677

CPC classification number: H01L21/67712 ,  C23C16/4587 ,  C23C16/46 ,  C23C16/463 ,  C23C16/511 ,  C23C16/54 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3222 ,  H01J37/32513 ,  H01J37/32522 ,  H01J37/32889 ,  H01J37/32899 ,  H01L21/67098 ,  H01L21/67126 ,  H01L21/67173 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/67201

Abstract: The present invention generally relates to a vertical CVD system having a processing chamber that is capable of processing multiple substrates. The multiple substrates are disposed on opposite sides of the processing source within the processing chamber, yet the processing environments are not isolated from each other. The processing source is a horizontally centered vertical plasma generator that permits multiple substrates to be processed simultaneously on either side of the plasma generator, yet independent of each other. The system is arranged as a twin system whereby two identical processing lines, each with their own processing chamber, are arranged adjacent to each other. Multiple robots are used to load and unload the substrates from the processing system. Each robot can access both processing lines within the system.

Abstract translation: 本发明一般涉及具有能够处理多个基板的处理室的垂直CVD系统。 多个基板设置在处理室内的处理源的相对侧上，但处理环境彼此不隔离。 处理源是水平居中的垂直等离子体发生器，其允许在等离子体发生器的任一侧上同时处理多个基板，但彼此独立。 该系统被布置为双系统，由此两个相同的处理线各自具有它们自己的处理室，彼此相邻布置。 多个机器人用于从处理系统装载和卸载基板。 每个机器人可以访问系统内的两条处理线。

公开(公告)号：WO2016023533A2

公开(公告)日：2016-02-18

申请号：PCT/DE2015000397

申请日：2015-08-05

Applicant: GRENZEBACH MASCHB GMBH

Inventor： KLEIDETER GERD ,  KRISCH THOMAS ,  FIUKOWSKI JÖRG ,  GAWER OLAF

IPC: C23C14/35

CPC classification number: H01J37/32834 ,  C23C14/352 ,  C23C14/52 ,  C23C14/562 ,  C23C14/564 ,  C23C14/568 ,  H01J37/32513 ,  H01J37/32761 ,  H01J37/32779 ,  H01J37/32788 ,  H01J37/32816 ,  H01J37/32889 ,  H01J37/32899 ,  H01J37/3405 ,  H01J37/3408

Abstract: Disclosed are an apparatus and a method for saving energy while increasing the conveying speed in vacuum coating plants consisting of a series of sputtering segments (3) and gas separation segments (2) along with a continuous substrate plane (1). Said apparatus has the following features: a) each of the sputtering segments (3) consists of a tank tub (12) inside which a conveying device (11) is located; the flange (6) of the tank is positioned in the immediate vicinity above the substrate plane (1); a cathode bearing block (5), along with targets (8) and gas inlet ducts (10), is located in the tank cover (4) in the immediate vicinity of the substrate together with splash guards (9); b) in the region of the substrate plane (1), the gas separation segments (2) are provided with a tunnel cover (14) that extends along the entire length of the gas separation segment (2); c) sputtering segments (3) and/or gas separation segments (2) are evacuated using one or more vacuum pumps (15), and the air pumped in said process is trapped in an air reservoir (25) having an adjustable volume.

Abstract translation: 对于在由溅射段（3）的序列的真空镀膜装置中的通过速度节能和同时增加设备和方法以及气体分离段（2）的连续基体层（1）制成，具有以下特征：a） 溅射段（3）分别由锅炉罐（12）具有内部输送装置（11），其中，所述锅炉凸缘（6）附接在靠近衬底平面的（1），并且其中一个 阴极支承块（5）与所述目标（8），并与在锅炉盖防溅板（9）在基板的附近的气体入口通道（10），（4），b）将气体分离段（2）具有在所述衬底的所述区域 电平（1）包括，在（2）延伸的气体分离器段，隧道盖（14），c）中通过一个或多个的装置溅射（3）段和/或气体中分离段（2）的抽真空的整个长度 真空泵（15），大人 我资助的空气被收集在一个可变容积的储气库（25）