公开(公告)号：WO2017007988A1

公开(公告)日：2017-01-12

申请号：PCT/US2016/041443

申请日：2016-07-08

申请人： DECA TECHNOLOGIES INC.

发明人： OLSON, Timothy, L. ,  ROGERS, William, Boyd ,  ALDAS, Ferdinand

IPC分类号： H01L21/308

CPC分类号： H01L21/30604 ,  H01L21/568 ,  H01L21/67784 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/19 ,  H01L24/75 ,  H01L24/76 ,  H01L24/96 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03452 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/03464 ,  H01L2224/03614 ,  H01L2224/0381 ,  H01L2224/0391 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/05111 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05139 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/742 ,  H01L2224/7501 ,  H01L2224/75651 ,  H01L2224/7665 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/18162 ,  H01L2224/214

摘要： A method of removing at least a portion of a layer of material from over a semiconductor substrate that can include dispensing an etching solution over the semiconductor substrate to form a pool of etching solution on the layer of material, wherein a footprint of the pool of etching solution is less than a footprint of the semiconductor substrate. The pool of etching solution and the semiconductor substrate can be moved with respect to each other. A pool boundary of the pool of etching solution can be defined on the semiconductor substrate with at least one air-knife such that the pool of etching solution etches the layer of material over the semiconductor substrate within the footprint of the pool of etching solution. The etching solution and at least a portion of the layer of material etched by the etching solution can be removed with the at least one air-knife.

摘要翻译： 一种从半导体衬底上去除材料层的至少一部分的方法，其可以包括在半导体衬底上分配蚀刻溶液以在该材料层上形成蚀刻溶液池，其中蚀刻池的覆盖区 溶液小于半导体衬底的覆盖区。 蚀刻溶液池和半导体衬底可以相对于彼此移动。 可以使用至少一个气刀在半导体衬底上限定蚀刻溶液池的池边界，使得蚀刻溶液池在蚀刻溶液池的覆盖区内蚀刻半导体衬底上的材料层。 蚀刻溶液和由蚀刻溶液蚀刻的材料层的至少一部分可以用至少一个气刀去除。

公开(公告)号：WO2016096025A1

公开(公告)日：2016-06-23

申请号：PCT/EP2014/078585

申请日：2014-12-18

申请人： EV GROUP E. THALLNER GMBH

发明人： FEHKÜHRER, Andreas

IPC分类号： H01L21/98 ,  H01L21/18 ,  H01L21/683 ,  H01L21/687 ,  H01L21/68 ,  B32B37/10 ,  H01L25/065

CPC分类号： H01L24/80 ,  B32B37/0046 ,  B32B38/1841 ,  B32B38/1858 ,  B32B2309/105 ,  B32B2457/14 ,  H01L21/187 ,  H01L21/304 ,  H01L21/67092 ,  H01L21/6831 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/78 ,  H01L23/544 ,  H01L24/08 ,  H01L24/74 ,  H01L24/75 ,  H01L24/94 ,  H01L24/95 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68363 ,  H01L2221/68368 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2223/54453 ,  H01L2224/0224 ,  H01L2224/0381 ,  H01L2224/0382 ,  H01L2224/03831 ,  H01L2224/0384 ,  H01L2224/08121 ,  H01L2224/08145 ,  H01L2224/74 ,  H01L2224/75251 ,  H01L2224/75272 ,  H01L2224/75701 ,  H01L2224/75702 ,  H01L2224/75704 ,  H01L2224/75705 ,  H01L2224/75724 ,  H01L2224/75725 ,  H01L2224/75734 ,  H01L2224/75735 ,  H01L2224/75744 ,  H01L2224/75745 ,  H01L2224/7598 ,  H01L2224/80 ,  H01L2224/80003 ,  H01L2224/80006 ,  H01L2224/8001 ,  H01L2224/80011 ,  H01L2224/8002 ,  H01L2224/80047 ,  H01L2224/80051 ,  H01L2224/80093 ,  H01L2224/80099 ,  H01L2224/8013 ,  H01L2224/80132 ,  H01L2224/80201 ,  H01L2224/80203 ,  H01L2224/80209 ,  H01L2224/80213 ,  H01L2224/80801 ,  H01L2224/80894 ,  H01L2224/80907 ,  H01L2224/92 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/95 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06565 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2221/68304

摘要： Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zum Bonden eines ersten Substrats (4) mit einem zweiten Substrat (4'), wobei das erste Substrat (4) und/oder das zweite Substrat (4') vor dem Bonden gedünnt ist/wird. Die Substrate (4, 4') können Wafer, Halbleitersubstrate, metallische Substrate, mineralische Substrate, insbesondere Saphirsubstrate, Glassubstrate oder Polymersubstrate sein. Das erste Substrat (4) und/oder das zweite Substrat (4') werden zum Dünnen und/oder Bonden auf einem auf einer Trägeroberfläche (3o, 3o') eines, insbesondere einen ringförmigen Rahmen (2) aufweisenden, Trägers (3, 3') fixiert. Das erste Substrat (4) und das zweite Substrat (4') werden vor dem Bonden an Hand von korrespondierenden Ausrichtungsmarkierungen der Substrate (4, 4') zueinander ausgerichtet und anschließend, insbesondere magnetisch, vorfixiert. Substratfixierungen weisen jeweils eine Substratfixierfläche (9) zur Fixierung jeweils eines Substrats (4, 4') und jeweils eine die Substratfixierfläche (9) umgebende Trägerfixierfläche (8) oder Trägerfixierbereich zur gegenseitigen Fixierung der Substratfixierungen auf, wobei insbesondere die Trägerfixierfläche (8) oder der Trägerfixierbereich magnetisiert oder magnetisierbar ist, oder alternativ die Substratfixierungen mittels eines Klebers, über Klemmen, über ein Stecksystem oder elektrostatisch miteinander fixierbar sind.

摘要翻译： 本发明涉及一种方法，用于与第二衬底（4“），其中，所述第一基板（4）和/或所述第二衬底（4”）在接合之前薄化接合第一基底（4）/是。 基板（4，4“）的晶片，半导体衬底，金属基材，矿物基底，特别是蓝宝石基板，玻璃基板或聚合物基板可以是。 在第一基板（4）和/或第二基底（4“）是在支撑表面上的研磨和/或键合（10-30，10-30的”）的，特别是环形框架（2），其具有，载流子（3,3 “）固定。 在第一基板（4）和第二衬底（4“）（相当于基板4的对准标记的，4）在粘接之前手”彼此，然后，特别是磁性，预置对准。 基板注视各自具有Substratfixierfläche（9），用于在每种情况下固定在一个基板（4,4“），每一个所述Substratfixierfläche（9）周围Trägerfixierfläche（8）或Trägerfixierbereich用于基板注视相互固定，其中特别地Trägerfixierfläche（8）或 Trägerfixierbereich磁化或可磁化，或者可替换地，衬底注视通过粘合剂的方式固定在一起，通过端子，连接器系统或静电。

公开(公告)号：WO2014129584A1

公开(公告)日：2014-08-28

申请号：PCT/JP2014/054170

申请日：2014-02-21

申请人： 富士フイルム株式会社

发明人： 朴　起永 ,  水谷　篤史 ,  清水　哲也

IPC分类号： C09K15/30 ,  C09K3/00 ,  C09K15/18 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L21/321 ,  C07D249/00 ,  C23F11/149 ,  H01L21/4864 ,  H01L23/147 ,  H01L23/26 ,  H01L23/49811 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/741 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03452 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/0381 ,  H01L2224/03821 ,  H01L2224/03823 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05669 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/741 ,  H01L2224/81055 ,  H01L2224/81075 ,  H01L2224/81815 ,  H05K3/282 ,  H05K2203/124 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/03 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01013

摘要： 電子デバイスに含まれる銅もしくは銅合金の表面に、アミノ基を有する５員の含窒素複素芳香族化合物を含有する金属防食剤を接触させる銅もしくは銅合金表面の酸化防止方法。

摘要翻译： 提供一种铜或铜合金表面的抗氧化方法，其中含有具有氨基的五元含氮杂芳族化合物的金属防腐蚀剂与铜或铜合金的表面接触，所述铜或铜合金包含在电子 设备。

公开(公告)号：WO2013157064A1

公开(公告)日：2013-10-24

申请号：PCT/JP2012/060218

申请日：2012-04-16

申请人： 株式会社谷黒組 ,  谷黒 克守

发明人： 谷黒　克守

IPC分类号： B23K1/018 ,  B23K1/08 ,  B23K1/20 ,  B23K35/26 ,  H05K3/34

CPC分类号： B23K3/0607 ,  B23K1/0016 ,  B23K1/08 ,  B23K1/20 ,  B23K1/203 ,  B23K3/0646 ,  B23K3/0669 ,  B23K3/082 ,  B23K35/262 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/741 ,  H01L24/742 ,  H01L2224/03312 ,  H01L2224/03418 ,  H01L2224/036 ,  H01L2224/0381 ,  H01L2224/03821 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05073 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/05111 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05582 ,  H01L2224/05611 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/0569 ,  H01L2224/11312 ,  H01L2224/116 ,  H01L2224/11821 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/1369 ,  H01L2224/741 ,  H01L2924/381 ,  H05K3/0085 ,  H05K3/282 ,  H05K3/3468 ,  H05K2203/081 ,  H05K2203/122 ,  H05K2203/1366 ,  H05K2203/1518 ,  Y10T428/31678 ,  H01L2224/1141 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2224/03

摘要： 銅電極（２）を有する被処理部材（１０）を有機脂肪酸含有溶液（３１）に浸漬し、浸漬した被処理部材（１０）を有機脂肪酸含有溶液（３１）中で水平移動する第１処理部と、処理した被処理部材（１０）を上方向の蒸気雰囲気の空間部（２４）に引き上げながら、被処理部材（１０）に向けて溶融はんだ（５ａ）の噴流（５'）を吹き付ける噴射手段（３３）を備えた第２処理部と、処理した被処理部材（１０）を空間部（２４）中で水平移動した後に有機脂肪酸含有溶（３１）液中に降下させながら、被処理部材（１０）上の余剰の溶融はんだ（５ａ）に有機脂肪酸含有溶液（３１）を吹き付けて除去する噴射手段（３４）を備えた第３処理部と、処理した被処理部材（１０）を有機脂肪酸含有溶液（３１）中で水平移動した後に上方向に引き上げて溶液外に取り出す第４処理部とを備えるはんだ付け装置により低コストで、歩留まりが高く、信頼性の高いはんだ付けを行う。

摘要翻译： 低成本，高产出和高可靠性的焊接是通过一种焊接装置进行的，所述焊接装置具有：将具有铜电极（2）的待处理部件（10）浸渍在含有机脂肪酸的溶液中的第一处理单元 （31）并将待处理的浸渍构件（10）水平移动到含有机脂肪酸溶液（31）中; 第二处理单元，其设置有喷射装置，用于在待处理的待处理构件（10）被向上升到空气部分（24）的同时，喷射熔融的喷射流（5'）， 焊料（5a）朝向要处理的构件（10）; 具有喷射装置（34）的第三处理单元，用于在待处理的处理构件（10）在空间部分（24）中水平移动之后被降低到含有机脂肪酸的溶液（31）中， 将有机脂肪酸溶液（31）喷洒在要处理的部件（10）上的多余的熔融焊料（5a）上以除去多余的熔融焊料; 以及第四处理单元，用于在有机脂肪酸溶液（31）中水平移动之后向上拉动待处理的处理构件（10），并将待处理的构件从溶液中取出。

公开(公告)号：WO2012009612A2

公开(公告)日：2012-01-19

申请号：PCT/US2011/044137

申请日：2011-07-15

申请人： ONTOS EQUIPMENT SYSTEMS, INC. ,  SCHULTE, Eric Frank

发明人： SCHULTE, Eric Frank

IPC分类号： B23K1/20 ,  B23K31/02

CPC分类号： B23K1/20 ,  B32B38/0008 ,  B32B2310/14 ,  B32B2457/00 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/0381 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/11831 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/136 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/81011 ,  H01L2224/81013 ,  H01L2224/81054 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/812 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2924/0001 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/00014

摘要： A method of removing oxidation from certain metallic contact surfaces utilizing a combination of relatively simple and inexpensive off-the-shelf equipment and specific chemistry. The method being a very rapid dry process which does not require a vacuum or containment chamber, or toxic gasses/chemicals, and does not damage sensitive electronic circuits or components. Additionally, the process creates a passivation layer on the surface of the metallic contact which inhibits further oxidation while allowing rapid and complete bonding, even many hours after surface treatment, without having to remove the passivation layer. The process utilizes a room-ambient plasma applicator with hydrogen, nitrogen, and inert gasses.

摘要翻译： 利用相对简单和便宜的现成设备和特定化学品的组合，从某些金属接触表面去除氧化的方法。 该方法是一种非常快速的干法工艺，不需要真空或密封室，或有毒气体/化学物质，并且不会损坏敏感的电子电路或组件。 此外，该工艺在金属接触表面上形成钝化层，该钝化层抑制进一步氧化，同时允许在表面处理之后甚至几个小时的快速和完全结合，而不必去除钝化层。 该工艺利用室内环境的等离子喷涂器，使用氢气，氮气和惰性气体。

公开(公告)号：WO2016007176A1

公开(公告)日：2016-01-14

申请号：PCT/US2014/046417

申请日：2014-07-11

申请人： INTEL CORPORATION ,  GANESAN, Sanka ,  ZIADEH, Bassam ,  NIMKAR, Nitesh

发明人： GANESAN, Sanka ,  ZIADEH, Bassam ,  NIMKAR, Nitesh

IPC分类号： H01L25/07 ,  H01L23/48 ,  H01L23/28

CPC分类号： H01L25/0657 ,  H01L23/293 ,  H01L24/02 ,  H01L24/03 ,  H01L24/08 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/73 ,  H01L24/80 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L25/03 ,  H01L25/105 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/0381 ,  H01L2224/08225 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/1703 ,  H01L2224/17181 ,  H01L2224/27 ,  H01L2224/28105 ,  H01L2224/29006 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32058 ,  H01L2224/32105 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/3301 ,  H01L2224/33106 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/80903 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/83102 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/83855 ,  H01L2224/92 ,  H01L2224/9211 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/0652 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06548 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/00

摘要： Embodiments of the present disclosure describe scalable package architecture of an integrated circuit (IC) assembly and associated techniques and configurations. In one embodiment, an integrated circuit (IC) assembly includes a package substrate having a first side and a second side disposed opposite to the first side, a first die having an active side coupled with the first side of the package substrate and an inactive side disposed opposite to the active side, the first die having one or more through-silicon vias (TSVs) configured to route electrical signals between the first die and a second die, and a mold compound disposed on the first side of the package substrate, wherein the mold compound is in direct contact with a sidewall of the first die between the active side and the inactive side and wherein a distance between the first side and a terminating edge of the mold compound that is farthest from the first side is equal to or less than a distance between the inactive side of the first die and the first side. Other embodiments may be described and/or claimed.

摘要翻译： 本公开的实施例描述了集成电路（IC）组件的可扩展封装体系结构以及相关联的技术和配置。 在一个实施例中，集成电路（IC）组件包括具有第一侧和与第一侧相对设置的第二侧的封装衬底，第一管芯具有与封装衬底的第一侧耦合的有源侧和不活动侧 所述第一管芯具有配置成在所述第一管芯和第二管芯之间布置电信号的一个或多个穿硅通孔（TSV）以及设置在所述封装基板的第一侧上的模具化合物，其中， 模具化合物在活性侧和非活性侧之间与第一模具的侧壁直接接触，并且其中距离第一侧最远的模具化合物的第一侧和终止边缘之间的距离等于或小于 而不是第一模具的不活动侧和第一侧之间的距离。 可以描述和/或要求保护其他实施例。

公开(公告)号：WO2015107290A2

公开(公告)日：2015-07-23

申请号：PCT/FR2015050052

申请日：2015-01-09

申请人： COMMISSARIAT L ÉNERGIE ATOMIQUE ET AUX ÉNERGIES ALTERNATIVES

发明人： DEGUET CHRYSTEL ,  FOURNEL FRANK ,  MORICEAU HUBERT ,  SANCHEZ LOIC

IPC分类号： H01L21/58

CPC分类号： H01L24/80 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/6836 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/08 ,  H01L24/74 ,  H01L24/92 ,  H01L24/94 ,  H01L24/97 ,  H01L2221/68363 ,  H01L2221/68368 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2221/68386 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03616 ,  H01L2224/0381 ,  H01L2224/039 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/05083 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/0519 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/0566 ,  H01L2224/05687 ,  H01L2224/08225 ,  H01L2224/74 ,  H01L2224/7565 ,  H01L2224/75701 ,  H01L2224/75702 ,  H01L2224/75725 ,  H01L2224/75734 ,  H01L2224/75735 ,  H01L2224/75841 ,  H01L2224/7598 ,  H01L2224/80004 ,  H01L2224/80006 ,  H01L2224/80007 ,  H01L2224/80011 ,  H01L2224/80012 ,  H01L2224/80019 ,  H01L2224/80121 ,  H01L2224/802 ,  H01L2224/80203 ,  H01L2224/80385 ,  H01L2224/80424 ,  H01L2224/80444 ,  H01L2224/80447 ,  H01L2224/80893 ,  H01L2224/80894 ,  H01L2224/80948 ,  H01L2224/80986 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/92 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/10157 ,  H01L2924/15159 ,  H01L2224/80 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/03 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/01026 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/0516 ,  H01L2924/05442 ,  H01L21/78

摘要： This process comprises: placing (70) chips in preset locations by attracting a transfer layer of the chip using a pad, the attractive force between the transfer layer and the pad being a force chosen from the group composed of a magnetic force, an electrostatic force and an electromagnetic force; and bonding (74) the chips thus placed on respective receiving zones of an active side of a receiver substrate, this bonding comprising: preparing (30, 62, 72) bonding sides of the chips and the receiving zones so that they are able to bond without adhesive, then in step c), bringing (78) each bonding side into direct contact with its respective receiving zone and thus bonding the chips to the receiver substrate without adhesive.

摘要翻译： 该方法包括：通过使用焊盘吸引芯片的转移层来将（70）芯片放置在预设位置，转移层和焊盘之间的吸引力是从由磁力，静电力 和电磁力; 并且将由此放置在接收器基板的有源侧的相应接收区上的芯片接合（74），该接合包括：准备（30,62,72）将芯片和接收区域粘合在一起，使得它们能够结合 没有粘合剂，然后在步骤c）中，使（78）每个粘合侧与其相应的接收区域直接接触，并且因此将芯片粘合到接收器基底而没有粘合剂。

公开(公告)号：WO2014181688A1

公开(公告)日：2014-11-13

申请号：PCT/JP2014/061458

申请日：2014-04-23

申请人： 富士電機株式会社

发明人： 齋藤　隆 ,  百瀬　文彦 ,  木戸　和優 ,  西村　芳孝

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L21/607

CPC分类号： H01L24/05 ,  H01L24/03 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/85 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/03464 ,  H01L2224/0381 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05073 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48105 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48755 ,  H01L2224/48855 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83447 ,  H01L2224/85203 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/92147 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/01026 ,  H01L2924/2076 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/013 ,  H01L2224/43

摘要： 　半導体チップ（１）と回路パターン（４）とがワイヤ（７）によって電気的に接続されたモジュール構造の半導体装置であって、半導体チップ（１）のおもて面電極の表面にはおもて面金属膜が形成され、このおもて面金属膜にワイヤボンディングによってワイヤ（７）が接合されている。半導体チップ（１）は、Ｓｉ基板またはＳｉＣ基板のおもて面におもて面電極を有し、裏面に裏面電極を有する。おもて面金属膜は、例えば３μｍ以上７μｍ以下の厚さのＮｉ膜またはＮｉ合金である。ワイヤ（７）は、ワイヤボンディング前の結晶粒径を例えば１μｍ以上２０μｍ以下の範囲内に制御することにより再結晶温度を高め、かつ強度を向上させたＡｌワイヤである。これにより、大電流導通および高温動作を実現した信頼性の高い半導体装置を提供することができる。

摘要翻译： 一种具有模块结构的半导体器件，其中半导体芯片（1）和电路图案（4）通过导线（7）电连接，其中前表面金属膜形成在前表面电极 通过引线接合将导线（7）与前表面金属膜接合。 半导体芯片（1）在Si衬底或SiC衬底的前表面上具有前表面电极，在后表面具有背面电极。 前表面金属膜例如是3-7μm厚的Ni膜或Ni合金。 线（7）是通过将引线接合之前的晶粒尺寸控制在例如1-20μm的范围内，再结晶温度升高并且强度提高的Al线。 由此可以提供实现大电流导通和高温运转的高可靠性的半导体装置。

公开(公告)号：WO2013091257A1

公开(公告)日：2013-06-27

申请号：PCT/CN2011/084684

申请日：2011-12-26

申请人： 清华大学 ,  蔡坚 ,  王水弟 ,  王谦 ,  浦园园

发明人： 蔡坚

IPC分类号： H01L21/60

CPC分类号： H01L24/11 ,  H01L21/4853 ,  H01L23/49816 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/0361 ,  H01L2224/0381 ,  H01L2224/03912 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/11001 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/1181 ,  H01L2224/1184 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/1401 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/014

摘要： 本发明针对现有技术中因焊球上表面为球面而导致探针不能与焊球良好接触的缺陷，提供一种能够克服上述缺陷的制备焊料凸块的方法。本发明提供一种制备焊料凸块的方法，该方法包括：提供硅圆片，在该硅圆片上需要制备焊料凸块；在所述硅圆片的形成有焊盘的一侧上形成凸点下金属化层；在具有焊盘的位置处在所述凸点下金属化层上制作焊料；对所述焊料进行回流，并且在回流时采用与所述硅圆片平行的限高器来限制所形成的焊料凸块的高度低于未使用限高器时所形成的焊球的高度以使得回流后所形成的焊料凸块的上表面为平面。

公开(公告)号：WO2012148967A3

公开(公告)日：2013-01-17

申请号：PCT/US2012034912

申请日：2012-04-25

申请人： AIR PROD & CHEM ,  COLLIER TERENCE QUINTIN ,  RENNIE DAVID BARRY ,  RAMAMURTHI RAJKUMAR ,  PARRIS GENE EVERAD

发明人： COLLIER TERENCE QUINTIN ,  RENNIE DAVID BARRY ,  RAMAMURTHI RAJKUMAR ,  PARRIS GENE EVERAD

IPC分类号： H01L21/60

CPC分类号： H01L24/85 ,  C11D7/265 ,  C11D11/0047 ,  H01L21/4835 ,  H01L23/3107 ,  H01L24/05 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/92 ,  H01L24/94 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/0381 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/4847 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/48647 ,  H01L2224/48724 ,  H01L2224/48747 ,  H01L2224/48824 ,  H01L2224/48847 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83011 ,  H01L2224/83022 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83193 ,  H01L2224/83855 ,  H01L2224/8501 ,  H01L2224/85011 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/03 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/85

摘要： A method of processing a semiconductor substrate to remove undesired material therefrom or to prepare a surface of the semiconductor substrate for subsequent bonding wherein the substrate comprises a leadframe comprising dies, bond pads, contacts, and wires, the method comprises the step of contacting the substrate with a liquid cleaning composition and compositions useful in the method.

摘要翻译： 一种处理半导体衬底以从其中去除不需要的材料或制备用于随后结合的半导体衬底的表面的方法，其中所述衬底包括包括管芯，接合焊盘，触点和电线的引线框架，所述方法包括使所述衬底 具有用于该方法的液体清洁组合物和组合物。