公开(公告)号：WO2014144267A1

公开(公告)日：2014-09-18

申请号：PCT/US2014/028601

申请日：2014-03-14

申请人： ATIEVA, INC.

发明人： TANG, Yifan ,  PHUNG, Anh

IPC分类号： H02M7/42

CPC分类号： H03K17/107 ,  H02M7/003 ,  H03K17/127 ,  H05K1/0265 ,  H05K2201/10166

摘要： A power drive apparatus is provided. The apparatus includes a first switch having a first plurality of power devices arranged in a back to back configuration within adjacent stacked rows of the first switch. The apparatus includes a second switch having a second plurality of power devices arranged in a back to back configuration within adjacent stacked rows of the second switch. A bus is shared with the first switch and the second switch. The apparatus includes a control drive device coupled to a gate of each power device of the first plurality of power devices and each power device of the second plurality of power devices.

摘要翻译： 提供电力驱动装置。 该装置包括第一开关，该第一开关具有在第一开关的相邻堆叠行中以背靠背配置布置的第一多个功率器件。 该装置包括第二开关，该第二开关具有在第二开关的相邻堆叠行中以背对背配置布置的第二多个功率器件。 总线与第一开关和第二开关共用。 该装置包括耦合到第一多个功率器件的每个功率器件的栅极和第二个多个功率器件的每个功率器件的控制驱动器件。

公开(公告)号：WO2013093418A1

公开(公告)日：2013-06-27

申请号：PCT/GB2012/053023

申请日：2012-12-06

申请人： AMANTYS LTD

发明人： SNOOK, Mark ,  SHELTON, Edward ,  PARKER, Stephen ,  VIT, Matteo

IPC分类号： H02M1/088 ,  H03K17/12 ,  H03K17/10 ,  H03K17/16

CPC分类号： H03K17/16 ,  H02M1/088 ,  H03K17/10 ,  H03K17/107 ,  H03K17/12 ,  H03K17/127 ,  H03K17/163 ,  Y10T307/76

摘要： We describe a system for controlling very large numbers of power semiconductor switching devices (132) to switch in synchronisation. The devices are high power devices, for example carrying hundreds of amps and/or voltages of the order of kilovolts. In outline the system comprises a coordinating control system (110, 120), which communicates with a plurality of switching device controllers (130) to control the devices into a plurality of states including a fully-off state, a saturated-on state, and at least one intermediate state between the fully-off and saturated-on states, synchronising the devices in the at least one intermediate state during switching.

摘要翻译： 我们描述了一种用于控制大量功率半导体开关器件（132）以同步切换的系统。 这些器件是大功率器件，例如承载数百安培和/或大约数量级的电压。 概述地，系统包括协调控制系统（110,120），其与多个交换设备控制器（130）进行通信，以将设备控制成多个状态，包括完全关闭状态，饱和开启状态和 在完全关断状态和饱和开启状态之间的至少一个中间状态，在切换期间使装置处于至少一个中间状态。

公开(公告)号：WO2013093410A1

公开(公告)日：2013-06-27

申请号：PCT/GB2012/052859

申请日：2012-11-19

申请人： AMANTYS LTD

发明人： SHELTON, Edward ,  SNOOK, Mark

IPC分类号： H03K17/18 ,  H03K17/082 ,  G08C15/06 ,  H02J13/00 ,  G08C25/02 ,  H03K17/12 ,  H03K17/10 ,  H03K17/16

CPC分类号： H03K3/012 ,  H03K3/013 ,  H03K17/063 ,  H03K17/0822 ,  H03K17/0828 ,  H03K17/107 ,  H03K17/127 ,  H03K17/166 ,  H03K17/168 ,  H03K17/18

摘要： We describe a controller (130) for controlling a power semiconductor switching device (132) into a selected one of a plurality of states, the states including a fully-off state, a saturated-on state, and at least one intermediate state. The switching device controller includes a voltage sense input (142) to sense a voltage on the device; a current sense input (current feedback) to sense a current passing through the device; a negative feedback control circuit (138) coupled to the sense inputs, a control output (136) to provide to the power semiconductor switching device a drive signal with a response dependent on one or more adjustable parameters; and a circuit controller (140) to control the adjustable parameters responsive to state command data, to control the switching device into a selected state, in particular by controlling an effective resistance of the device. Preferred intermediate states include an active low current state and an active low voltage state.

摘要翻译： 我们描述一种用于将功率半导体开关器件（132）控制成多个状态中所选择的一个状态的控制器（130），该状态包括完全关断状态，饱和开启状态和至少一个中间状态。 所述开关装置控制器包括用于感测所述装置上的电压的电压检测输入端（142） 电流感测输入（电流反馈），用于感测通过设备的电流; 耦合到感测输入的负反馈控制电路（138），控制输出（136），以向功率半导体开关装置提供具有取决于一个或多个可调节参数的响应的驱动信号; 以及响应于状态命令数据来控制可调节参数的电路控制器（140），特别是通过控制器件的有效电阻来控制开关器件进入选择状态。 优选的中间状态包括有源低电流状态和有效低电压状态。

公开(公告)号：WO2012175112A1

公开(公告)日：2012-12-27

申请号：PCT/EP2011/060279

申请日：2011-06-21

申请人： ABB TECHNOLOGY AG ,  MONGE, Mauro

发明人： MONGE, Mauro

IPC分类号： H01L23/62 ,  H01L25/07 ,  H01L25/11 ,  H01L23/04 ,  H02M7/00 ,  H01H39/00 ,  H01H79/00

CPC分类号： H01L23/562 ,  H01H39/004 ,  H01H79/00 ,  H01L23/04 ,  H01L25/074 ,  H01L25/115 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/16151 ,  H01L2924/17151 ,  H02M7/003 ,  H03K17/107 ,  H01L2924/00

摘要： A housing (1) for a power semiconductor, providing a compartment (2) for installation of a power semiconductor (3), and comprising a first and a second terminal (4 A, 4B). The terminals (4A, 4B) are for connection of a power semiconductor (3) installed in the compartment, and for leading current to and from the compartment, The housing comprises a contact mechanism (6, 7, 8, 9, 10) for bypassing the compartment, the contact mechanism comprising at least one movable contact (7) arranged for electrically connecting the first and second terminal (4A, 4B), the at least one movable contact (7) being movable between a disconnected first position and a connected second position, in which second position the movable contact (7) connects the terminals (4A, 4B). The contact mechanism further comprising a bypass actuator (8) arranged inside the compartment and provided for transforming a pressure from an exploding semiconductor into motion, the bypass actuator (8) is operatively connected to the movable contact (7) and arranged to move the movable contact (7) from the first to the second position when subjected the pressure of an exploding semiconductor.

摘要翻译： 一种用于功率半导体的壳体（1），提供用于安装功率半导体（3）的隔间（2），并且包括第一和第二端子（4A，4B）。 端子（4A，4B）用于连接安装在隔室中的功率半导体（3），并用于将电流引导到隔室和从隔间引出电流。壳体包括接触机构（6,7,8,9,10），用于 所述接触机构包括设置用于电连接所述第一和第二端子（4A，4B）的至少一个活动触点（7），所述至少一个可动触头（7）可在断开的第一位置和连接 第二位置，其中可动触头（7）连接端子（4A，4B）的第二位置。 所述接触机构还包括旁路致动器（8），所述旁路致动器（8）布置在所述隔室内并用于将来自爆炸半导体的压力转换为运动，所述旁路致动器（8）可操作地连接到所述可动触头（7）并且被布置成使所述可移动 当受到爆炸半导体的压力时，接触（7）从第一位置到第二位置。

公开(公告)号：WO2012175109A1

公开(公告)日：2012-12-27

申请号：PCT/EP2011/060239

申请日：2011-06-20

申请人： ABB RESEARCH LTD ,  HÄFNER, Jürgen ,  HERMANSSON, Willy

发明人： HÄFNER, Jürgen ,  HERMANSSON, Willy

IPC分类号： H03K17/10 ,  H03K17/12 ,  H03K17/78

CPC分类号： H02H9/02 ,  H02M1/32 ,  H03K17/107 ,  H03K17/127 ,  H03K17/18 ,  H03K17/78

摘要： It is presented a gate control circuit comprising: a main gate unit arranged to supply, via a plurality of main gate unit outputs, a gate signal to respective gates of a plurality of power switches, for controlling a main current; and an auxiliary gate unit comprising an optical power converter for converting incoming optical power to an auxiliary electrical gate signal. The auxiliary gate unit is arranged to, when a failure occurs in one of the plurality of power switches, provide the auxiliary electrical gate signal to respective gates of any of the plurality of power switches still being in operation. A corresponding power module and method are also presented.

摘要翻译： 提供了一种门控电路，包括：主门单元，被布置成经由多个主门单元输出将门信号提供给多个功率开关的各个门，用于控制主电流; 以及辅助门单元，其包括用于将输入光功率转换为辅助电门信号的光功率转换器。 辅助门单元被布置为当在多个功率开关中的一个功率开关中发生故障时，将辅助电门信号提供给仍在运行的多个功率开关中的任一个的各个门。 还提出了相应的功率模块和方法。

公开(公告)号：WO02052726A1

公开(公告)日：2002-07-04

申请号：PCT/IB2000/001968

申请日：2000-12-27

IPC分类号： H03K17/30 ,  H03K17/10 ,  H03K17/12 ,  H03K17/687

CPC分类号： H03K17/127 ,  H03K17/10 ,  H03K17/107 ,  H03K17/12

摘要： A method for the dynamic load-balancing of series- and/or parallel-wired power semiconductor circuits (S1...S4) is disclosed. Individual switching signals (iG1, iG2) for the power semiconductor circuits (S1...S4) are generated, whereby a synchronous sampling timepoint (tsj) with system-wide validity is determined independently for each power semiconductor circuit (S1...S4) based on a synchronous event (es) in the whole circuit (1, 4). Error signals between actual values (ai), simultaneously measured at the sampling timepoint (tsj) and given set values (as) of an asynchronous state variable (a(t)) for the power semiconductor circuit (S1...S4), are reduced in the same or subsequent switching cycle. Alternatively, error signals between actual time values (tai) and set time values (tas) are minimised, whereby the set time values (tai) are measured on a global given threshold value ( epsilon a), for an asynchronous state variable (a(t)) for the power semiconductor circuit (S1...S4), being exceeded. Execution examples include: shifting the sampling timepoint (tsj) by a global set time interval ( DELTA t0), set value determination locally or globally, for example by means of averaging actual values (ai, tai), additional balancing of the gradients of asynchronous state variables (a(t)). Absence of a central sampling command, improves switching synchronisation, shortens switching time and reduces dynamic switching losses.

摘要翻译： 它公开了一种用于串联和/或并联连接的功率半导体开关（S1 ... S4）的动态Belastungssymmetrisierung的方法。 功率半导体开关各个开关信号（IG1，IG2）（S1 ... S4）是由一个全系统的有效同步采样时间（TSJ）独立地为一个同步事件（ES）的基础上，每个功率半导体开关（S1 ... S4）产生的（整个电路的 1，4）被确定。 采样时间（TSJ）之间的偏差同时测得的实际值（AI）和预定目标值的功率半导体开关的异步状态变量（（t））的（按）（S1 ... S4）可以在同一或随后的操作循环降低。 可替代地，时间的实际值（TAI）和时间的设定值（TAS）之间的控制偏差被最小化，其中所述时间 - 实际值（TAI）超过全球预定的阈值时（ε-a）一种异步状态变量的功率半导体开关的（A（t））的（S1 ... S4）被测量。 实施方案涉及：通过平均实际值（AI，泰），异步状态变量（一个（t））的梯度的附加对称本地或全球移采样（TSJ）是全球性的预先确定的时间间隔（DELTA吨0），设定点值，例如。 中央采样命令被消除，并且它可以切换缩短同步改进的响应时间和动态开关损耗降低。

公开(公告)号：WO2016185745A1

公开(公告)日：2016-11-24

申请号：PCT/JP2016/055085

申请日：2016-02-22

申请人： シャープ株式会社

发明人： 仲嶋　明生 ,  一條　尚生

IPC分类号： H01L21/822 ,  H01L27/04 ,  H02M7/48 ,  H03K19/003

CPC分类号： H03K17/082 ,  H01L21/822 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/49503 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/49575 ,  H01L24/40 ,  H01L27/04 ,  H01L2224/40137 ,  H01L2224/40245 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/13062 ,  H01L2924/13064 ,  H02M7/003 ,  H03K17/0828 ,  H03K17/107 ,  H03K17/567 ,  H03K19/003 ,  H03K2017/6875 ,  H01L2224/37099

摘要： 低オン抵抗であって、かつ負荷短絡時の耐性の高い複合型半導体装置を提供する。互いにカスコード接続されたノーマリオン型の第１ＦＥＴ（Ｑ１）及びノーマリオフ型の第２ＦＥＴ（Ｑ２）を備えている複合型半導体装置（１０）において、第１ＦＥＴ（Ｑ１）のドレインに印加されている電圧が４００Ｖである場合、複合型半導体装置（１０）に接続された負荷の短絡が開始したタイミングからの経過時間を短絡後経過時間Ｔとし、第２ＦＥＴのオン抵抗の値をＲｏｎＱ２、第１ＦＥＴの閾値電圧をＶＴＨＱ１、第１ＦＥＴのゲート電圧が０Ｖのときの、第１ＦＥＴの飽和状態における第１ＦＥＴのドレイン電流をＩｄｍａｘ１とし、短絡後経過時間Ｔ≧２μｓｅｃの間、第１ＦＥＴの破壊を防ぐ程度に制限したドレイン電流をＩｄｍａｘとするときに以下の式の関係を満たす。

摘要翻译： 提供了具有低导通电阻并且高耐承载负载短路的复合半导体器件。 一种复合半导体器件（10），其具有彼此串联连接的常通的第一FET（Q1）和常关的第二FET（Q2）。 当T是从连接到复合半导体器件（10）的负载的短路开始所经过的时间之后的短路后经过时间，RonQ2是第二FET的导通电阻值， VTHQ1是第一FET的阈值电压，Idmax1是第一FET处于中性状态时的第一FET的漏极电流，第一FET的栅极电压为0V，Idmax为限制第一FET的漏极电流 当短路后经过时间T大于或等于2微秒时，FET断开，当施加到第一FET（Q1）的漏极的电压为400V时，本发明满足给定的公式。

公开(公告)号：WO2016020227A1

公开(公告)日：2016-02-11

申请号：PCT/EP2015/067325

申请日：2015-07-29

申请人： MASCHINENFABRIK REINHAUSEN GMBH

发明人： LEEDHAM, Robert John ,  SNOOK, Mark

IPC分类号： H03K17/10 ,  H03K17/082 ,  H03K17/16

CPC分类号： H03K3/011 ,  H03K17/0828 ,  H03K17/107 ,  H03K17/168 ,  H03K17/567

摘要： A method for voltage balancing series-connected power switching devices (IGBTs) each connected in parallel with a respective diverter having controllable impedance to controllably conduct current diverted from the associated power switching device, the method comprising the step of controlling each diverter to follow a series of at least two successively higher impedance states during an OFF period of the power switching devices. The series of impedance states for each diverter comprises a first impedance and then a second, higher impedance, the first impedance occurring in response to an indication of a start of the OFF period. The first impedance state preferably occurs during a tail current of the power switching device in parallel with the respective diverter and the second or later impedance state during a leakage current of that power switching device.

摘要翻译： 一种用于电压平衡串联电力开关装置（IGBT）的方法，每个电源开关装置（IGBT）均与具有可控阻抗的相应转换器并联连接，以可控地传导从相关联的功率开关装置转移的电流，该方法包括以下步骤：控制每个转向器以跟随一系列 在功率开关器件的OFF周期期间具有至少两个相继较高的阻抗状态。 每个分流器的一系列阻抗状态包括第一阻抗，然后是第二阻抗，较高阻抗，响应于关闭周期的开始的指示而发生第一阻抗。 第一阻抗状态优选地在功率开关器件的尾电流期间与相应的分流器并联并且在该功率开关器件的漏电流期间发生第二或更后的阻抗状态。

公开(公告)号：WO2015145593A1

公开(公告)日：2015-10-01

申请号：PCT/JP2014/058398

申请日：2014-03-26

申请人： 株式会社日立製作所

发明人： 望月　和浩 ,  沖野　泰之

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868 ,  H01L29/872

CPC分类号： H01L29/0619 ,  H01L29/045 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/6606 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/872 ,  H03K17/107 ,  H03K17/567

摘要： 　本発明は，オフ角を有する炭化珪素基板と，ＦＬＲとを有する半導体装置において，優れた耐圧特性を提供することを目的とする。　本発明は，ｎ型のエピタキシャル層が設けられている炭化珪素基板のオフ方向に非対称なＦＬＲの配置とすることで上述の課題を解決する。ひいては，パワーモジュール，電力変換装置，３相モータシステム，自動車，および鉄道車両を低コストで提供することができる。

摘要翻译： 本发明的目的是在具有FLR的半导体器件和具有偏离角的碳化硅衬底上提供出众的耐电压特性。 本发明通过采用在具有n型外延层的碳化硅衬底的偏离方向上不对称的FLR布局来解决上述问题。 因此，可以以低成本提供电力模块，电力转换装置，三相电动机系统，机动车辆和铁路车辆。

公开(公告)号：WO2014177874A2

公开(公告)日：2014-11-06

申请号：PCT/GB2014/051354

申请日：2014-05-01

申请人： THE UNIVERSITY OF MANCHESTER

发明人： CWIKOWSKI, Oliver Nicholas ,  BARNES, Mike ,  SHUTTLEWORTH, Roger

IPC分类号： H02H3/02

CPC分类号： H02H3/025 ,  H01H9/548 ,  H01H33/596 ,  H02H3/087 ,  H02H7/222 ,  H02H7/268 ,  H02H9/023 ,  H02H9/026 ,  H02H9/041 ,  H03K17/08148 ,  H03K17/107 ,  H03K17/127 ,  Y02E40/69

摘要： A circuit breaker and method of controlling Direct Current is disclosed. The circuit breaker has a primary conduction path comprising a positive temperature coefficient (PTC) device with a positive temperature coefficient of resistance and a mechanical switch is connected in series with the PTC device. There is a secondary conduction path with a semiconductor switch arranged in parallel with the PTC device. The PTC device is arranged to commutate current to the secondary conduction path in response to an increase in current through the primary conduction path. The semiconductor switch device is controllable to break current flow through the secondary conduction path.

摘要翻译： 公开了一种断路器和控制直流电流的方法。 断路器具有包括具有正温度系数电阻的正温度系数（PTC）装置和机械开关与PTC装置串联连接的初级导通路径。 存在具有与PTC器件并联布置的半导体开关的次级传导路径。 PTC器件被布置为响应于通过初级导电路径的电流的增加而将电流换向到次级传导路径。 半导体开关器件可控制以破坏通过次级传导路径的电流。