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公开(公告)号：CN101515627B
公开(公告)日：2012-02-08
申请号：CN200910130741.0
申请日：2009-02-05
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H01L33/54 , H01L25/0753 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2924/00 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明提供一种半导体发光装置。在半导体发光装置的封装体(1)的凹部(2)的底面上，设置放置发光元件(3r，3g，3b)的镀了银的金属部件区域(4)、铜板图案的引出电极(6)、和将金属部件区域(4)分隔为多个的凸形树脂部(7)。在金属部件区域(4)上部分形成遮盖树脂(8)，还设置密封树脂，以覆盖金属部件区域(4)、遮盖树脂(8)、和凸形的树脂部(7)。根据这种结构，使密封树脂与放置发光元件的金属部件区域(4)的接触面积减少，防止金属部件区域(4)与发光元件的脱落和错位等，从而能提供可靠性高的半导体发光装置。
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公开(公告)号：CN102157506A
公开(公告)日：2011-08-17
申请号：CN201110025234.8
申请日：2011-01-20
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L25/075 , H01L33/62 , H01L33/52
CPC classification number: H01L25/0753 , F21K9/232 , F21K9/238 , F21V3/00 , F21V5/048 , F21V23/005 , F21V29/74 , F21Y2101/00 , F21Y2105/10 , F21Y2115/10 , H01L25/167 , H01L27/15 , H01L27/156 , H01L33/38 , H01L33/483 , H01L33/486 , H01L33/50 , H01L33/507 , H01L33/52 , H01L33/54 , H01L33/56 , H01L33/60 , H01L33/62 , H01L2224/48137 , H01L2924/3011 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种发光装置，包括陶瓷基板、多个LED芯片、以及与多个LED芯片并联连接的印刷电阻，包括由光透过率较低的树脂形成的堤坝树脂以及含荧光体树脂层；在陶瓷基板的主表面上，形成以沿着该主表面内的第一方向对向的方式配置的阳极用电极以及阴极用电极；阳极用电极以及阴极用电极配置在堤坝树脂、含荧光体树脂层、或这两者的下部。据此，提供一种能够在串并联连接的多个LED安装于基板的结构中实现亮度不均的改善以及发光效率的提高的发光装置。
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公开(公告)号：CN102110682A
公开(公告)日：2011-06-29
申请号：CN201010546217.4
申请日：2010-11-10
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H01L25/0753 , F21K9/00 , H01L27/15 , H01L33/38 , H01L33/504 , H01L33/54 , H01L33/56 , H01L33/58 , H01L33/62 , H01L2224/48091 , H05K1/0306 , H05K1/167 , H05K1/181 , H05K2201/10106 , Y10T29/49764 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明的发光装置具有形成在瓷质基板上的LED芯片和用以埋置LED芯片的封装体。封装体含有荧光体，并被第1树脂环及第2树脂环分隔成第1含荧光体树脂层及第2含荧光体树脂层。
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公开(公告)号：CN101807636A
公开(公告)日：2010-08-18
申请号：CN201010121580.1
申请日：2007-09-10
Applicant: 夏普株式会社
Inventor： 幡俊雄
CPC classification number: H01L33/0079 , H01L33/22 , H01L33/42 , H01S5/0213 , H01S5/0217 , H01S5/32341
Abstract: 本发明公开了一种氮化物半导体发光元件，该元件包括：透明导体、第一导电型氮化物半导体层、发光层、和第二导电型氮化物半导体层，所述第一导电型氮化物半导体层、发光层、和第二导电型氮化物半导体层按顺序层叠在所述透明导体上。本发明还提供了一种氮化物半导体发光元件，该元件包括：透明导体；金属层；第二透明导体；第一导电型氮化物半导体层；发光层；和第二导电型氮化物半导体层，所述金属层、第二透明导体、第一导电型氮化物半导体层、发光层、和第二导电型氮化物半导体层按顺序层叠在所述透明导体上。本发明还提供了各个这些氮化物半导体发光元件的制造方法。
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公开(公告)号：CN100585807C
公开(公告)日：2010-01-27
申请号：CN200710167204.4
申请日：2007-11-01
Applicant: 夏普株式会社
Inventor： 幡俊雄
CPC classification number: H01L33/0079
Abstract: 本发明公开了一种氮化物基半导体装置的制造方法，该制造方法包括步骤：在支撑衬底上形成由氮化物基半导体构成的层叠结构，在层叠结构上沉积第一接合金属，在保持衬底上沉积第二接合金属，在其中第一接合金属和第二接合金属相互面对的状态下接合第一接合金属和第二接合金属从而接合保持衬底和层叠结构，其中第一接合金属和第二接合金属构成接合金属，并且从层叠结构分离支撑衬底以将其移走。设置保持衬底的表面面积比支撑衬底的表面面积小。因而可以避免在保持衬底上的裂纹、断裂、碎屑等。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101488546A
公开(公告)日：2009-07-22
申请号：CN200810190882.7
申请日：2008-10-29
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L2224/8592 , H01L2924/181 , H01L2224/48091 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明提供一种芯片部件式LED，在形成了LED芯片搭载用的第一凹孔和金属细线连接用的第二凹孔的绝缘基板的包含第一凹孔的部分形成作为第一布线图案的金属薄板，在包含第二凹孔的部分形成作为第二布线图案的金属薄板。在第一凹孔内的金属薄板上安装LED芯片，该LED芯片通过金属细线电连接于第二凹孔内的金属薄板，包含第一凹孔的LED芯片和包含第二凹孔的所述金属细线被含有荧光体的第一透明树脂密封。包含第一透明树脂的绝缘基板的表面被第二透明树脂密封。
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公开(公告)号：CN101312185A
公开(公告)日：2008-11-26
申请号：CN200810131474.4
申请日：2008-03-21
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L25/075 , H01L23/31 , H01L21/50 , H01L21/56
CPC classification number: H01B1/10 , F21K9/232 , F21Y2115/10 , H01L24/45 , H01L24/73 , H01L25/0753 , H01L33/50 , H01L2224/32225 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/45169 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2924/01015 , H01L2924/0102 , H01L2924/01047 , H01L2924/01063 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/12041 , H01L2924/181 , H01L2924/19107 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明提供一种组合了发光元件和荧光体的发光装置及其制造方法，该发光装置(1)具有基板(2)和发光部，发光部具有搭载在基板(2)上并且与外部电连接的多个发光元件(4)、形成为覆盖发光元件(4)并且含有第一荧光体的第一密封体层(5)、在第一密封体层(5)上形成的含有第二荧光体的第二密封体层(6)，以及该发光装置的制造方法包括在基板上搭载多个发光元件(4)，使发光元件(4)与外部电极电连接的工序、覆盖发光元件(4)以形成含有第一荧光体的第一密封体层(5)的工序、测定第一密封体层形成后发光装置的色度特性的工序、以及在第一密封体层(5)上形成第二密封体层(6)以根据测定的色度特性调整得到色度偏差的工序。该发光装置能够通过荧光体抑制色偏差等，同时容易制造。
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公开(公告)号：CN101252164A
公开(公告)日：2008-08-27
申请号：CN200810074060.2
申请日：2008-02-21
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L33/00 , H01L23/367
CPC classification number: H01L2224/48091 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明提供一种散热性、可靠性和生产性优异的表面安装型发光二极管。该表面安装型发光二极管(10)具有金属制的基底部件(2)、背面接合固定在基底部件(2)上的半导体发光元件(1)、按照包围半导体发光元件(1)的方式在基底部件(2)上隔着热传导性接合片(5)接合的金属制的反射体(6)。从半导体发光元件(1)产生的热通过基底部件(2)和热传导性接合片(5)向反射体(6)传导，并从反射体(6)向外部散热。反射体(6)是金属制，所以能把从半导体发光元件(1)产生的热高效向外部散热。在反射体(6)设置切削部，如果沿着该切削部切割，就能容易切割，所以不会降低成品率，能提高生产性。
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公开(公告)号：CN100388517C
公开(公告)日：2008-05-14
申请号：CN200510081938.1
申请日：2005-07-08
Applicant: 夏普株式会社
Inventor： 幡俊雄
CPC classification number: H01L33/0079 , H01L33/32 , H01L2224/45144 , H01L2224/48463 , H01L2924/01322 , H01L2924/12041 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 一种氮化物系化合物半导体发光元件，其包括：支承衬底(11)、形成于该支承衬底(11)上的第一欧姆电极(12)、形成于该第一欧姆电极(12)上的粘接用金属层(20)、形成于该粘接用金属层(20)上的第二欧姆电极(13)、形成于该第二欧姆电极(13)上的氮化物系化合物半导体层(30)、形成于该半导体层(30)的大致整个上面的透明电极(17)、形成于该支承衬底(11)的背面的欧姆电极(14)。
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公开(公告)号：CN100364119C
公开(公告)日：2008-01-23
申请号：CN200410054958.5
申请日：2004-07-26
Applicant: 夏普株式会社
Inventor： 幡俊雄
CPC classification number: H01L33/24 , H01L33/0079 , H01L33/32 , H01L33/385 , H01L33/405 , H01L2933/0016
Abstract: 一种氮化物基化合物半导体发光器件，包括在包含包括发光层(4)的氮化物基化合物半导体层的半导体叠层(36)的第一主表面(60)上局部形成的支撑电极(700)。一种制造氮化物基化合物半导体发光器件的方法，包括步骤：通过在衬底上至少局部地堆叠包括发光层(4)的氮化物基化合物半导体层形成半导体叠层(36)；在与所述衬底(1)相对设置的所述半导体叠层(36)的主表面(60)上局部地形成支撑电极(700)；和除去所述衬底(1)。由此，提供了一种具有高外部发光效率、没有晶片破碎和破裂的氮化物基化合物半导体发光器件及其制造方法。
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