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    半導体モジュール
    1.
    发明申请
    半導体モジュール 审中-公开
    半导体模块

    公开(公告)号：WO2016174698A1

    公开(公告)日：2016-11-03

    申请号：PCT/JP2015/002285

    申请日：2015-04-28

    申请人： 新電元工業株式会社

    发明人： 池田　康亮

    IPC分类号： H01L25/07 ,  H01L23/28 ,  H01L23/29 ,  H01L25/18

    CPC分类号： H01L23/49537 ,  H01L23/3142 ,  H01L23/3675 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/49568 ,  H01L25/071 ,  H01L25/074

    摘要： 半導体モジュール（１００）は、第一部材（１０）と、第二部材（２０）と、第一部材（１０）と第二部材（２０）との間で上下方向に延在する導体柱（３１）と、第一部材（１０）の第一導体層（１２）及び第一パワーデバイス（１３）、第二部材（２０）の第二導体層（２２）及び第二パワーデバイス（２３）並びに導体柱（３１）を覆う封止樹脂（８０）と、を有している。第一パワーデバイス（１３）と第二パワーデバイス（２３）の水平面における位置がずれており、第一パワーデバイス（１３）に接続された第一接続部（４６）の上下方向には第二導体層（２２）が設けられておらず、第二パワーデバイス（２３）に接続された第二部材（２０）の第二接続部（５６）の上下方向には第一導体層（１２）が設けられていない。

    摘要翻译： 一种半导体模块（100），具有：第一构件（10）; 第二构件（20）; 在所述第一构件（10）和所述第二构件（20）之间沿垂直方向延伸的导体柱（31）; 以及覆盖所述第一构件（10）中的第一导体层（12）和第一功率器件（13）的密封树脂（80），所述第二构件（20）中的第二导体层（22）和第二功率器件 ）和导体柱（31）。 第一电力装置（13）和第二电力装置（23）的水平位置偏移，第二导体层（22）不设置在与第一电力装置（13）连接的第一连接部（46）的上下方向 （13），第一导体层（12）不设置在第二构件（20）的第二连接部（56）的上下方向上，与第二电力装置（23）连接。

    SPANNVERBAND MIT FEDEREINRICHTUNG
    3.
    发明申请
    SPANNVERBAND MIT FEDEREINRICHTUNG 审中-公开
    与弹簧装置SPAN协会

    公开(公告)号：WO2016000775A1

    公开(公告)日：2016-01-07

    申请号：PCT/EP2014/064179

    申请日：2014-07-03

    申请人： SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT

    发明人： BÖHM, Matthias ,  BREHM, Holger Siegmund ,  SCHMITT, Daniel

    IPC分类号： H01L25/11 ,  H01L25/07

    CPC分类号： H01L24/72 ,  H01L23/367 ,  H01L25/074 ,  H01L25/117 ,  H01L25/18 ,  H01L2924/0002 ,  H02M3/158 ,  H01L2924/00

    摘要： Die Erfindung betrifft einen Spannverband (1) mit einer Anordnung (2) mechanisch verspannter, stapelweise aneinander anliegender Bauelemente mit einer Federeinrichtung sowie einer Spannvorrichtung zum Erzeugen mechanischer Druckkraft auf die Anordnung (2) der Bauelemente. Die Erfindung zeichnet sich dadurch aus, dass die Federeinrichtung eine von einer Vielzahl von nebeneinander angeordneten und miteinander verbundenen Tellerfederelementen (31) gebildete Federplatte (3) ist. Ferner betrifft die Erfindung ein Submodul eines Umrichters mit wenigstens einer Reihenschaltung von Leistungshalbleiterschalteinheiten und einem dazu in einer Parallelschaltung angeordneten Energiespeicher, bei dem die Reihenschaltung der Leistungshalbleiterschalteinheiten in der Spannvorrichtung realisiert ist.

    摘要翻译： 本发明涉及一种夹紧敷料（1），其具有的阵列（2）的机械应变，抵接元件与弹簧装置和用于产生机械压缩力施加到部件的组件（2）的张紧装置的堆叠。 本发明的特征在于，所述弹簧装置布置在多个相邻的和互连的盘簧元件（31）中的一个上形成的弹簧板（3）。 此外，本发明涉及一种转换器的子模块与至少的功率半导体开关单元的串联电路以及设置在能量储存器的并联电路中，向其中在所述电力用半导体开关在夹紧装置实现单元的串联电路。

    SEMICONDUCTOR ASSEMBLY
    4.
    发明申请
    SEMICONDUCTOR ASSEMBLY 审中-公开
    半导体大会

    公开(公告)号：WO2014086427A1

    公开(公告)日：2014-06-12

    申请号：PCT/EP2012/074722

    申请日：2012-12-07

    申请人： ABB TECHNOLOGY LTD

    发明人： EKWALL, Olle ,  DORE, Erik ,  DUGAL, Franc ,  SCHNELL, Raffael

    IPC分类号： H01L25/07 ,  H01L25/16 ,  H01L23/40 ,  H02M7/00 ,  H05K7/14

    CPC分类号： H01L23/4012 ,  H01L23/3675 ,  H01L23/4006 ,  H01L23/473 ,  H01L24/72 ,  H01L25/071 ,  H01L25/074 ,  H01L25/117 ,  H01L25/16 ,  H01L2023/4031 ,  H01L2023/4081 ,  H01L2023/4087 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H02M7/003 ,  H05K7/209 ,  H01L2924/00

    摘要： A semiconductor assembly (10) comprises a stack (38) with a semiconductor module (20a) and a cooler (30a), wherein the semiconductor module (20a) is provided in contact with the cooler (30a). A clamping assembly (40) is adapted to exert a force (F) on the two sides of the stack. The stack is provided with a through hole (26, 36) between the two sides thereof and a part of the clamping assembly (40) comprises an electrically conductive part which extends through the through hole (26, 36) of the stack. Thereby, a compact mechanical arrangement is provided while obtaining improved electrical properties, such as lower inductance and more even current distribution.

    摘要翻译： 半导体组件（10）包括具有半导体模块（20a）和冷却器（30a）的堆叠（38），其中半导体模块（20a）设置成与冷却器（30a）接触。 夹紧组件（40）适于在堆叠的两侧施加力（F）。 该堆叠在其两侧之间设置有通孔（26,36），并且夹紧组件（40）的一部分包括延伸穿过堆叠件的通孔（26,36）的导电部件。 由此，提供紧凑的机械布置，同时获得改进的电性能，例如较低的电感和更均匀的电流分布。

    INTEGRATION OF GALLIUM NITRIDE LEDS WITH ALUMINUM GALLIUM NITRIDE/GALLIUM NITRIDE DEVICES ON SILICON SUBSTRATES FOR AC LEDS
    5.
    发明申请
    INTEGRATION OF GALLIUM NITRIDE LEDS WITH ALUMINUM GALLIUM NITRIDE/GALLIUM NITRIDE DEVICES ON SILICON SUBSTRATES FOR AC LEDS 审中-公开
    氮化镓LED与氮化镓/氮化镓装置在用于交流LED的硅衬底上的集成

    公开(公告)号：WO2013128410A1

    公开(公告)日：2013-09-06

    申请号：PCT/IB2013/051613

    申请日：2013-02-28

    申请人： KONINKLIJKE PHILIPS N.V.

    发明人： CHUNG, Theodore

    IPC分类号： H01L27/15 ,  H01L27/06 ,  H05B33/08 ,  H01L33/22 ,  H01L33/38

    CPC分类号： H01L33/007 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/074 ,  H01L25/0756 ,  H01L27/0605 ,  H01L27/0694 ,  H01L27/15 ,  H01L33/0025 ,  H01L33/0033 ,  H01L33/06 ,  H01L33/22 ,  H01L33/382 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

    摘要： A method for fabricating an epitaxial structure includes providing a substrate (102, 202, 302, 402) and a heterojunction stack on a first side the substrate, and forming a GaN light emitting diode stack (134) on a second side of the substrate. The heterojunction stack includes an undoped gallium nitride (GaN) layer and a doped aluminum gallium nitride (AIGaN) layer on the undoped GaN layer. The GaN light emitting diode stack (134) includes an n-type GaN layer (136) over the substrate, a GaN/indium gallium nitride (InGaN) multiple quantum well (MQW) structure (138) over the n-type GaN layer, a p-type AIGaN layer (140) over the n-type GaN/lnGaN MQW structure, and a p-type GaN layer (142) over the p-type AIGaN layer.

    摘要翻译： 一种用于制造外延结构的方法包括：在所述衬底的第一侧上提供衬底（102,202,302,402）和异质结叠层，以及在所述衬底的第二侧上形成GaN发光二极管叠层（134）。 异质结堆叠包括在未掺杂的GaN层上的未掺杂的氮化镓（GaN）层和掺杂的氮化镓铝（AlGaN）层。 GaN发光二极管堆叠（134）在衬底上包括n型GaN层（136），在n型GaN层上的GaN /铟镓氮（InGaN）多量子阱（MQW）结构（138） n型GaN / InGaN MQW结构上的p型AlGaN层（140）和p型AlGaN层上的p型GaN层（142）。

    A VOLTAGE SOURCE CONVERTER
    10.
    发明申请
    A VOLTAGE SOURCE CONVERTER 审中-公开
    电压源转换器

    公开(公告)号：WO2009115124A1

    公开(公告)日：2009-09-24

    申请号：PCT/EP2008/053386

    申请日：2008-03-20

    申请人： ABB TECHNOLOGY AG ,  JACOBSON, Björn ,  ASPLUND, Gunnar

    发明人： JACOBSON, Björn ,  ASPLUND, Gunnar

    IPC分类号： H01L25/07 ,  H01L25/11

    CPC分类号： H02M7/003 ,  H01L24/72 ,  H01L25/074 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/1301 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19043 ,  H02M7/483 ,  H02M2007/4835 ,  H01L2924/00

    摘要： A Voltage Source Converter having at least one phase leg connected to opposite poles of a direct voltage side of the converter and comprising a series connection of switching elements (7!) including at least one energy storing capacitor and configured to obtain two switching states, namely a first switching state and a second switching state, in which the voltage across said at least one energy storing capacitor and a zero voltage, respectively, is applied across the terminals of the switching element, has semiconductor chips of said switching elements arranged in stacks (S) comprising each at least two semiconductor chips. The converter comprises an arrangement (39) configured to apply a pressure to opposite ends of each stack.

    摘要翻译： 一种电压源转换器，具有连接到转换器的直流电压侧的相反极点的至少一个相位支路，并且包括包括至少一个储能电容器并被配置为获得两种开关状态的开关元件（7'）的串联连接，即， 分别在开关元件的端子上施加跨所述至少一个储能电容器和零电压的电压的第一开关状态和第二开关状态具有布置成堆叠的所述开关元件的半导体芯片（ S）包括每个至少两个半导体芯片。 转换器包括被配置为向每个堆叠的相对端施加压力的装置（39）。