半导体器件
    91.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1940571A

    公开(公告)日:2007-04-04

    申请号:CN200610154051.5

    申请日:2006-09-20

    发明人: 佐佐木诚

    IPC分类号: G01P15/08

    摘要: 本发明提供可以减少由封装和半导体元件的热膨胀系数的不同导致的应力的产生、并且相对于由容纳半导体元件的封装的外部应力或热膨胀等导致的变形、能够稳定地动作的半导体器件。半导体器件(100)具有:在内部具有内腔(101a以及101b)的封装(下部容器(101)、垫片(111)以及上部盖(112))、从内腔(101a以及101b)的任意一面突出的端子(102),和以不与内腔(101a以及101b)的任何一面接触的方式固定在端子(102)上的半导体加速度传感器芯片(10)。

    加速度传感器芯片
    92.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1828310A

    公开(公告)日:2006-09-06

    申请号:CN200510137781.X

    申请日:2005-12-28

    发明人: 坂元明广

    IPC分类号: G01P15/09

    摘要: 提供在组件内容易进行布局,并且检测灵敏度良好的加速度传感器芯片。加速度传感器芯片(10)具有:框架部(12)、可动构造体(14)和多个限制器(19),框架部(12)具有框架体部(12c)和突起部(12d),可动构造体(14)具有被共计四个梁部(16)可动地支撑的中心压铁部(14a)和四个长方体状的突出压铁部(14b),多个限制器(19)不与突出压铁部接触,延伸设置在该突出压铁部上。

    加速度传感器
    93.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1793937A

    公开(公告)日:2006-06-28

    申请号:CN200510107131.0

    申请日:2005-09-28

    发明人: 森浩也

    IPC分类号: G01P15/12 G01P15/18 H01L29/84

    摘要: 本发明提供一种加速度传感器。该加速度传感器可以减小XYZ三轴的输出差,从而实现省电化。压电阻型三轴加速度传感器具有:外框部(11),配置于该外框部(11)内的质量部(13),柔性地支承该质量部(13)的梁部件(14-1a、14-1b、14-2a、14-2b),形成于该梁部件(14-1a、14-1b、14-2a、14-2b)上的X、Y、Z轴用压电阻体(15-1a、15-1b~15-6a、15-6b)。使Z轴用压电阻体(15-5a、15-5b、15-6a、15-6b)的长度L2长于X轴用压电阻体(15-1a、15-1b、15-2a、15-2b)和Y轴用压电阻体(15-3a、15-3b、15-4a、15-4b)的长度L1,从而使灵敏度降低。

    具有校准功能的加速度测量设备

    公开(公告)号:CN1470879A

    公开(公告)日:2004-01-28

    申请号:CN03146668.0

    申请日:2003-07-10

    发明人: 坂口勇夫

    IPC分类号: G01P15/18 G01P21/00

    摘要: 本发明公开了一种加速度测量设备,其能够利用在没有施加加速度的状态下的零点输出值以及灵敏度,来对其输出值进行校准。该设备包括:加速度传感器,用于检测每个加速度分量,并且基于在该加速度传感器的直角坐标中,至少两个互相垂直的轴的每个方向上的每个已检测分量,来产生输出值;固定装置,用于将加速度传感器固定在至少两个不同的位置上,其中位于一个位置上的每个该加速度传感器轴,与来自另一个的重力加速度方向处于不同角度;以及,处理电路,用于基于重力加速度在至少两个轴向上的每个分量的输出值,来产生校准参数,其中该重力加速度是由位于至少两个不同位置中的每个位置上的加速度传感器来测量的。

    加速度检测装置
    96.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1245896A

    公开(公告)日:2000-03-01

    申请号:CN99110698.9

    申请日:1999-07-27

    IPC分类号: G01P15/09

    摘要: 重锤3、膜片1和基座5构成为由金属材料整体成形的单体单元10。以单体单元10为嵌件来整体成形绝缘树脂壳体9。在包围绝缘树脂壳体9的凹部9a的侧壁9j上,形成使基座5的一部分5c露出的窗部9i。把封住凹部9a的金属盖构件6安装于壳体9。在盖构件6上,整体地设置接触片6b,其在盖构件6固定于壳体9以便封住凹部9a的状态下,能经由窗部9i具有弹簧性地推靠基座5。基座5电连接于端子配件的接地端子。

    加速度传感器与三轴加速度传感器

    公开(公告)号:CN1218910A

    公开(公告)日:1999-06-09

    申请号:CN98119591.1

    申请日:1998-09-25

    IPC分类号: G01P15/125

    摘要: 在重锤固定区域5A内连接线LX1和压电陶瓷基片5之间形成低电容率层8。在中间区域5B的外侧,连接线LX2、LY1、LZ4和输出电极OX与此基片5之间形成低电容率层9。低电容率层8与9是由介电常数充分小于此基片的介电常数的低电容率物质形成的。由于设置了低电容率层8与9,可减小布线图形和输出电极与相对电极图形间产生的静电电容,从而能减少聚积于此静电电容上的自发极化电荷量。由此可以制得能抑制因加速度探测电极至输出电极间的静电电容导致输出降低的加速度传感器。