公开(公告)号：WO2017100256A1

公开(公告)日：2017-06-15

申请号：PCT/US2016/065281

申请日：2016-12-07

Applicant: SKYWORKS SOLUTIONS, INC.

Inventor： BARBER, Bradley, Paul

IPC: H01L23/00 ,  H01L21/324 ,  H01L23/28 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L21/324 ,  B23K20/02 ,  C23C10/28 ,  H01B1/22 ,  H01L21/50 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/10 ,  H01L23/66 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/30 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/2732 ,  H01L2224/27416 ,  H01L2224/27418 ,  H01L2224/2745 ,  H01L2224/27452 ,  H01L2224/2746 ,  H01L2224/29013 ,  H01L2224/29014 ,  H01L2224/29017 ,  H01L2224/29019 ,  H01L2224/29022 ,  H01L2224/29078 ,  H01L2224/2908 ,  H01L2224/29082 ,  H01L2224/29083 ,  H01L2224/29084 ,  H01L2224/29109 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29116 ,  H01L2224/29117 ,  H01L2224/29124 ,  H01L2224/29138 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2224/29155 ,  H01L2224/29166 ,  H01L2224/29169 ,  H01L2224/29187 ,  H01L2224/29294 ,  H01L2224/29311 ,  H01L2224/29316 ,  H01L2224/29317 ,  H01L2224/29338 ,  H01L2224/29344 ,  H01L2224/29347 ,  H01L2224/29409 ,  H01L2224/29411 ,  H01L2224/29424 ,  H01L2224/29444 ,  H01L2224/29455 ,  H01L2224/29466 ,  H01L2224/29469 ,  H01L2224/29487 ,  H01L2224/29499 ,  H01L2224/30179 ,  H01L2224/3201 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32227 ,  H01L2224/32503 ,  H01L2224/32505 ,  H01L2224/32507 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83193 ,  H01L2224/83825 ,  H01L2924/1421 ,  H01L2924/3651 ,  H05K3/328 ,  H05K3/3457 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0543 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/00012

Abstract: A bonding element includes a first transient liquid phase (TLP) bonding element including a first material and a second material, the first material having a higher melting point than the second material, a ratio of a quantity of the first material and the second material in the first TLP bonding element having a first value and a second TLP bonding element including the first material and the second material, a ratio of a quantity of the first material and the second material in the second TLP bonding element having a second value different from the first value.

Abstract translation: 结合元件包括包含第一材料和第二材料的第一瞬态液相（TLP）结合元件，第一材料具有比第二材料更高的熔点，一定量的 第一TLP结合元件中的第一材料和第二材料具有第一值，并且第二TLP结合元件包括第一材料和第二材料，第二TLP结合中第一材料和第二材料的量的比例 元素具有不同于第一值的第二值。

公开(公告)号：WO2015000527A1

公开(公告)日：2015-01-08

申请号：PCT/EP2013/064239

申请日：2013-07-05

Applicant: EV GROUP E. THALLNER GMBH

Inventor： REBHAN, Bernhard

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/488 ,  H01L21/66 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01L24/83 ,  H01L22/12 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/743 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03452 ,  H01L2224/03602 ,  H01L2224/03616 ,  H01L2224/0381 ,  H01L2224/05561 ,  H01L2224/05564 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/061 ,  H01L2224/274 ,  H01L2224/2741 ,  H01L2224/27444 ,  H01L2224/2745 ,  H01L2224/27452 ,  H01L2224/27464 ,  H01L2224/2781 ,  H01L2224/2784 ,  H01L2224/27845 ,  H01L2224/29023 ,  H01L2224/29028 ,  H01L2224/29187 ,  H01L2224/8301 ,  H01L2224/83011 ,  H01L2224/83012 ,  H01L2224/83013 ,  H01L2224/83026 ,  H01L2224/8312 ,  H01L2224/83121 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/8383 ,  H01L2224/83907 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/05442 ,  H01L2224/05552

Abstract: Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zum Bonden einer ersten zumindest teilweise metallischen Kontaktfläche eines ersten Substrats (1, 1') mit einer zweiten zumindest teilweise metallischen Kontaktfläche eines zweiten Substrats mit folgenden Schritten, insbesondere folgendem Ablauf: - Aufbringen einer in dem Material mindestens einer der Kontaktflächen zumindest teilweise, insbesondere überwiegend, lösbaren Opferschicht (4) auf mindestens eine der Kontaktflächen, - Bonden der Kontaktflächen unter zumindest teilweisem Lösen der Opferschicht (4) in mindestens einer der Kontaktflächen. Die Kontaktflächen können vollflächig an einem Bondbereich (3) angeordnet sein. Alternativ können die Kontaktflächen aus mehreren Bondbereichen (3') ausgebildet sein, die von Bulkmaterial (5) umgeben oder in Substratkavitäten (2) angeordnet sind. Zur Erzeugung eines Pre-Bonds zwischen den Substraten kann eine Flüssigkeit (z.B. Wasser) verwendet werden.

Abstract translation: 本发明涉及下列序列接合第一基片（1，1“）的第一至少部分是金属的接触表面具有以下步骤的第二基板的在第二至少部分金属接触表面，特别的方法： - 在至少一个的材料施加 接触表面至少部分地，在接触表面中的至少一个，特别是主要释放牺牲层（4） - 键合的接触面的与所述接触表面中的至少一个上的至少所述牺牲层（4）的部分溶解。 接触表面可以在粘合区域（3）被布置在整个表面上。 替代地，多个键合部（3“）的接触表面可以被形成，或者通过（2）被布置在Substratkavitäten散装材料（5）环绕。 为了制备底物之间的预定键可以是液体（例如，水）被使用。

公开(公告)号：WO2016073460A1

公开(公告)日：2016-05-12

申请号：PCT/US2015/058802

申请日：2015-11-03

Applicant: THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF CALIFORNIA

Inventor： DAYEH, Shadi A. ,  CHEN, Renjie

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/447

CPC classification number: H01L24/83 ,  G02B6/13 ,  H01L21/185 ,  H01L21/187 ,  H01L21/28575 ,  H01L21/8252 ,  H01L21/8258 ,  H01L24/29 ,  H01L27/0605 ,  H01L2224/29082 ,  H01L2224/29155 ,  H01L2224/29164 ,  H01L2224/29166 ,  H01L2224/29171 ,  H01L2224/29184 ,  H01L2224/29187 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/8383 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/05432 ,  H01L2924/05442 ,  H01L2924/20107 ,  H01S5/0215

Abstract: A method for integrating III-V semiconductor materials onto a rigid host substrate deposits a thin layer of reactive metal film on the rigid host substrate. The layer can also include a separation layer of unreactive metal or dielectric, and can be patterned. The unreactive metal pattern can create self-aligned device contacts after bonding is completed. The III-V semiconductor material is brought into contact with the thin layer of reactive metal. Bonding is by a low temperature heat treatment under a compressive pressure. The reactive metal and the functional semiconductor material are selected to undergo solid state reaction and form a stable alloy under the low temperature heat treatment without degrading the III-V material. A semiconductor device of the invention includes a functional III-V layer bonded to a rigid substrate via an alloy of a component of the functional III-V layer and a metal that bonds to the rigid substrate.

Abstract translation: 将III-V半导体材料集成到刚性主体衬底上的方法在刚性主体衬底上沉积薄层的反应性金属膜。 该层还可以包括非反应性金属或电介质的分离层，并且可以被图案化。 接合完成后，非反应性金属图案可以产生自对准的器件触点。 III-V族半导体材料与薄层的反应性金属接触。 粘合是通过在压缩压力下的低温热处理。 选择反应性金属和功能性半导体材料进行固相反应，并在低温热处理下形成稳定的合金，而不降解III-V材料。 本发明的半导体器件包括通过功能III-V层的组分与键合到刚性衬底的金属的合金结合到刚性衬底的功能III-V层。

公开(公告)号：WO2014015912A1

公开(公告)日：2014-01-30

申请号：PCT/EP2012/064736

申请日：2012-07-26

Applicant: EV GROUP E. THALLNER GMBH ,  WIMPLINGER, Markus

Inventor： WIMPLINGER, Markus

IPC: H01L21/60

CPC classification number: H01L24/83 ,  B32B37/24 ,  B32B38/0008 ,  B32B2037/243 ,  B32B2037/246 ,  B32B2457/14 ,  C23C14/08 ,  C23C14/081 ,  C23C14/086 ,  C23C16/40 ,  C23C16/403 ,  C23C16/407 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/75 ,  H01L31/18 ,  H01L2224/2741 ,  H01L2224/27418 ,  H01L2224/2745 ,  H01L2224/27452 ,  H01L2224/278 ,  H01L2224/27848 ,  H01L2224/2908 ,  H01L2224/29187 ,  H01L2224/29287 ,  H01L2224/29394 ,  H01L2224/29395 ,  H01L2224/3201 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32501 ,  H01L2224/7501 ,  H01L2224/75101 ,  H01L2224/83001 ,  H01L2224/83002 ,  H01L2224/83011 ,  H01L2224/83012 ,  H01L2224/83013 ,  H01L2224/83065 ,  H01L2224/83075 ,  H01L2224/8322 ,  H01L2224/8383 ,  H01L2224/83896 ,  H01L2224/83907 ,  H01L2924/01009 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01031 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/053 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/20102 ,  H01L2924/0549 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/0531 ,  H01L2924/01001 ,  H01L2924/01008 ,  H01L2924/00

Abstract: Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zum Bonden einer ersten Kontaktfläche (3) eines ersten, zumindest überwiegend transparenten Substrats (1) mit einer zweiten Kontaktfläche (4) eines zweiten, zumindest überwiegend transparenten Substrats (2), wobei an mindestens einer der Kontaktflächen zum Bonden ein Oxid verwendet wird, aus dem eine zumindest überwiegend transparente Verbindungsschicht ( 14) mit: einer elektrischen Leitfähigkeit von mindestens 10e1 S/cm 2 (Messung: Vierpunktmethode, bezogen auf Temperatur von 300K) und einem optischen Transmissionsgrad größer 0,8 (für einen Wellenlängenbereich von 400 nm bis 1500 nm) an der ersten und zweiten Kontaktfläche (3, 4) ausgebildet wird.

Abstract translation: 本发明涉及一种接合第一接触表面的方法（3）的第一，至少基本上透明的基板（1）具有第二接触表面（4）的第二的，至少基本上透明的基板（2），其中，所述用于接合的接触表面的至少一个 使用氧化物，从其中至少主要透明粘接层（14），包括：至少10E1 S / cm 2的导电性（测量：四点基于的300K温度的方法），和光透射比大于0.8（为一个波长范围内的 在第一和第二接触表面（3 400纳米至1500纳米），4形成）。

公开(公告)号：WO2012096909A2

公开(公告)日：2012-07-19

申请号：PCT/US2012/020704

申请日：2012-01-10

Applicant: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION ,  FAROOQ, Mukta, G ,  GRAVES-ABE, Troy, L. ,  HANNON, Robert ,  KINSER, Emily, R ,  LANDERS, William, F ,  PETRARCA, Kevin, S ,  VOLANT, Richard, P ,  WINSTEL, Kevin, R.

Inventor： FAROOQ, Mukta, G ,  GRAVES-ABE, Troy, L. ,  HANNON, Robert ,  KINSER, Emily, R ,  LANDERS, William, F ,  PETRARCA, Kevin, S ,  VOLANT, Richard, P ,  WINSTEL, Kevin, R.

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/76898 ,  H01L21/8221 ,  H01L23/544 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L24/94 ,  H01L25/0657 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2224/29187 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/83896 ,  H01L2224/9202 ,  H01L2224/94 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06593 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1431 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/1436 ,  H01L2224/83

Abstract: A method of forming alignment marks in three dimensional (3D) structures and corresponding structures are disclosed. The method includes forming apertures (126) in a first surface of a first semiconductor substrate; joining the first surface of the first semiconductor substrate to a first surface of a second semiconductor substrate; thinning the first semiconductor on a second surface of the first semiconductor substrate to provide optical contrast between the apertures and the first semiconductor substrate (116); and aligning a feature on the second surface of the first semiconductor substrate using the apertures as at least one alignment mark.

Abstract translation: 公开了一种在三维（3D）结构和对应结构中形成对准标记的方法。 该方法包括在第一半导体衬底的第一表面中形成孔（126）; 将第一半导体衬底的第一表面接合到第二半导体衬底的第一表面; 在第一半导体衬底的第二表面上减薄第一半导体以提供孔和第一半导体衬底（116）之间的光学对比度。 以及使用所述孔将所述第一半导体衬底的所述第二表面上的特征对准为至少一个对准标记。

公开(公告)号：WO2014019598A1

公开(公告)日：2014-02-06

申请号：PCT/EP2012/064851

申请日：2012-07-30

Applicant: THALLNER, Erich

Inventor： THALLNER, Erich

IPC: H01L21/683

CPC classification number: B32B37/0076 ,  B32B7/045 ,  B32B37/18 ,  B32B2457/14 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/10 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/544 ,  H01L24/05 ,  H01L24/08 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/75 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L24/94 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/68318 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2223/54493 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05557 ,  H01L2224/05558 ,  H01L2224/0556 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/14145 ,  H01L2224/276 ,  H01L2224/29011 ,  H01L2224/29014 ,  H01L2224/2902 ,  H01L2224/29187 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32052 ,  H01L2224/32055 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32502 ,  H01L2224/32506 ,  H01L2224/73104 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/75251 ,  H01L2224/75253 ,  H01L2224/75822 ,  H01L2224/75824 ,  H01L2224/81143 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/831 ,  H01L2224/83193 ,  H01L2224/832 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2224/94 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/10155 ,  H01L2924/351 ,  Y10T156/10 ,  Y10T428/24826 ,  Y10T428/24942 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/291 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/00

Abstract: Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Bonden eines ersten Substrats (1) mit einem zweiten Substrat (7) mit folgenden Schritten, insbesondere folgendem Ablauf: • - Kontaktierung einer ersten Kontaktfläche (1k) des ersten Substrats (1) mit einer parallel zur ersten Kontaktfläche (1k) ausgerichteten zweiten Kontaktfläche (18k) des zweiten Substrats (7), wodurch eine gemeinsame Kontaktfläche (22) gebildet wird, • - Herstellung einer punktuellen, stoffschlüssigen Verbindung (11") zwischen dem ersten Substrat (1) und dem zweiten Substrat (7) außerhalb der gemeinsamen Kontaktfläche (22). Weiterhin betrifft die Erfindung eine korrespondierende Vorrichtung und einen Substratverbund aus einem ersten Substrat (1) und einem zweiten Substrat (7), bei dem eine erste Kontaktfläche (lk) des ersten Substrats (1) mit einer parallel zur ersten Kontaktfläche (1k) ausgerichteten zweiten Kontaktfläche (18k) des zweiten Substrats (7) eine gemeinsame Kontaktfläche (22) bildet, wobei außerhalb der gemeinsamen Kontaktfläche (22) eine punktuelle, stoffschlüssige Verbindung zwischen dem ersten Substrat (1) und dem zweiten Substrat (7) besteht.

Abstract translation: 本发明涉及一种方法，用于与第二基片（7），具有以下步骤接合第一基板（1），尤其是以下序列：。 - 接触第一衬底的第一接触表面（1K）（1）对准平行于第二基板（7），由此形成一个共同的接触表面（22）的第一接触表面（1K）的第二接触表面（18K）的平面中。 - 所述第一基板之间的选择性，材料锁定连接（11“）的制备（1）和第二基板（7）的共同接触面的外侧（22）此外，本发明涉及相应的设备和第一衬底的复合衬底（1） 和第二基板（7），其中，所述第一基板（1）与所述第二基板的平行对准的第一接触面（1K）的第二接触表面（18K）的第一接触表面（LK）（7）形成的共通的接触表面（22） 其中（1）和第二基板（7）有所述第一基板之间的共用接触表面（22）外的选择性，材料锁定连接。

公开(公告)号：WO2012096909A3

公开(公告)日：2013-01-17

申请号：PCT/US2012020704

申请日：2012-01-10

Applicant: IBM ,  FAROOQ MUKTA G ,  GRAVES-ABE TROY L ,  HANNON ROBERT ,  KINSER EMILY R ,  LANDERS WILLIAM F ,  PETRARCA KEVIN S ,  VOLANT RICHARD P ,  WINSTEL KEVIN R

Inventor： FAROOQ MUKTA G ,  GRAVES-ABE TROY L ,  HANNON ROBERT ,  KINSER EMILY R ,  LANDERS WILLIAM F ,  PETRARCA KEVIN S ,  VOLANT RICHARD P ,  WINSTEL KEVIN R

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/76898 ,  H01L21/8221 ,  H01L23/544 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L24/94 ,  H01L25/0657 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2224/29187 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/83896 ,  H01L2224/9202 ,  H01L2224/94 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06593 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1431 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/1436 ,  H01L2224/83

Abstract: A method of forming alignment marks in three dimensional (3D) structures and corresponding structures are disclosed. The method includes forming apertures (126) in a first surface of a first semiconductor substrate; joining the first surface of the first semiconductor substrate to a first surface of a second semiconductor substrate; thinning the first semiconductor on a second surface of the first semiconductor substrate to provide optical contrast between the apertures and the first semiconductor substrate (116); and aligning a feature on the second surface of the first semiconductor substrate using the apertures as at least one alignment mark.

Abstract translation: 公开了一种在三维（3D）结构和对应结构中形成对准标记的方法。 该方法包括在第一半导体衬底的第一表面中形成孔（126）; 将第一半导体衬底的第一表面接合到第二半导体衬底的第一表面; 在第一半导体衬底的第二表面上减薄第一半导体以提供孔和第一半导体衬底（116）之间的光学对比度。 以及使用所述孔将所述第一半导体衬底的所述第二表面上的特征对准为至少一个对准标记。

公开(公告)号：WO2012106183A1

公开(公告)日：2012-08-09

申请号：PCT/US2012/022801

申请日：2012-01-26

Applicant: MEGICA CORPORATION ,  LIN, Mou-Shiung ,  YANG, Ping-Jung ,  LO, Hsin-Jung ,  LIU, Te-Sheng ,  LEE, Jin-Yuan

Inventor： LIN, Mou-Shiung ,  YANG, Ping-Jung ,  LO, Hsin-Jung ,  LIU, Te-Sheng ,  LEE, Jin-Yuan

IPC: H01L21/98 ,  H01L25/065 ,  H01L21/762 ,  H01L21/768 ,  H01L23/48 ,  H01L21/683 ,  H01L21/8234

CPC classification number: H01L25/0657 ,  H01L21/76229 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/80 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L24/94 ,  H01L24/97 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/6835 ,  H01L2221/68377 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/05187 ,  H01L2224/05558 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/08145 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/29187 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48145 ,  H01L2224/48147 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/48599 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/48655 ,  H01L2224/48724 ,  H01L2224/48755 ,  H01L2224/48799 ,  H01L2224/48824 ,  H01L2224/48855 ,  H01L2224/80896 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/83896 ,  H01L2224/9202 ,  H01L2224/9212 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06544 ,  H01L2225/06562 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01058 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01087 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10271 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/10335 ,  H01L2924/12036 ,  H01L2924/1205 ,  H01L2924/1206 ,  H01L2924/1207 ,  H01L2924/1436 ,  H01L2924/1437 ,  H01L2924/1438 ,  H01L2924/1441 ,  H01L2924/1451 ,  H01L2924/14511 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2224/80 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/8203 ,  H01L2224/821 ,  H01L2224/80001 ,  H01L2224/82

Abstract: Multichip packages or multichip modules may include stacked chips and through silicon/substrate vias (TSVs) formed using enclosure-first technology. Enclosure-first technology may include forming an isolation enclosure associated with a TSV early in the fabrication process, without actually forming the associated TSV. The TSV associated with the isolation enclosure is formed later in the fabrication process. The enclosure-first technology allows the isolation enclosures to be used as alignment marks for stacking additional chips. The stacked chips can be connected to each other or to an external circuit such that data input is provided through the bottom-most (or topmost) chip, data is output from the bottom-most (or topmost) chip. The multichip package may provide a serial data connection, and a parallel connection, to each of the stacked chips.

Abstract translation: 多芯片封装或多芯片模块可以包括堆叠芯片和通过使用封装第一技术形成的硅/衬底通孔（TSV）。 外壳首先技术可以包括在制造过程的早期形成与TSV相关联的隔离外壳，而不实际形成相关的TSV。 与隔离罩相关联的TSV在制造过程中稍后形成。 封装第一技术允许隔离外壳用作堆叠附加芯片的对准标记。 堆叠的芯片可以彼此连接或连接到外部电路，使得通过最底部（或最上面）芯片提供数据输入，数据从最底部（或最顶端）的芯片输出。 多芯片封装可以向每个堆叠的芯片提供串行数据连接和并联连接。

公开(公告)号：WO2004109792A1

公开(公告)日：2004-12-16

申请号：PCT/DE2004/001090

申请日：2004-05-26

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG ,  JEREBIC, Simon ,  THEUSS, Horst ,  POHL, Jens

Inventor： JEREBIC, Simon ,  THEUSS, Horst ,  POHL, Jens

IPC: H01L21/58

CPC classification number: H01L24/71 ,  H01L23/4827 ,  H01L23/562 ,  H01L23/564 ,  H01L24/05 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L24/94 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/274 ,  H01L2224/278 ,  H01L2224/29138 ,  H01L2224/29155 ,  H01L2224/29157 ,  H01L2224/2916 ,  H01L2224/29187 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/75733 ,  H01L2224/83121 ,  H01L2224/83143 ,  H01L2224/83193 ,  H01L2224/839 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/95144 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0101 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01052 ,  H01L2924/01064 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01084 ,  H01L2924/01105 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/35121 ,  H01L2224/85399 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/27 ,  H01L2924/00012

Abstract: Die Erfindung betrifft ein elektronisches Bauteil sowie einen Halbleiterwafer und einen Bauteilträger zur Herstellung des Bauteils. Das elektronische Bauteil weist dazu einen Halbleiterchip (1) mit einer eine integrierte Schaltung aufweisenden Chipoberseite (2) und einer Chiprückseite (3) auf, wobei die Chiprückseite (3) eine magnetische Schicht (7) hat. Außerdem weist ein Chipträger an seiner Trägeroberseite (5) ebenfalls eine magnetische Schicht (8) auf. Mindestens eine der beiden Schichten (7, 8) ist permanentmagnetisch, so dass der Halbleiterchip auf dem Chipträger (5) magnetisch fixiert ist.

Abstract translation: 本发明涉及一种电子元件和半导体晶片和用于制造所述部件的分量载波。 电子部件是用于此目的（1）和具有顶部的集成电路芯片的半导体芯片（2）和一个芯片背面（3），其中，所述芯片背面（3）具有的磁性层（7）。 此外，还具有在其载体顶（5），以磁性层（8）的芯片载体。 至少两个层中的一个（7,8）是具有永久磁性，从而使芯片载体（5）上的半导体芯片被磁性固定。

公开(公告)号：WO2017005492A1

公开(公告)日：2017-01-12

申请号：PCT/EP2016/064454

申请日：2016-06-22

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： WENDT, Mathias

IPC: C04B37/00 ,  C04B37/02 ,  C04B37/04 ,  H01L33/00 ,  H01L25/075

CPC classification number: H01L24/29 ,  C03C27/08 ,  C04B37/003 ,  C04B37/005 ,  C04B37/006 ,  C04B37/025 ,  C04B37/026 ,  C04B37/04 ,  C04B2237/06 ,  C04B2237/12 ,  C04B2237/30 ,  C04B2237/343 ,  C04B2237/36 ,  C04B2237/368 ,  C04B2237/40 ,  C04B2237/54 ,  C04B2237/60 ,  C04B2237/708 ,  C04B2237/72 ,  C23C14/086 ,  H01L24/83 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/06 ,  H01L33/08 ,  H01L33/30 ,  H01L33/32 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/29187 ,  H01L2224/83896 ,  H01L2933/0066

Abstract: Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Verbinden von zumindest zwei Komponenten (1, 2) mit den Schritten: A) Bereitstellen zumindest einer ersten Komponente (1) und einer zweiten Komponente (2), B) Aufbringen zumindest einer Spenderschicht (3) auf die erste und/oder die zweite Komponente (1, 2), wobei die Spenderschicht (3) mit Sauerstoff (31) angereichert ist, C) Aufbringen einer Metallschicht (4) auf die Spenderschicht (3), die erste oder die zweite Komponente (1, 2), D) Aufheizen zumindest der Metallschicht (4) auf eine erste Temperatur (T1), so dass die Metallschicht (4) aufgeschmolzen wird und die erste Komponente (1) und die zweite Komponente (2) miteinander verbunden werden, und E) Aufheizen der Anordnung auf eine zweite Temperatur (T2), so dass der Sauerstoff (31) aus der Spenderschicht (3) in die Metallschicht (4) übergeht und die Metallschicht (4) sich zu einer stabilen Metalloxidschicht (5) umwandelt, wobei die Metalloxidschicht (5) eine höhere Schmelztemperatur als die Metallschicht (4) aufweist, wobei zumindest die Spenderschicht (3) und die Metalloxidschicht (5) die erste Komponente (1) mit der zweiten Komponente (2) miteinander verbindet.

Abstract translation: 本发明涉及一种接合至少两个部件的方法（1,2），包括以下步骤：（1）和第二部件（2），B）施加至少一个供体层（3），以第一A）提供至少一个第一部件 和/或所述第二部件（1,2），所述施体层（3）富含氧（31），C）供体层（3）上施加金属层（4），所述第一或第二部件（1， 2）中，d）加热至少所述金属层（4）（到第一温度T1），使得金属层（4）被熔化，并且将第一构件（1）和所述第二部件（2）连接在一起，以及e） 将组件加热到一个第二温度（T2），使得从在所述金属层（4）的施体层（3）中的氧（31）通过与所述金属层（4）被转换成一个稳定的金属氧化物层（5），其中所述金属氧化物层 （5）较高的熔融温度比 金属层（4），其中，至少所述施体层（3）和金属氧化物层（5），第一部件（1）与第二构件（2）连接在一起。