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公开(公告)号:CN1940571A
公开(公告)日:2007-04-04
申请号:CN200610154051.5
申请日:2006-09-20
申请人: 冲电气工业株式会社
发明人: 佐佐木诚
IPC分类号: G01P15/08
CPC分类号: G01P15/18 , B81B7/0048 , B81B2201/0235 , G01P1/023 , G01P15/123 , G01P2015/084 , G01P2015/0842
摘要: 本发明提供可以减少由封装和半导体元件的热膨胀系数的不同导致的应力的产生、并且相对于由容纳半导体元件的封装的外部应力或热膨胀等导致的变形、能够稳定地动作的半导体器件。半导体器件(100)具有:在内部具有内腔(101a以及101b)的封装(下部容器(101)、垫片(111)以及上部盖(112))、从内腔(101a以及101b)的任意一面突出的端子(102),和以不与内腔(101a以及101b)的任何一面接触的方式固定在端子(102)上的半导体加速度传感器芯片(10)。
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公开(公告)号:CN1828310A
公开(公告)日:2006-09-06
申请号:CN200510137781.X
申请日:2005-12-28
申请人: 冲电气工业株式会社
发明人: 坂元明广
IPC分类号: G01P15/09
CPC分类号: G01P15/123 , G01P15/0802 , G01P15/18 , G01P2015/084 , G01P2015/0842
摘要: 提供在组件内容易进行布局,并且检测灵敏度良好的加速度传感器芯片。加速度传感器芯片(10)具有:框架部(12)、可动构造体(14)和多个限制器(19),框架部(12)具有框架体部(12c)和突起部(12d),可动构造体(14)具有被共计四个梁部(16)可动地支撑的中心压铁部(14a)和四个长方体状的突出压铁部(14b),多个限制器(19)不与突出压铁部接触,延伸设置在该突出压铁部上。
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公开(公告)号:CN1793937A
公开(公告)日:2006-06-28
申请号:CN200510107131.0
申请日:2005-09-28
申请人: 冲电气工业株式会社
发明人: 森浩也
CPC分类号: G01P15/18 , G01P15/123 , G01P2015/084
摘要: 本发明提供一种加速度传感器。该加速度传感器可以减小XYZ三轴的输出差,从而实现省电化。压电阻型三轴加速度传感器具有:外框部(11),配置于该外框部(11)内的质量部(13),柔性地支承该质量部(13)的梁部件(14-1a、14-1b、14-2a、14-2b),形成于该梁部件(14-1a、14-1b、14-2a、14-2b)上的X、Y、Z轴用压电阻体(15-1a、15-1b~15-6a、15-6b)。使Z轴用压电阻体(15-5a、15-5b、15-6a、15-6b)的长度L2长于X轴用压电阻体(15-1a、15-1b、15-2a、15-2b)和Y轴用压电阻体(15-3a、15-3b、15-4a、15-4b)的长度L1,从而使灵敏度降低。
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公开(公告)号:CN1591907A
公开(公告)日:2005-03-09
申请号:CN200410068230.8
申请日:2004-08-25
申请人: 精工电子有限公司
IPC分类号: H01L29/84 , G01P15/125
CPC分类号: G01C19/5719 , G01P15/125 , G01P2015/084
摘要: 在金属电极中形成凹槽或孔的图形,所述金属电极在电容型动态量传感器中布置在和振动元件相关的上侧和下侧。因此,即便使用单一导电材料例如A1制作电极时,也可以避免在该电极表面产生小丘,并且电极的膜脱落的危险性降低。此外,也可以减少制造成本。
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公开(公告)号:CN1470879A
公开(公告)日:2004-01-28
申请号:CN03146668.0
申请日:2003-07-10
申请人: 日立金属株式会社
发明人: 坂口勇夫
CPC分类号: G01P15/18 , G01P15/123 , G01P21/00 , G01P2015/084
摘要: 本发明公开了一种加速度测量设备,其能够利用在没有施加加速度的状态下的零点输出值以及灵敏度,来对其输出值进行校准。该设备包括:加速度传感器,用于检测每个加速度分量,并且基于在该加速度传感器的直角坐标中,至少两个互相垂直的轴的每个方向上的每个已检测分量,来产生输出值;固定装置,用于将加速度传感器固定在至少两个不同的位置上,其中位于一个位置上的每个该加速度传感器轴,与来自另一个的重力加速度方向处于不同角度;以及,处理电路,用于基于重力加速度在至少两个轴向上的每个分量的输出值,来产生校准参数,其中该重力加速度是由位于至少两个不同位置中的每个位置上的加速度传感器来测量的。
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公开(公告)号:CN1245896A
公开(公告)日:2000-03-01
申请号:CN99110698.9
申请日:1999-07-27
申请人: 北陆电气工业株式会社
IPC分类号: G01P15/09
CPC分类号: G01P15/18 , G01P15/0922 , G01P2015/084
摘要: 重锤3、膜片1和基座5构成为由金属材料整体成形的单体单元10。以单体单元10为嵌件来整体成形绝缘树脂壳体9。在包围绝缘树脂壳体9的凹部9a的侧壁9j上,形成使基座5的一部分5c露出的窗部9i。把封住凹部9a的金属盖构件6安装于壳体9。在盖构件6上,整体地设置接触片6b,其在盖构件6固定于壳体9以便封住凹部9a的状态下,能经由窗部9i具有弹簧性地推靠基座5。基座5电连接于端子配件的接地端子。
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公开(公告)号:CN1218910A
公开(公告)日:1999-06-09
申请号:CN98119591.1
申请日:1998-09-25
申请人: 北陆电气工业株式会社
IPC分类号: G01P15/125
CPC分类号: G01P15/0915 , G01P15/0907 , G01P15/0922 , G01P15/18 , G01P2015/084
摘要: 在重锤固定区域5A内连接线LX1和压电陶瓷基片5之间形成低电容率层8。在中间区域5B的外侧,连接线LX2、LY1、LZ4和输出电极OX与此基片5之间形成低电容率层9。低电容率层8与9是由介电常数充分小于此基片的介电常数的低电容率物质形成的。由于设置了低电容率层8与9,可减小布线图形和输出电极与相对电极图形间产生的静电电容,从而能减少聚积于此静电电容上的自发极化电荷量。由此可以制得能抑制因加速度探测电极至输出电极间的静电电容导致输出降低的加速度传感器。
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公开(公告)号:CN107407694A
公开(公告)日:2017-11-28
申请号:CN201580076922.3
申请日:2015-02-24
申请人: 三菱电机株式会社
发明人: 奥村美香
IPC分类号: G01P15/08 , G01P15/125
CPC分类号: B81B3/0051 , B81B2201/0235 , B81B2203/0118 , B81C1/00825 , B81C2201/0109 , B81C2201/013 , G01P15/0802 , G01P15/125 , G01P15/18 , G01P2015/082 , G01P2015/084 , G01P2015/0871
摘要: 半导体装置具有基板(1A)、梁(12)、可动构造体(13)、第1止动部件(S1)、第2止动部件(S2)以及第3止动部件(S3)。第1止动部件(S1)在面内方向上,与可动构造体(13)之间隔着第1间隙(T1)而配置。第2止动部件(S2)在面外方向上,与可动构造体(13)之间隔着第2间隙(T2)而配置。第3止动部件(S3)在面外方向上,相对于可动构造体(13)而配置于第2止动部件(S2)的相反侧,且与可动构造体(13)之间隔着第3间隙(T3)而配置。由此,能够得到一种通过抑制可动构造体的过度的位移,从而能够抑制支撑可动构造体的梁的损伤及破损的半导体装置及其制造方法。
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公开(公告)号:CN106164679A
公开(公告)日:2016-11-23
申请号:CN201480062522.2
申请日:2014-11-20
申请人: 英特尔公司
CPC分类号: G01C19/722 , G01C19/56 , G01C19/5719 , G01D5/35374 , G01P15/093 , G01P2015/084 , G02B6/4225
摘要: 本公开的实施例针对微机电系统(MEMS)感应装置,包括配置为产生光束的激光器设置,配置为接收和输出光束的第一波导,和与第一波导端面对齐的第二波导。第二波导可配置为借助通过对齐的端面的光耦合从第一波导接收至少部分光束。第一或第二波导可配置为在响应于装置惯性改变时是可移动的,其中第一或第二波导的移动引起该部分光束相应光强度的改变,光强度的改变表明惯性改变的量。其他实施例可具体描述和/或声明。
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公开(公告)号:CN103229290B
公开(公告)日:2016-10-05
申请号:CN201080070258.9
申请日:2010-11-23
申请人: 罗伯特·博世有限公司
IPC分类号: H01L21/768 , H01L21/60
CPC分类号: B81C1/00301 , B81B7/007 , B81C3/008 , B81C2203/035 , B81C2203/051 , G01L9/0048 , G01L19/0076 , G01P15/0802 , G01P15/123 , G01P15/125 , G01P2015/084 , H01L21/6835 , H01L21/76898 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/81 , H01L24/94 , H01L24/97 , H01L25/0657 , H01L2224/02371 , H01L2224/02372 , H01L2224/03002 , H01L2224/0401 , H01L2224/05008 , H01L2224/05009 , H01L2224/05548 , H01L2224/056 , H01L2224/13025 , H01L2224/13124 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/16245 , H01L2224/81805 , H01L2224/94 , H01L2224/97 , H01L2225/06513 , H01L2225/06541 , H01L2924/01322 , H01L2924/10253 , H01L2924/14 , H01L2924/1433 , H01L2924/1461 , H01L2924/157 , H01L2924/15787 , H01L2924/15788 , H01L2924/1579 , H01L2224/81 , H01L2224/03 , H01L2924/00
摘要: 本发明涉及一种用于制造半导体元器件(166)的方法。该方法包括下列步骤:a)在初始衬底(112)上制造半导体芯片(110),其中所述半导体芯片在至少一个支撑点(116)上与所述初始衬底(112)连接,其中所述半导体芯片(110)具有背离所述初始衬底(112)的正面(130)和朝向所述初始衬底(112)的背面(132),b)在至少一个贯穿接触步骤中,将至少一个贯穿接触部填充材料(142)施加到所述半导体芯片(110)上,其中所述背面(132)的至少一个部分区域(140)被涂以所述贯穿接触部填充材料(142),c)将所述半导体芯片(110)与所述初始衬底(112)分离,以及d)将所述半导体芯片(110)施加到至少一个载体衬底(150)上,其中所述半导体芯片(110)的背面(132)的被涂以所述贯穿接触部填充材料(142)的部分区域(140)与所述载体衬底(150)上的至少一个焊盘(152)连接。
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