公开(公告)号：WO2013124989A1

公开(公告)日：2013-08-29

申请号：PCT/JP2012/054294

申请日：2012-02-22

Applicant: 三菱電機株式会社 ,  遠井 茂男

Inventor： 遠井　茂男

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/48 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7395 ,  H01L23/488 ,  H01L23/492 ,  H01L23/49811 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L25/07 ,  H01L25/072 ,  H01L25/18 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1004 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/41708 ,  H01L29/7396 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/33106 ,  H01L2224/3313 ,  H01L2224/33134 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

Abstract: 　本願の発明にかかる半導体装置は、平面視で直線的に形成された複数のゲートと、該複数のゲートと絶縁されたエミッタパターンと、該エミッタパターンの上に形成されたエミッタ電極を有し、該エミッタパターンを介して該エミッタ電極へ主電流が流れるように形成された半導体素子と、該エミッタ電極の一部に形成された第１はんだと、該第１はんだと離れて、該エミッタ電極の一部に形成された第２はんだと、該第１はんだ及び該第２はんだにより該エミッタ電極に接続された端子とを備える。該半導体素子は、該第１はんだが形成された第１はんだ領域と、該第２はんだが形成された第２はんだ領域と、該第１はんだ領域と該第２はんだ領域の間の領域である中間領域とを有し、該第１はんだ領域の該ゲートの密度と、該第２はんだ領域の該ゲートの密度と、該中間領域の該ゲートの密度は等しく、該半導体素子は、該中間領域の該主電流の電流密度が、該第１はんだ領域及び該第２はんだ領域の該主電流の電流密度よりも低くなるように形成される。

Abstract translation: 该半导体装置设置有：半导体元件，其包括在平面图中线性形成的多个栅极，与多个栅极绝缘的发射极图案和形成在发射极图案上的发射极电极，以及 其被配置为使得主电流通过发射器图案被提供给发射极电极; 形成在所述发射电极的一部分上的第一焊料; 在所述发射电极的一部分上与所述第一焊料分开形成的第二焊料; 以及通过第一焊料和第二焊料与发射电极连接的端子。 半导体元件具有形成第一焊料的第一焊料区域，形成第二焊料的第二焊料区域和位于第一焊料区域和第二焊料区域之间的中间区域。 第一焊料区域中的栅极密度，第二焊料区域中的栅极密度和中间区域中的栅极密度彼此相等。 半导体元件被构造成使得中间区域中的主电流的电流密度低于第一焊料区域和第二焊料区域中的主电流的电流密度。

公开(公告)号：WO2016007176A1

公开(公告)日：2016-01-14

申请号：PCT/US2014/046417

申请日：2014-07-11

Applicant: INTEL CORPORATION ,  GANESAN, Sanka ,  ZIADEH, Bassam ,  NIMKAR, Nitesh

Inventor： GANESAN, Sanka ,  ZIADEH, Bassam ,  NIMKAR, Nitesh

IPC: H01L25/07 ,  H01L23/48 ,  H01L23/28

CPC classification number: H01L25/0657 ,  H01L23/293 ,  H01L24/02 ,  H01L24/03 ,  H01L24/08 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/73 ,  H01L24/80 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L25/03 ,  H01L25/105 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/0381 ,  H01L2224/08225 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/1703 ,  H01L2224/17181 ,  H01L2224/27 ,  H01L2224/28105 ,  H01L2224/29006 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32058 ,  H01L2224/32105 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/3301 ,  H01L2224/33106 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/80903 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/83102 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/83855 ,  H01L2224/92 ,  H01L2224/9211 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/0652 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06548 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/00

Abstract: Embodiments of the present disclosure describe scalable package architecture of an integrated circuit (IC) assembly and associated techniques and configurations. In one embodiment, an integrated circuit (IC) assembly includes a package substrate having a first side and a second side disposed opposite to the first side, a first die having an active side coupled with the first side of the package substrate and an inactive side disposed opposite to the active side, the first die having one or more through-silicon vias (TSVs) configured to route electrical signals between the first die and a second die, and a mold compound disposed on the first side of the package substrate, wherein the mold compound is in direct contact with a sidewall of the first die between the active side and the inactive side and wherein a distance between the first side and a terminating edge of the mold compound that is farthest from the first side is equal to or less than a distance between the inactive side of the first die and the first side. Other embodiments may be described and/or claimed.

Abstract translation: 本公开的实施例描述了集成电路（IC）组件的可扩展封装体系结构以及相关联的技术和配置。 在一个实施例中，集成电路（IC）组件包括具有第一侧和与第一侧相对设置的第二侧的封装衬底，第一管芯具有与封装衬底的第一侧耦合的有源侧和不活动侧 所述第一管芯具有配置成在所述第一管芯和第二管芯之间布置电信号的一个或多个穿硅通孔（TSV）以及设置在所述封装基板的第一侧上的模具化合物，其中， 模具化合物在活性侧和非活性侧之间与第一模具的侧壁直接接触，并且其中距离第一侧最远的模具化合物的第一侧和终止边缘之间的距离等于或小于 而不是第一模具的不活动侧和第一侧之间的距离。 可以描述和/或要求保护其他实施例。