公开(公告)号：CN105960712A

公开(公告)日：2016-09-21

申请号：CN201580007515.7

申请日：2015-02-05

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 肥塚纯一 ,  神长正美 ,  岛行德 ,  黒崎大辅 ,  中田昌孝 ,  山崎舜平

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/30 ,  H01L21/336 ,  H01L21/822 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/04 ,  H01L27/06 ,  H01L27/08 ,  H01L27/088 ,  H01L51/50 ,  H05B33/14

Abstract: 提供一种包括氧化物半导体的通态电流大的半导体装置。该半导体装置包括设置在驱动电路部的第一晶体管和设置在像素部的第二晶体管；第一晶体管和第二晶体管的结构不同。并且，第一晶体管和第二晶体管具有顶栅结构。在各晶体管的氧化物半导体膜中，在不与栅电极重叠的区域中包含杂质元素。氧化物半导体膜中的包含杂质元素的区域具有低电阻区域的功能。另外，氧化物半导体膜中的包含杂质元素的区域与包含氢的膜接触。另外，也可以包括在包含氢的膜的开口部中与包含杂质元素的区域接触且具有源电极以及漏电极的功能的导电膜。设置在驱动电路部的第一晶体管包括在其间隔着氧化物半导体膜的两个栅电极。

公开(公告)号：CN105931967A

公开(公告)日：2016-09-07

申请号：CN201610352570.6

申请日：2012-04-18

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 肥塚纯一 ,  山出直人 ,  佐藤裕平 ,  岡崎豊 ,  山崎舜平

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/1274 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/02667 ,  H01L21/383 ,  H01L21/44 ,  H01L21/477 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明的课题之一是给使用氧化物半导体的半导体装置赋予稳定的电特性，而使该半导体装置高可靠性化。在包括氧化物半导体膜的晶体管的制造工序中，形成包括具有大致垂直于其表面的c轴的结晶的氧化物半导体膜(也称为第一晶体氧化物半导体膜)，对该氧化物半导体膜引入氧而使其至少一部分非晶化来形成包含过剩的氧的非晶氧化物半导体膜。在该非晶氧化物半导体膜上形成氧化铝膜之后，进行加热处理而使该非晶氧化物半导体膜的至少一部分结晶化，来形成包括具有大致垂直于其表面的结晶的氧化物半导体膜(也称为第二晶体氧化物半导体膜)。

公开(公告)号：CN104078471A

公开(公告)日：2014-10-01

申请号：CN201410329038.3

申请日：2009-12-23

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 小山润 ,  坂田淳一郎 ,  丸山哲纪 ,  井本裕己 ,  浅野裕治 ,  肥塚纯一

IPC: H01L27/12 ,  H03K19/00

CPC classification number: H01L27/1255 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/127 ,  H01L28/20 ,  H01L29/24 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明涉及半导体装置，其中提供一种利用使用被电特性控制的氧化物半导体层而制造的电阻元件及薄膜晶体管的驱动电路、以及利用该驱动电路的半导体装置。在用作电阻元件(354)的氧化物半导体层(905)上直接接触地设置利用使用含有硅烷(SiH4)以及氨(NH3)等的氢化合物的气体的等离子体CVD法而形成的氮化硅层(910)，并且在用作薄膜晶体管(355)的氧化物半导体层(906)上隔着用作阻挡层的氧化硅层(909)地设置氮化硅层(910)。因此，对氧化物半导体层(905)引入比氧化物半导体层(906)更高浓度的氢。其结果，用作电阻元件(354)的氧化物半导体层(905)的电阻值低于用作薄膜晶体管(355)的氧化物半导体层(906)的电阻值。

公开(公告)号：CN101740632B

公开(公告)日：2014-08-20

申请号：CN200910220860.5

申请日：2009-11-06

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  坂田淳一郎 ,  丸山哲纪 ,  井本裕己 ,  浅野裕治 ,  肥塚纯一

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/24 ,  H01L21/34 ,  H01L27/02

CPC classification number: H01L29/66742 ,  C04B35/58 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3286 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明涉及涉及半导体装置及其制造方法。在使用氧化物半导体的薄膜晶体管中，将包含铟、镓、锌、氧和氮的缓冲层设置在氧化物半导体层与源电极层及漏电极层之间。

公开(公告)号：CN101794791B

公开(公告)日：2014-08-13

申请号：CN200910262579.8

申请日：2009-12-23

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 小山润 ,  坂田淳一郎 ,  丸山哲纪 ,  井本裕己 ,  浅野裕治 ,  肥塚纯一

IPC: H01L27/12 ,  H03K19/00

CPC classification number: H01L27/1255 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/127 ,  H01L28/20 ,  H01L29/24 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明提供一种利用使用被电特性控制的氧化物半导体层而制造的电阻元件及薄膜晶体管的驱动电路、以及利用该驱动电路的半导体装置。在用作电阻元件(354)的氧化物半导体层(905)上直接接触地设置利用使用含有硅烷(SiH4)以及氨(NH3)等的氢化合物的气体的等离子体CVD法而形成的氮化硅层(910)，并且在用作薄膜晶体管(355)的氧化物半导体层(906)上隔着用作阻挡层的氧化硅层(909)地设置氮化硅层(910)。因此，对氧化物半导体层(905)引入比氧化物半导体层(906)更高浓度的氢。其结果，用作电阻元件(354)的氧化物半导体层(905)的电阻值低于用作薄膜晶体管(355)的氧化物半导体层(906)的电阻值。

公开(公告)号：CN102576677A

公开(公告)日：2012-07-11

申请号：CN201080043261.1

申请日：2010-09-01

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  坂田淳一郎 ,  宫永昭治 ,  坂仓真之 ,  肥塚纯一 ,  丸山哲纪 ,  井本裕己

IPC: H01L21/336 ,  C23C14/08 ,  H01L21/205 ,  H01L21/28 ,  H01L21/363 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/66969 ,  H01L21/02565 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明目的在于提供薄膜晶体管、以及用于制造具有受控阈值电压、高操作速度、相对容易的制造工艺、以及足够的可靠性的包括氧化物半导体的薄膜晶体管的方法。可消除对氧化物半导体层中的载流子浓度产生影响的杂质，诸如氢原子、或包含氢原子的化合物(诸如H2O)。可形成与氧化物半导体层接触的包含大量缺陷(诸如悬空键)的氧化物绝缘层，以使杂质扩散到氧化物绝缘层中，并且氧化物半导体层中的杂质浓度降低。可在通过使用低温泵排空、由此杂质浓度降低的沉积室中形成氧化物半导体层或与该氧化物半导体层接触的氧化物绝缘层。

公开(公告)号：CN101635261B

公开(公告)日：2011-11-30

申请号：CN200910151665.1

申请日：2004-07-23

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 关口庆一 ,  肥塚纯一 ,  荒井康行 ,  山崎舜平

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/265 ,  H01L21/82 ,  H01L21/50 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/1214 ,  H01L27/1203 ,  H01L27/127 ,  H01L29/78624 ,  H01L29/78645 ,  H01L29/78675 ,  H01L29/78696 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05024 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/05099

Abstract: 本发明的名称是“半导体器件及其制造方法”。本发明提供一种用于制造半导体器件的方法，通过该方法提供包含有源层、与有源层接触的栅极绝缘膜、和与有源层相交迭的栅电极、其间有栅极绝缘膜的晶体管；通过从一个倾斜的方向将杂质添加到有源层，将杂质添加到有源层中与栅电极相交迭且其间具有栅极绝缘膜的第一区的部分、和有源层中除了第一区外的第二区；且第二区位于相对于第一区的一个方向中。

公开(公告)号：CN1716539A

公开(公告)日：2006-01-04

申请号：CN200510078541.7

申请日：2005-06-10

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  肥塚纯一 ,  篠田裕人 ,  中村理 ,  磯部敦生 ,  山口哲司 ,  鄉戶宏充

IPC: H01L21/265 ,  H01J37/317

CPC classification number: H01L27/127 ,  H01J37/3171 ,  H01L21/2652 ,  H01L21/26586 ,  H01L21/67213 ,  H01L27/1214 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78624 ,  H01L2029/7863

Abstract: 本发明提供一种具有使用大量生产上可多件提取的大面积衬底并且均匀掺入杂质元素的装置的半导体器件制造装置。本发明的一个特征为：将离子流的截面取为线状或正方形，而且使大面积衬底保持对离子流倾斜规定的倾斜角θ不变，同时使该衬底往垂直于离子流的纵向的方向移动。本发明中，通过改变倾斜角调整离子束的入射角。使大面积衬底对水平面为倾斜状态，从而能使离子流纵向宽度小于衬底1条边的长度。

公开(公告)号：CN119137749A

公开(公告)日：2024-12-13

申请号：CN202380037713.2

申请日：2023-05-12

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 神长正美 ,  岛行德 ,  大野正胜 ,  肥塚纯一

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/06 ,  H01L27/088 ,  H05B45/60 ,  H10K50/10

Abstract: 提供一种具有低功耗及高性能的半导体装置。半导体装置包括第一半导体层、第二半导体层、第一导电层、第二导电层、第三导电层、第一绝缘层以及第二绝缘层。第一绝缘层设置于第一导电层上。第二导电层设置于第一绝缘层上。第一绝缘层及第二导电层包括到达第一导电层的开口。第一半导体层与第一导电层的顶面、第一绝缘层的侧面以及第二导电层的顶面及侧面接触。第二半导体层设置于第一半导体层上。第二绝缘层设置于第二半导体层上。第三导电层设置于第二绝缘层上。第一半导体层的导电率比第二半导体层的导电率高。

公开(公告)号：CN118591888A

公开(公告)日：2024-09-03

申请号：CN202380018329.8

申请日：2023-02-06

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 保坂泰靖 ,  岛行德 ,  神长正美 ,  中田昌孝 ,  肥塚纯一 ,  冈崎健一

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L29/417 ,  H05B33/02 ,  H05B33/10 ,  H10K50/00

Abstract: 提供一种包括尺寸微小的晶体管的半导体装置。半导体装置包括半导体层、第一导电层、第二导电层、第三导电层、第一绝缘层以及第二绝缘层。第一绝缘层设置在第一导电层上。第一绝缘层包括到达第一导电层的第一开口。半导体层与第一绝缘层的顶面及侧面以及第一导电层的顶面接触。第二导电层设置在半导体层上。第二导电层在与第一开口重叠的区域中包括第二开口。第二绝缘层设置在半导体层及第二导电层上。第三导电层设置在第二绝缘层上。第一绝缘层具有第三绝缘层与第三绝缘层上的第四绝缘层的叠层结构。第四绝缘层包括膜密度比第三绝缘层高的区域。