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公开(公告)号：CN101527331A
公开(公告)日：2009-09-09
申请号：CN200910048331.1
申请日：2009-03-26
Applicant: 上海大学
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及一种基于P型纳米金刚石薄膜/[100]定向金刚石薄膜场效应光电探测器的制备方法，属场效应光电探测器制造工艺技术领域。本发明的特点是：采用了肖特基场效应结构，并利用P型纳米金刚石薄膜作为表面P型沟道层；纳米金刚石薄膜的P型不是通过掺杂其他元素获得，而是采用氢等离子刻蚀的方法获得H终端P型纳米金刚石层。本发明的另一个特点是采用了除去传统的硅衬底的工艺，使有利于探测器在高温、高频、大功率领域及恶劣环境中的应用。
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公开(公告)号：CN100510957C
公开(公告)日：2009-07-08
申请号：CN200610030241.6
申请日：2006-08-21
Applicant: 上海大学
IPC: G03F1/14
Abstract: 本发明涉及一种X射线光刻掩模版的制备方法，属光刻掩模版制造技术领域。本发明主要采用热丝化学气相沉积法沉积的金刚石薄膜作为X射线光刻掩模基膜材料，并通过改进的工艺参数和后期处理工艺，改善金刚石薄膜的性能，提高金刚石薄膜的光学透过率和表面平整度。通过对硅片的预处理、金刚石薄膜的沉积、去除部分硅片开出圆形透光宽口并形成硅支撑以及金刚石薄膜上贴附一层重金属金膜层，最终制成具有掩模曝光图形的掩模板。
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公开(公告)号：CN1458129A
公开(公告)日：2003-11-26
申请号：CN03114880.8
申请日：2003-01-14
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明述及一种在氧化铝陶瓷上进行金刚石薄膜定向生长的方法，其特征在于采用微波等离子体化学气相沉积法进行金刚石薄膜定向沉积，其工艺步骤如下：a.在未沉积金刚石膜之前，采用碳离子注入处理法+对氧化铝陶瓷进行碳离子注入，然后在含有氮气和氢气的混合气氛下进行微波等离子体高温退火处理；b.在经退火处理的氧化铝陶瓷上进行金刚石膜的定向沉积，即将氧化铝陶瓷放置在微波等离子体辐射的石英管反应室中，反应室抽真空并送入氢气和甲烷的混合气体，在特殊装置中和特定工艺下，进行气相沉积金刚石薄膜，而且是定向晶粒形成的金刚石薄膜。
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公开(公告)号：CN117199168A
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202311231217.9
申请日：2023-09-22
Applicant: 上海大学
IPC: H01L31/119 , H01L31/0296 , H01L31/18 , C23C14/06 , C23C14/08 , C23C14/35 , C23C14/24 , C23C16/40 , C23C16/455 , C23C28/04
Abstract: 本发明涉及一种低噪声高灵敏度的碲锌镉厚膜核辐射探测器及其制备方法，包括由下至上依此堆叠而成的衬底、栅电极、栅绝缘层、沟道层以及响应层；所述沟道层为氧化锌基薄膜，所述响应层为碲锌镉厚膜；所述沟道层上方沉积了由源电极和漏电极构成晶体管，所述碲锌镉厚膜位于源电极和漏电极之间；所述沟道层与响应层构成异质结，其中制备方法为S1衬底清洗及预处理；S2栅电极的制备；S3栅绝缘层的制备；S4沟道层的制备；S5响应层的制备；S6源电极、漏电极的制备。与现有技术相比，本发明提高了载流子迁移率、实现了极低剂量和高灵敏度的检测。
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公开(公告)号：CN111312857B
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN202010126593.1
申请日：2020-02-28
Applicant: 上海大学
IPC: H01L31/18 , H01L21/02 , H01L31/0236 , H01L31/032 , H01L31/09
Abstract: 本发明公开了一种利用有机高分子材料降低钙钛矿探测器暗电流的方法，通过对关键材料，特别是有机材料的具体种类及用量的调控，并对相应辐射探测器制备的工艺流程及关键步骤所使用的参数条件进行了一定的改进，对热喷涂工艺所采用的温度及时间进行设置，达到能够满足商业需求的多晶卤化物钙钛矿光电探测器，其结构为ITO/多晶CsPbBr3/Au电极。本发明制作的无机钙钛矿CsPbBr3探测器具有较低的暗电流数量级，较高的信噪比以及优异的水氧稳定性。该半导体探测器的制备方法步骤简单，成本低廉，过程低温可控，且所制备的CsPbBr3材料抗水氧能力优异，可将本发明方法运用于大规模商业生产，具有显著的产业化推广价值。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115632065A
公开(公告)日：2023-01-20
申请号：CN202211379415.5
申请日：2022-11-04
Applicant: 上海大学
IPC: H01L29/45 , H01L21/283
Abstract: 本发明公开了一种氧化镓器件用欧姆接触复合电极及其制备方法，实现与氧化镓材料形成欧姆接触的复合电极，与氧化镓材料形成欧姆接触的复合电极结构采用低阻复合中间层‑金属电极的组合形式，整体依次由氧化镓材料、低阻掺杂氧化镓中间层、低阻氧化物半导体中间层和金属电极四部分进行层叠组装而成；其中氧化镓材料可以包括单晶、多晶以及非晶氧化镓。本发明设计的复合电极引入低阻复合中间层，解决传统多层金属叠层电极在合金化的过程中易引起界面反应的问题，新型复合电极减少界面的影响，改善氧化镓材料电极接触特性，实现对氧化镓材料更稳定的欧姆接触，使氧化镓器件的电学性能更加可靠，在氧化镓电力电子器件领域中有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN109461668B
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN201811040713.5
申请日：2018-09-07
Applicant: 上海大学
IPC: H01L21/66
Abstract: 本发明涉及一种金电极与碲锌镉晶片接触电阻率的测试方法。本发明利用探测器用碲锌镉晶体材料尺寸要求，采用环体材料的线型电极制备不同间距的传输环，并结合化学沉积金电极的灵活性及与碲锌镉良好的欧姆接触特性，有效避免样品台面和电极接触的余量引入寄生电阻，同时仍然可利用简易的线性传输模型计算模型进行数据处理，而且测得的接触电阻率更全面地反映体材料各个面的表面状态对接触电阻率的影响。
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公开(公告)号：CN111883619B
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202010771843.7
申请日：2020-08-04
IPC: H01L31/18 , H01L31/0224 , H01L31/0296 , H01L31/08 , C30B33/10
Abstract: 一种核辐射探测器用电极的构成及晶体的制备方法，采用移动加热器法完成晶体的生长，依次包括由生长炉温度场分布的设定、各组分化学计量比的配比完成、合料形成多晶料锭、建立回溶控制步序、单晶晶片的切割制成、制备电极阴阳极面的区分、晶体表面处理、电极制备、钝化处理构成的工序。本发明的一种核辐射探测器用电极的构成及晶体的制备方法，通过上述步序形成的晶体生长控制与电极结构设置，完成了具有载流子迁移率高、表面光滑、成分均匀的晶体及高质量的欧姆接触特性的探测器用复合电极的制备，为探测器的优秀能谱响应提供了保障。
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公开(公告)号：CN110289215B
公开(公告)日：2022-02-08
申请号：CN201910551761.9
申请日：2019-06-25
Applicant: 上海大学
IPC: H01L21/465 , H01L21/67 , H01J37/32
Abstract: 本发明公开了一种碲锌镉晶体的电感耦合等离子体刻蚀工艺方法，在刻蚀前采用碲锌镉晶体的结构采用衬底‑半导体的组合形式。本发明用SF6和Ar作为电感耦合等离子刻蚀的刻蚀气体，与传统的反应离子刻蚀方式相比，电感耦合等离子刻蚀的离子密度高，刻蚀速率更快，让刻蚀后的碲锌镉晶体的刻蚀形貌有更高的精度，更高的选择比并且刻蚀表面平整光滑。本发明刻蚀的晶体材料对于公共安全、军事、核工业、核医学、科学研究以及航空航天等领域安全监控、辐射防护方面具有重要意义和应用前景。
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公开(公告)号：CN113151901A
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN202110307620.X
申请日：2021-03-23
Applicant: 中广核工程有限公司 , 深圳中广核工程设计有限公司 , 上海大学
Abstract: 本发明涉及一种CZT晶体及其后处理方法、CZT晶片、核辐射探测器件及其制备方法。上述CZT晶体的后处理方法，包括如下步骤：采用移动加热器法生长CZT晶体；将CZT晶体先在870℃～930℃下进行原位退火处理50h～70h，然后在50h～80h内将温度降至400℃～420℃，最后在400℃～420℃下保温40h～50h。上述CZT晶体的后处理方法利用热迁移机制消除热应力、减少Te夹杂和Te沉淀，获得的CZT晶体质量高、Te夹杂等相关缺陷密度减小，最终提高CZT晶体用于探测器时的光电性能。
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