-
公开(公告)号：CN104904025B
公开(公告)日：2018-04-03
申请号：CN201380069511.2
申请日：2013-12-13
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L33/62
CPC classification number: H01L33/486 , H01L24/06 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L24/85 , H01L33/62 , H01L2224/04042 , H01L2224/06102 , H01L2224/32245 , H01L2224/32257 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/48465 , H01L2224/48479 , H01L2224/4848 , H01L2224/48997 , H01L2224/49107 , H01L2224/49109 , H01L2224/4945 , H01L2224/73265 , H01L2224/85051 , H01L2224/85181 , H01L2224/85186 , H01L2224/85986 , H01L2224/92247 , H01L2924/00014 , H01L2924/12041 , H01L2924/181 , H01L2933/0016 , H01L2933/0033 , H01L2933/0066 , H01L2224/48471 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2224/29099 , H01L2224/4554 , H01L2224/85399 , H01L2224/05599
Abstract: 发光装置(1)的制造方法具有：框体形成工序，形成框体(2)，该框体(2)具有装载发光元件(20)的装置基板(4)和与装置基板(4)分离而通过导线(6a)与发光元件(20)电连接的端子部(5)，并且，从端子部(5)的与导线(6a)连接的连接面至框体(2)的上缘(2a)为止的高度(H1)低于从发光元件(20)的上表面至框体(2)的上缘(2a)为止的高度(H2)；在导线(6a)连接的发光元件(20)的电极形成凸块(32)的凸块形成工序；首先将导线(6a)的一端与端子部(5)接合的第一接合工序；然后将导线(6a)的另一端与凸块(32)接合的第二接合工序；和在框体(2)的内部填充密封材料(7)而将发光元件(20)密封的密封工序。
-
公开(公告)号：CN106848045A
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201710135406.4
申请日：2012-05-31
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 本发明提供一种发光装置(1)，其使用了构成与一个或多个发光元件(2)对应的电极的引线框架(3、4)、以及利用白色树脂进行了一体成形的白色树脂成型封装体(5)，与发光元件(2)的搭载面为同一平面的反射面上的白色树脂表面的俯视面积构成得大于引线框架(3、4)的表面和发光元件所占的俯视总面积。另外，在引线框架(3、4)的表面形成阶差部，在阶差部中填充白色树脂，以增加搭载发光元件(2)的反射面上的白色树脂表面的面积。据此，提高光取出效率。
-
公开(公告)号：CN104718631A
公开(公告)日：2015-06-17
申请号：CN201380053821.5
申请日：2013-10-08
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H01L33/504 , G02F1/133514 , H01L2224/48091 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
Abstract: LED分类装置(21)，当将发出一次光的LED元件和由一次光激发而发出波长比一次光的波长长的二次光的荧光体组合而得到的LED的一次光的色度在规定的范围内时，将该LED分类为能够在液晶显示装置的背光源中使用的对象。系数计算部(26)和校正色度计算部(27)，对作为分类对象的全部LED计算设想一次光透过液晶显示装置的彩色滤光片而得到的色度的校正值，通过对作为分类对象的全部LED从得到的色度分别减去该校正值来对色度进行校正。色度等级分类部(28)根据校正色度对LED进行色度等级分类。
-
公开(公告)号：CN100379106C
公开(公告)日：2008-04-02
申请号：CN200510075919.8
申请日：2005-06-01
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: B82Y20/00 , G11B7/1275 , H01S5/2206 , H01S5/2231 , H01S5/3432 , H01S5/34326 , H01S5/4031 , H01S5/4087 , H01S2301/173 , H01S2304/04
Abstract: 一种半导体激光元件及其制造方法，该半导体激光元件中，在p型 GaAs盖层的层厚和p型 AlXGa1-XAs (X＝0.550)第二包层的层厚相加的层厚与p型 GaAs 盖层的层厚和p型 AlGaInP 第二上包层的层厚相加的层厚的比跟干蚀刻p型 GaAs 盖层以及p型 AlXGa1-XAs (X＝0.550)第二包层时的蚀刻速率与干蚀刻p型 GaAs 盖层以及p型 AlGaInP 第二上包层时的蚀刻速率的比大致相同。
-
公开(公告)号：CN1309127C
公开(公告)日：2007-04-04
申请号：CN200410083363.2
申请日：2004-09-30
Applicant: 夏普株式会社
Inventor： 辰巳正毅
CPC classification number: G11B7/1275 , G11B2007/0006 , H01S5/0425 , H01S5/2201 , H01S5/2205 , H01S5/2214 , H01S5/2231 , H01S5/4031 , H01S5/4087 , H01S2304/04
Abstract: 本发明公开一种包括多个激光振荡部的单片多波长激光元件及其制造方法，所述单片多波长激光元件包括：衬底(101)，带有脊状部分的第一波长激光振荡部(102)，和带有脊状部分的第二波长激光振荡部(103)，并且第一波长激光振荡部(102)和第二波长激光振荡部(103)均包括：由覆盖脊状部分的侧面并延伸到与脊状部分的底面相连的平面的至少一部分区域的半导体薄膜构成的电流阻止层(131)；和覆盖在电流阻止层(131)上的绝缘层(132)，其由具有比电流阻止层(131)低的折射率的材料制成的绝缘性电介质薄膜构成。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1758494A
公开(公告)日：2006-04-12
申请号：CN200510108809.7
申请日：2005-09-30
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01S5/00
CPC classification number: H01S5/22 , H01S5/0658 , H01S5/2219 , H01S5/2231 , H01S5/4031 , H01S5/4087
Abstract: 一种半导体激光元件以及单片二波长半导体激光装置，其在N型GaAs衬底(1)上形成有源层(6)上，在有源层(6)上形成P型AlGaInP外敷层(8)。另外，P型AlGaINP外敷层(8)上形成的脊部的侧方上形成具有与P型AlGaInP外敷层(8)大致相同的折射率的N型AlGaInP阻碍层(13)。
-
公开(公告)号：CN1578031A
公开(公告)日：2005-02-09
申请号：CN200410054490.X
申请日：2004-07-22
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: B82Y20/00 , H01S5/2206 , H01S5/2231 , H01S5/3432 , H01S5/4031 , H01S5/4087 , H01S2304/04
Abstract: 本发明公开了一种半导体激光器件及其制造方法。首先形成在n型GaAs缓冲层(22)上的第一半导体激光器(39)的n型AlGaAs包层由第二n型AlxGa1－xAs(x＝0.500)包层(23)和第一n型AlxGa1－xAs(x＝0.425)包层(24)的两层结构构成。利用这种布置，在通过利用HF蚀刻位于n型GaAs缓冲层(22)侧的第二n型包层(23)而进行的去除中，因为第二n型包层(23)的Al混晶比x为0.500，所以不出现模糊，允许达到镜面蚀刻。而且借助对GaAs的选择性，蚀刻在n型GaAs缓冲层(22)处自动停止。甚至在上述情况下，由于位于AlGaAs多量子阱有源层(25)侧的第一n型包层(24)的Al混晶比x为0.425，因此通过使垂直辐射角θ⊥等于36度，可以提高椭圆度。
-
公开(公告)号：CN1507123A
公开(公告)日：2004-06-23
申请号：CN200310123374.4
申请日：2003-12-11
Applicant: 夏普株式会社
Inventor： 辰巳正毅
IPC: H01S5/00
CPC classification number: H01S5/4031 , H01S5/0425 , H01S5/204 , H01S5/2206 , H01S5/2214 , H01S5/2231 , H01S5/3202 , H01S5/4087 , H01S2304/02
Abstract: 包括制成在单个砷化镓(GaAs)衬底上的一个第一波长的激光部分(102)和一个第二波长的激光部分(103)，其特征在于，第一波长的激光部分(102)具有一个真实引导结构，而第二波长的激光部分(103)具有一个损耗引导结构。在这类多波长的激光器件中，与常规的器件相比较，当第一波长是在大约780nm的波长段中和第二波长是在大约650nm的波长段中时，由于第一波长的激光部分具有一个真实引导结构，所以波导中的损耗可以减小，并且工作电流可以减小。
-
公开(公告)号：CN102656401B
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：CN201080054249.0
申请日：2010-11-12
Applicant: 夏普株式会社
IPC: F21S2/00 , F21V19/00 , G02F1/13357 , H01L33/00 , F21Y101/02
CPC classification number: G02F1/133603 , G02F1/133609
Abstract: 本发明的目的在于提供一种发光模块，能够发射总体上具有几乎均匀色调的照明光。本发明还提供一种具有这种发光模块的表面光源、以及一种具有这种表面光源的液晶显示器和照明设备。在发光模块(50)中，相邻点光源满足以下关系：ΔX1+ΔX2＝ΔX×2和ΔY1+ΔY2＝ΔY×2，使得得到的混合颜色能够落在目标色度等级区域(M)内，并且第一色度等级区域g的中心(gc)和第二色度等级区域(E)的中心(Ec)相对于通过目标色度等级区域(M)中心(Mc)并且平行于目标色度等级区域(M)的一个边或另一边的虚拟直线(gE1、gE2)轴对称。
-
公开(公告)号：CN104904025A
公开(公告)日：2015-09-09
申请号：CN201380069511.2
申请日：2013-12-13
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L33/62
CPC classification number: H01L33/486 , H01L24/06 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L24/85 , H01L33/62 , H01L2224/04042 , H01L2224/06102 , H01L2224/32245 , H01L2224/32257 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/48465 , H01L2224/48479 , H01L2224/4848 , H01L2224/48997 , H01L2224/49107 , H01L2224/49109 , H01L2224/4945 , H01L2224/73265 , H01L2224/85051 , H01L2224/85181 , H01L2224/85186 , H01L2224/85986 , H01L2224/92247 , H01L2924/00014 , H01L2924/12041 , H01L2924/181 , H01L2933/0016 , H01L2933/0033 , H01L2933/0066 , H01L2224/48471 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2224/29099 , H01L2224/4554 , H01L2224/85399 , H01L2224/05599
Abstract: 发光装置(1)的制造方法具有：框体形成工序，形成框体(2)，该框体(2)具有装载发光元件(20)的装置基板(4)和与装置基板(4)分离而通过导线(6a)与发光元件(20)电连接的端子部(5)，并且，从端子部(5)的与导线(6a)连接的连接面至框体(2)的上缘(2a)为止的高度(H1)低于从发光元件(20)的上表面至框体(2)的上缘(2a)为止的高度(H2)；在导线(6a)连接的发光元件(20)的电极形成凸块(32)的凸块形成工序；首先将导线(6a)的一端与端子部(5)接合的第一接合工序；然后将导线(6a)的另一端与凸块(32)接合的第二接合工序；和在框体(2)的内部填充密封材料(7)而将发光元件(20)密封的密封工序。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
26
records
(took 0.021 seconds)
