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公开(公告)号:CN108689611B
公开(公告)日:2021-07-06
申请号:CN201810554306.X
申请日:2018-06-01
Applicant: 上海大学
IPC: C03C17/34
Abstract: 本发明涉及一种片状C2ZnSnS4薄膜的制备方法,该方法是将1‑4mmol二水合氯化亚锡、1.5‑8mmol硫代乙酰胺加入到200ml去离子水的瓶子中,调节溶液pH=0.2‑1.0,将洗干净FTO垂直紧靠杯壁放入溶液中,将溶液放入到恒温磁力搅拌器中,在80‑90℃反应0.5‑2小时,将FTO取出,得到SnS纳米片薄膜,洗净、烘干;之后将0.8‑1.2mmol五水合硫酸铜、0.025‑0.04mmol氯化锌、4‑6mmol硫脲和生长好的SnS和15ml去离子水放入到反应釜中,在180℃反应10‑12h,反应物冷却,洗净、烘干;通过氮气退火得到Cu2ZnSnS4片状薄膜。本发明制备方法绿色环保且操作简单,所用前躯体材料成本低廉,制备的薄膜呈片状颗粒,且分布均匀,有利于提高其光电特性。
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公开(公告)号:CN113061971A
公开(公告)日:2021-07-02
申请号:CN202110214026.6
申请日:2021-02-25
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种温差定位诱导钙钛矿单晶的可控生长方法,基于溶液法,利用有机‑无机杂化钙钛矿在特定溶剂中的溶解度随着温度的上升有着明显下降的特点,在析晶点附近,人为制造温差,可控诱导成核,达到晶体的可控生长。由于聚四氟乙烯易加工、耐高温、耐腐蚀、导热系数低、传热慢,金属传热快,在金属与聚四氟乙烯交界处附近形成一定温差,且该范围区域的温度高于其他位置,使该区域溶解度降低,相对低于其他位置,以诱导在该区域成核。这种方法制备相比于常规逆温生长方法能实现可控成核,可控生长;原料利用率高;生长出来的晶体质量高,形状规则,受到应力小,该制备方法制备出来的单晶可制作出优异性能的光电探测器以及高能粒子探测器。
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公开(公告)号:CN113046830A
公开(公告)日:2021-06-29
申请号:CN202110213111.0
申请日:2021-02-25
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种基于混合溶剂的全无机钙钛矿Cs3Sb2Cl9的单晶生长方法,利用多溶剂法制备全无机钙钛矿材料Cs3Sb2Cl9的前驱体溶液,有效提高了前驱体溶液的饱和浓度值。通过添加多种溶剂,及调节溶剂之间的不同配比,有效提高氯化铯和氯化锑混合物在溶剂中的溶解度。通过对前驱体溶液进行相应处理并改进晶体生长环境,同时合理调节不同生长阶段的降温速度,使用正温结晶法生长出大尺寸,高结晶质量的纯无机钙钛矿Cs3Sb2Cl9单晶,使用生长出的高质量单晶。本发明能得到对深紫外有一定响应性的大尺寸、高质量Cs3Sb2Cl9单晶。该制备方法步骤简单,成本低廉,过程可控,且制备的材料无毒无害对人体和环境友好,为制备绿色友好型半导体探测器提供可行性方案,具有显著推广价值。
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公开(公告)号:CN109888049B
公开(公告)日:2021-05-07
申请号:CN201910106988.2
申请日:2019-02-02
Applicant: 上海大学
IPC: H01L31/08 , H01L31/0224 , H01L31/032 , H01L31/0368 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种无机钙钛矿厚膜复合材料半导体器件及其制备方法,能达到能够进行连续生长,制备出尺寸大、结晶度好的钙钛矿多晶厚膜的X‑ray探测器,其结构为透明玻璃/CsPbBr3钙钛矿多晶厚膜/Au电极的全无机钙钛矿平面型半导体探测器。我们制作的探测器厚度较厚,具有较高的开关比,较快的响应速度以及优异的水氧稳定性。该半导体探测器的制备方法步骤简单,成本低,过程低温可控,且所制备的CsPbBr3材料耐湿耐热性优异,并将此方法运用于大规模商业生产,具有显著的产业化推广价值。
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公开(公告)号:CN112103175A
公开(公告)日:2020-12-18
申请号:CN202010884690.7
申请日:2020-08-28
Applicant: 上海大学
IPC: H01L21/02 , H01L29/24 , H01L31/032
Abstract: 本发明公开了一种n型氧化镓薄膜的掺杂工艺制备的钒掺杂n型氧化镓薄膜,采用射频磁控溅射方法,制备了表面均匀、成膜致密、结晶性好的钒掺杂n型氧化镓薄膜,与本征氧化镓薄膜相比,五族元素钒的掺杂提供了更多的载流子,显著提高了n型氧化镓薄膜的光电性能。本发明所制备的钒掺杂n型氧化镓薄膜生长速度快,晶体质量高,导电性好,对于功率电子器件,日盲型紫外光探测器,气体传感器和薄膜晶体管等光电子领域具有重要意义和应用前景。
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公开(公告)号:CN111900213A
公开(公告)日:2020-11-06
申请号:CN202010771822.5
申请日:2020-08-04
IPC: H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/09 , H01L31/18 , C23C14/18 , H01L27/146 , C23C14/24 , C23C14/58
Abstract: 一种CdMnTe(简称CMT)成像探测器及其制备方法,其中所述的探测器由CMT晶体制备而成,并于晶体两端真空蒸镀Ti/Au复合电极构成平面探测器结构,并在此基础上设置了弗里希栅极结构,从而改变了权重势分布,使得收集性能得到提高的同时兼顾了漏电流的影响;其中所述的制备方法,在完成晶体制备的过程中建立了对诸如Cd空位等点缺陷补偿控制、对组分过冷造成的固液界面的不稳定的控制,并进一步通过设置的三步回溶步骤、形成对固液界面的形貌控制。本发明的一种CMT成像探测器及其制备方法,通过同时从晶体生长工艺与器件制备工艺两个方面作考量,形成对探测器性能的良好响应。
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公开(公告)号:CN108258081B
公开(公告)日:2020-06-26
申请号:CN201711281101.0
申请日:2017-12-07
Applicant: 上海大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/0296 , H01L31/109
Abstract: 本发明提供了一种CdZnTe薄膜和AlN/CdZnTe基紫外光探测器制备方法及应用,基于AlN基底生长CdZnTe薄膜并制备AlN/CdZnTe基紫外光探测器,本发明AlN/CdZnTe基紫外光探测器制备方法包括AlN衬底的制备、CdZnTe多晶升华源的准备、衬底预处理、CdZnTe薄膜的生长过程、AlN/CdZnTe基紫外光探测器的电极制作5个主要步骤。本发明方法可以在AlN衬底上快速生长大面积、高质量的CdZnTe薄膜,AlN衬底可以保证AlN/CdZnTe基紫外光探测器在极端环境下的使用,所制得的复合结构对紫外光也有着较强的光响应。
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公开(公告)号:CN111192822A
公开(公告)日:2020-05-22
申请号:CN202010024306.6
申请日:2020-01-10
Applicant: 上海大学
IPC: H01L21/18 , H01L21/02 , H01L29/267
Abstract: 本发明公开了一种硅片和化合物半导体晶片的低温键合方法,使用新的物质石墨烯作为键合介质实现CdZnTe与硅的键合,包括如下步骤:准备硅片,对硅片进行标准湿式化学凊洗法(RCA清洗法)清洗;然后准备CdZnTe晶片,对CdZnTe晶体进行倒角,物理抛光和化学机械抛光等表面处理工艺;然后将石墨烯转移至Si表面,或者将石墨烯转移至CZT表面,或者将石墨烯转移至CZT和Si表面,对两个晶体进行低温退火键合,避免过高的键合的问题,键合质量高,性能优异。
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公开(公告)号:CN107807001B
公开(公告)日:2020-03-27
申请号:CN201711001184.3
申请日:2017-10-24
Applicant: 上海大学 , 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: G01M99/00
Abstract: 本发明公开了一种过滤性能测试系统及方法。所述测试系统包括:源腔,用以提供源气体;缓冲腔,用以使所述源气体与载气充分混合形成含污染物的测试气体;载气源,用以向缓冲腔提供载气;水汽发生腔,用以提供含水分的洁净测试气体;气体检测模块,用以检测自待测试过滤装置的气体吸入端、气体呼出端输入/输出的测试气体中的污染物浓度;所述缓冲腔的气体入口与源腔的气体出口、载气源的气体出口连通,所述待测试过滤装置的气体呼出端与水汽发生腔的水汽出口连通,其气体吸入端与缓冲腔的气体出口连通。本发明的测试系统及方法具有多种工作模式,能高仿真地模拟过滤装置的真实工况,从而能准确的测试过滤装置的实际性能,具有广泛应用前景。
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公开(公告)号:CN106893997B
公开(公告)日:2019-02-22
申请号:CN201710080946.7
申请日:2017-02-15
Applicant: 上海大学
IPC: C23C16/02 , C23C16/27 , C23C16/511
Abstract: 本发明公开了一种纳米金刚石薄膜制备用衬底预处理方法,利用缩水甘油的开环多分支聚合作用,在纳米金刚石粉末表面形成官能团,得到在溶液中分散性极好的聚合甘油嫁接的纳米金刚石粉末(ND‑PG),溶于甲醇溶液,得到用于薄膜成核的籽晶溶液,从而为异质衬底上利用微波等离子化学气相沉积高质量纳米金刚石薄膜提供了有效的方法。本发明在纳米金刚石粉末表面嫁接官能团,大大增加粉末在水中的分散性,减少团聚,外围衍生效应进一步功能化,有利于增加衬底的成核密度,提高成核质量,对制备高质量纳米金刚石薄膜有很大的意义。
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