公开(公告)号：CN103632990A

公开(公告)日：2014-03-12

申请号：CN201310378510.8

申请日：2013-08-27

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： G.莱希克 ,  G.马克

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L23/525

CPC分类号： H01L23/5258 ,  B23K26/40 ,  B23K2103/50 ,  H01L21/268 ,  H01L23/544 ,  H01L2223/5444 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 用于熔化激光熔丝的方法以及用于加工晶片的方法。根据不同的实施例的用于熔化激光熔丝的方法可以包括：提供具有衬底区域和至少一个激光熔丝的半导体工件；利用红外激光束从所述衬底区域的背面熔化所述至少一个激光熔丝。

公开(公告)号：CN103594419A

公开(公告)日：2014-02-19

申请号：CN201210293349.X

申请日：2012-08-16

申请人： 中国科学院微电子研究所

发明人： 马小龙 ,  殷华湘 ,  付作振

IPC分类号： H01L21/82 ,  H01L21/268

CPC分类号： H01L21/0257 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02452 ,  H01L21/02521 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02535 ,  H01L21/02612 ,  H01L21/02614 ,  H01L21/02617 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/268 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/12 ,  H01L21/823807

摘要： 本发明公开了一种高迁移率材料层制造方法，包括：在衬底中和/或上形成多种前驱物；脉冲激光处理，使得多种前驱物相互反应形成高迁移率材料层。此外还提供了一种半导体器件制造方法，包括：在绝缘衬底上形成缓冲层；采用上述高迁移率材料层制造方法，在缓冲层上形成第一高迁移率材料层；采用上述高迁移率材料层制造方法，在第一高迁移率材料层上形成第二高迁移率材料层；在第一和第二高迁移率材料层中形成沟槽隔离并定义有源区。依照本发明的半导体器件制造方法，通过调整激光处理的脉冲个数和能量密度，在绝缘衬底上分多次形成了多层高迁移率材料以用作器件沟道区，有效提高了器件载流子迁移率并进一步提高了器件驱动能力。

公开(公告)号：CN101901858B

公开(公告)日：2014-01-29

申请号：CN201010134445.0

申请日：2005-04-27

申请人： 沃提科尔公司

发明人： 刘明哲

IPC分类号： H01L33/12 ,  H01L29/737 ,  H01L29/778 ,  H01S5/02 ,  H01S5/183 ,  H01S5/343

CPC分类号： H01L33/0079 ,  B82Y20/00 ,  H01L21/268 ,  H01L33/32 ,  H01L33/46 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/85181 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明公开了一种制造具有提高的光输出的新的垂直结构化合物半导体器件的可靠方法以及一种用于大规模生产GaN基化合物半导体器件的激光剥离工艺。本发明的主旨在于在LLO之前，通过电镀法来采用直接金属支撑衬底沉积，以形成n侧顶部垂直结构。此外，紧接着p接触层采用ITO DBR层，以通过更高的反射率提高光输出。穿孔金属晶片载体也用于晶片键合，用以容易地处理以及松解。相比于传统LLO基垂直器件制造，新的制造工艺更可靠。与通过相同的GaN/InGaN外延膜制造的横向器件的光输出相比，具有n侧上部结构的新的垂直器件的光输出增加了2或3倍。

公开(公告)号：CN102388436B

公开(公告)日：2014-01-15

申请号：CN200980135714.0

申请日：2009-09-21

申请人： QMC株式会社 ,  柳炳韶

发明人： 柳炳韶

IPC分类号： H01L21/268 ,  H01L33/32

CPC分类号： H01L33/0079 ,  B23K26/066 ,  H01L21/268 ,  Y10T156/1917

摘要： 本发明公开了一种LED的制造设备和方法，所述设备和方法能够使垂直型LED中的薄膜与基底分离，所述设备包括：激光束源，用于发射激光束；网孔型掩膜，所述网孔型掩膜具有多个孔，用于使所述激光束有选择地通过；以及成像透镜，用于通过将穿过所述网孔型掩膜的激光束聚焦而形成多个束斑，从而将基底与形成在所述基底上的半导体层分离。

公开(公告)号：CN103346077A

公开(公告)日：2013-10-09

申请号：CN201310287391.5

申请日：2013-07-09

申请人： 上海华力微电子有限公司

发明人： 张红伟 ,  彭树根

IPC分类号： H01L21/28

CPC分类号： H01L21/28185 ,  H01L21/268 ,  H01L21/28202

摘要： 一种栅氧化层的制备方法，包括：提供硅基衬底，并进行热氧化处理和热处理工艺，以形成二氧化硅栅氧化层；对二氧化硅栅氧化层采用等离子体氮化工艺进行氮注入，以形成SiON栅氧化层；对SiON栅氧化层之表面采用激光快速退火工艺进行激光处理；对经过表面激光处理的SiON栅氧化层进行高温退火工艺。本发明在对SiON栅氧化层进行高温退火之前，通过引入激光快速退火工艺对SiON栅氧化层的表面进行激光处理，不仅去除本征氧化层，防止有机物吸附而对氮掺杂造成不良影响，而且使得所形成的非晶化表面在防止表面氮原子挥发的同时，又能消除氮原子向SiO2/Si界面的扩散，进而确保其具有高和稳定的氮含量，实现对SiON栅介质介电系数精确剪裁，从而可有效提高器件的电学性能。

公开(公告)号：CN103329255A

公开(公告)日：2013-09-25

申请号：CN201280005473.X

申请日：2012-01-16

申请人： 富士电机株式会社

发明人： 中泽治雄

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/265 ,  H01L21/76 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L29/66325 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/26586 ,  H01L21/268 ,  H01L21/324 ,  H01L21/76237 ,  H01L29/0661 ,  H01L29/36 ,  H01L29/7395

摘要： 在反向阻断型半导体元件的制造方法中，形成锥形沟，并进行向背面和锥形沟的离子注入之后，进行炉退火处理以及激光退火处理，由此使背面集电极层以及锥形沟的侧边面形成分离层（4）。据此，即便是具有形成锥形沟，并将在其侧边面通过离子注入和退火处理而形成的扩散层作为用于使反向耐压pn结的终端弯曲而延伸至表面的分离层（4）的制造工序的制造方法，也可以实现反向耐压的确保和反向偏置时的漏电流的降低。

公开(公告)号：CN103325688A

公开(公告)日：2013-09-25

申请号：CN201310239205.0

申请日：2013-06-17

申请人： 深圳市华星光电技术有限公司

发明人： 许宗义

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01L29/10 ,  G09G3/34

CPC分类号： H01L21/268 ,  H01L27/1281 ,  H01L27/1285 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78675

摘要： 本发明公开了一种薄膜晶体管的沟道形成方法及补偿电路，方法包括：在基板上形成非晶硅层；对非晶硅层进行刻蚀处理，以形成包括多个非晶硅层的非晶硅图形，其中多晶硅图形中的每一非晶硅层均为弯折结构；在非晶硅图形中的每一非晶硅层形成两断开空间，两断开空间分别形成于非晶硅层的相邻的弯折部位；对已形成断开空间的非晶硅图形进行激光照射处理，以使得位于每一断开空间两侧的非晶硅层内的晶粒在温度差的作用下朝着对应的断开空间方向生长，并在断开空间内结晶形成薄膜晶体管的沟道。本发明可提高形成的沟道的电子迁移率，电性更加均匀。

公开(公告)号：CN103201825A

公开(公告)日：2013-07-10

申请号：CN201180043392.4

申请日：2011-09-05

申请人： SOITEC公司

发明人： M·布吕尔

IPC分类号： H01L21/302 ,  H01L21/78 ,  H01L21/268

CPC分类号： H01L29/36 ,  H01L21/268 ,  H01L21/302 ,  H01L21/76254 ,  H01L21/7806 ,  H01L29/0684

摘要： 本发明尤其涉及一种用确定波长的光通量（IR）来处理衬底的工艺，所述衬底包括嵌入层（3），所述嵌入层（3）具有吸收性，也即，所述嵌入层（3）独立于温度吸收所述光通量，所述嵌入层插入于第一层（2），所述处理层，和第二层（4）之间，第一半导体层（2）具有光通量的吸收系数，所述吸收系数在环境温度中较低并且随着温度的升高而增加，根据所述工艺，通过所述光通量（IR）的至少一个脉冲来照射所述第一层（2）。该工艺尤其值得注意的是-所述光通量（IR）被施加到第一层（2）的表面的几处地方，以便加热嵌入层（3）的区域，并且在所述第一层（2）中，通过相对于所述嵌入层（3）的被加热区域的热前缘的传播而生成被加热区带，所述被加热区带形成热支柱（P），所述热支柱（P）通过嵌入层（3）膨胀并且在第二层（4）之内生成约束。

公开(公告)号：CN103155178A

公开(公告)日：2013-06-12

申请号：CN201180036378.1

申请日：2011-06-16

申请人： 弗劳恩霍弗实用研究促进协会 ,  弗赖堡阿尔伯特-路德维格大学

发明人： 乌尔里希·耶格尔 ,  D·比罗 ,  安-克里斯汀·沃克 ,  约翰尼斯·塞非 ,  塞巴斯提安·麦克 ,  A·沃尔夫 ,  R·普罗伊

IPC分类号： H01L31/18

CPC分类号： H01L31/18 ,  H01L21/2254 ,  H01L21/268 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/068 ,  Y02E10/547

摘要： 本发明涉及一种用于在半导体衬底中产生选择性掺杂结构以制造光伏太阳能电池的方法。该方法包括下列方法步骤：A)施加掺杂层(2)到该半导体衬底的发射侧上；B)局部加热该掺杂层(2)的熔融区和该半导体衬底的位于该掺杂层(2)下方的熔融区，借助液-液扩散使得掺杂物从该掺杂层(2)扩散到熔融的该半导体衬底中，从而在该熔融混合物凝固后产生高掺杂区(3)；C)整体上加热该半导体衬底以产生面状低掺杂区；D)去除该掺杂层(2)；E)去除或转化该半导体衬底的在该掺杂侧的一层，使得该低掺杂区的和该高掺杂区的近表面部分被去除，或被转化为不导电层。

公开(公告)号：CN102037563B

公开(公告)日：2013-06-05

申请号：CN200980116546.0

申请日：2009-05-13

申请人： 富士电机株式会社

发明人： 下山和男 ,  塚本安彦

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/265 ,  H01L21/301 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/336 ,  H01L21/76 ,  H01L21/761 ,  H01L29/06 ,  H01L29/739

CPC分类号： H01L21/26586 ,  H01L21/268 ,  H01L21/67282 ,  H01L21/78 ,  H01L23/544 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/7395 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2223/5446 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 使用倒梯形切割刀片，对n型半导体基板(1)执行切割工作，以形成将要成为第二侧壁(7)的沟槽。沟槽的底部与p型扩散层(4)相接触，p型扩散层(4)形成于n型半导体基板(1)的第一主平面(2)(正面)上，使得p型扩散层(4)未被切割。然后，在第二侧壁(7)中，形成了p型隔离层(9)，p型隔离层(9)连接到p型集电极层(8)和p型扩散层(4)。因为p型扩散层(4)未被切割，所以用于支撑晶片的玻璃支撑基板以及昂贵的粘合剂都是不需要的，并且因此，形成p型扩散层(4)的成本很低。