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公开(公告)号：CN112088426B
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN201980030846.0
申请日：2019-05-03
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/67 , H01J37/32 , C23C16/455 , H05H1/46
Abstract: 此处所述的实施例关于提供较短且对称的路径的接地路径系统，用于将射频(RF)能量传播至接地以减少寄生等离子体的产生。接地路径系统将腔室的处理容积分叉以形成内部容积，内部容积隔绝处理容积的外部容积。
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公开(公告)号：CN112088426A
公开(公告)日：2020-12-15
申请号：CN201980030846.0
申请日：2019-05-03
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/67 , H01J37/32 , C23C16/455 , H05H1/46
Abstract: 此处所述的实施例关于提供较短且对称的路径的接地路径系统，用于将射频(RF)能量传播至接地以减少寄生等离子体的产生。接地路径系统将腔室的处理容积分叉以形成内部容积，内部容积隔绝处理容积的外部容积。
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公开(公告)号：CN108998776A
公开(公告)日：2018-12-14
申请号：CN201810576218.X
申请日：2018-06-06
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/455 , C23C16/513
CPC classification number: H01J37/32449 , C23C16/401 , C23C16/4401 , C23C16/45512 , C23C16/45565 , C23C16/4557 , C23C16/50 , C23C16/5096 , C23C16/52 , H01J37/32522 , H01J2237/3321 , H01J2237/3323 , C23C16/513 , C23C16/45561
Abstract: 本公开涉及通过独立控制TEOS流量的沉积径向和边缘轮廓可维持性。本公开披露了用于处理基板的串联处理系统。至少一个处理腔室包括穿孔盖、设置在穿孔盖上的气体阻滞器以及设置在穿孔盖下方的基板支撑件。气体阻滞器包括：气体歧管、在气体歧管中形成的中心气体通道、设置在气体歧管下方的第一气体分配板、在气体歧管中形成的第一和第二气体通道、设置在第一气体分配板下方的第二气体分配板、设置在第二气体分配板下方的第三气体分配板、以及设置在第二气体分配板和第三气体分配板之间的多个直通通道。第二气体分配板包括穿过第二气体分配板的底部而形成的多个通孔、与中心气体通道流体连通的中心开口以及在第二气体分配板的顶表面中形成的凹陷区域。
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公开(公告)号：CN106571319A
公开(公告)日：2017-04-19
申请号：CN201610875496.6
申请日：2016-09-30
Applicant: 应用材料公司
Inventor： A·K·班塞尔 , J·C·罗查-阿尔瓦瑞兹 , S·巴录佳 , S·H·金 , T·A·恩古耶
IPC: H01L21/67
CPC classification number: C23C16/45565 , C23C16/45574 , H01L21/67011
Abstract: 本公开涉及了一种具有多个流体输送区的喷淋头组件。所述喷淋头组件包括：面板，所述面板被配置成将工艺气体输送到限定在所述喷淋头组件与所述基板支撑件之间的处理区域；以及底板，所述底板被定位在所述面板上方，在所述盖与所述底板之间限定第一气室，所述底板具有多个区域，其中每个区域具有多个开口，所述多个开口被配置成使一定量的惰性气体从所述第一气室流入所述面板与所述底板之间限定的第二气室，两个气室利用每个区中的所述多个开口流体连通，使得所述惰性气体在离开所述喷淋头组件之前与所述工艺气体混合。
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公开(公告)号：CN103098174A
公开(公告)日：2013-05-08
申请号：CN201180043422.1
申请日：2011-09-28
Applicant: 应用材料公司
Inventor： P·艾文加 , S·巴录佳 , D·R·杜波依斯 , J·C·罗查-阿尔瓦雷斯 , T·诺瓦克 , S·A·亨德里克森 , Y-W·李 , M-Y·石 , L-Q·夏 , D·R·威蒂
IPC: H01L21/205
CPC classification number: H01L21/02164 , C23C16/45565 , C23C16/4557 , C23C16/45574 , C23C16/463 , C23C16/5096 , H01L21/02274
Abstract: 一种基板处理系统包含邻近处理腔室的热处理器或等离子体发生器。第一处理气体进入所述热处理器或等离子体发生器。所述第一处理气体随后直接流动穿过喷头进入所述处理腔室。第二处理气体流动穿过第二流径，所述第二流径经过所述喷头。所述第一处理气体及所述第二处理气体在所述喷头下方混合且在所述喷头下方的基板上沉积材料层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102844854A
公开(公告)日：2012-12-26
申请号：CN201080055563.0
申请日：2010-12-13
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/68 , H01L21/683 , H01L21/205 , C23C16/458
CPC classification number: H01L21/67109 , H01L21/68792
Abstract: 本发明的实施例大致关于半导体处理腔室，且更明确地，关于半导体处理腔室的加热支撑基座。在一个实施例中，提供半导体处理腔室的基座。基座包括：基板支撑件，基板支撑件包括导电材料并具有接收基板的支撑表面；电阻式加热器，密封于基板支撑件中；中空轴，在第一端耦接至基板支撑件并在相反端耦接至相配接口，中空轴包括具有中空核心的轴主体；及冷却通道组件，环绕中空核心并配置于轴主体中，以通过内部冷却路径从基座移除热量，其中基板支撑件具有位于加热元件与环形冷却通道之间的热控制间隙。
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公开(公告)号：CN107980172B
公开(公告)日：2022-10-14
申请号：CN201680047305.5
申请日：2016-07-20
Applicant: 应用材料公司
Inventor： M·W·蒋 , P·P·杰哈 , 韩新海 , 金柏涵 , 金相赫 , 朱明勋 , 朴亨珍 , 金伦宽 , 孙镇哲 , S·格纳纳威路 , M·G·库尔卡尼 , S·巴录佳 , M·K·莎莱扎 , J·K·福斯特
IPC: H01L27/11582 , H01L21/768 , H01L21/02 , H01L27/11548 , H01L27/11556 , H01L27/11575
Abstract: 本公开的实施例一般涉及一种用于形成介电膜堆栈的改进方法，该介电膜堆栈用于3D NAND结构中的层间电介质(ILD)层。在一个实施例中，该方法包括提供具有栅堆栈沉积于其上的基板，使用第一RF功率及第一处理气体在该栅堆栈的暴露表面上形成第一氧化层，第一处理气体包含TEOS气体与第一含氧气体，及使用第二RF功率与第二处理气体在该第一氧化层上形成第二氧化层，第二处理气体包含硅烷气体与第二含氧气体。
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公开(公告)号：CN107460451B
公开(公告)日：2021-07-06
申请号：CN201710307714.0
申请日：2017-05-04
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 本发明涉及自居中底座加热器。本发明提供了一种底座，所述底座包括：主体；加热器，嵌入在主体中；支撑凹槽，在主体内形成，具有安置在第一平面中的表面；周边表面，安置在第二平面中，包围支撑凹槽；以及多个定心凸片，定位在支撑凹槽与周边表面之间，每个定心凸片具有安置在第三平面中的表面，第三平面在第一平面和第二平面两者之间。
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公开(公告)号：CN105714269B
公开(公告)日：2020-03-24
申请号：CN201510964982.0
申请日：2015-12-21
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/44
Abstract: 本文公开了一种用于处理基板的处理腔室。在一个实施例中，所述处理腔室包括：衬层组件，所述衬层组件设置在所述处理腔室的内部容积内；以及C形通道，所述C形通道设置在所述腔室的内部容积内，并且包围所述衬层组件。在另一实施例中，本文公开了一种工艺套件，所述工艺套件设置在所述处理腔室的所述内部容积内。所述工艺套件包括设置在所述内部容积内的衬层组件、C形通道和隔离器。所述C形通道和所述隔离器包围所述衬层组件。本文还描述了一种用于通过使前体气体流入处理腔室中以将硅基材料沉积在基板上的方法。
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公开(公告)号：CN107534008A
公开(公告)日：2018-01-02
申请号：CN201680023585.6
申请日：2016-02-11
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/677 , H01L21/67
CPC classification number: B25J11/0095 , H01L21/67196 , H01L21/67742 , H01L21/67748
Abstract: 本公开总体上关于用于在多个工艺腔室之间传送半导体基板的半导体工艺装备。更具体而言，本文中所述的实施例关于使用输送装置以在多个工艺腔室之间传送或交换半导体基板的系统与方法，所述输送装置采用至少两个叶片以用于在多个处理腔室之间同时传送基板。
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