公开(公告)号：CN113004817B

公开(公告)日：2025-02-21

申请号：CN202011446409.8

申请日：2020-12-09

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 福井章洋 ,  田中俊平 ,  田村彰规

IPC: C09J7/24 ,  C09J7/30 ,  C09J133/08 ,  C09J11/06 ,  H01L21/683

Abstract: 本发明涉及切割芯片接合薄膜。本发明所述的切割芯片接合薄膜具备在基材层上层叠有粘合剂层的切割带、以及层叠在前述切割带的粘合剂层上的芯片接合层，所述切割芯片接合薄膜的汉森溶解度参数距离Ra为3以上且14以下，所述汉森溶解度参数距离Ra是使用由三维坐标表示的前述粘合剂层的汉森溶解度参数(δdA、δpA、δhA)和由三维坐标表示的前述芯片接合层的汉森溶解度参数(δdD、δpD、δhD)而算出的。

公开(公告)号：CN116249620B

公开(公告)日：2024-03-08

申请号：CN202280005981.1

申请日：2022-08-02

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 福富秀平 ,  田中俊平 ,  植野大树 ,  浅井量子 ,  仲野武史

IPC: B32B27/20

公开(公告)号：CN115863522B

公开(公告)日：2023-11-03

申请号：CN202211665044.7

申请日：2022-12-23

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 浅井量子 ,  仲野武史 ,  福富秀平 ,  田中俊平 ,  植野大树 ,  长束尚辉

IPC: H01L33/56 ,  H01L33/58 ,  H01L25/075

Abstract: 提供光扩散性优异、且光取出效率优异的光半导体元件密封用片。光半导体元件密封用片(1)为用于对配置在基板(5)上的1个以上的光半导体元件(6)进行密封的片，其具备具有光扩散层和防反射层的密封部(2)。光半导体元件密封用片(1)在将功能层层叠于片(1)的单面的状态下，从前述功能层侧进行测定时的L*a*b*(SCE)中的L*1、a*1、b*1、从片(1)侧进行测定时的L*a*b*(SCE)中的L*2、a*2、b*2分别为满足下述式(1)～(3)的值。‑5

公开(公告)号：CN114958225A

公开(公告)日：2022-08-30

申请号：CN202210179140.4

申请日：2022-02-25

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 田中俊平 ,  浅井量子 ,  飞永骏 ,  植野大树

IPC: C09J7/29 ,  C09J7/30 ,  C09J4/02 ,  C09J4/06 ,  C09J133/08 ,  G02F1/13357

Abstract: 本发明提供一种光半导体元件密封用片，其光半导体元件的密封性优异，并且使邻接的光半导体装置彼此分离时，不易发生片的缺损、邻接的光半导体装置的片的附着。光半导体元件密封用片(1)是用于将配置在基板(5)上的1个以上的光半导体元件(6)密封的片。光半导体元件密封用片(1)具备基材部(2)和密封部(3)，所述密封部(3)设置在基材部(2)的一个面上。密封部(3)用于将光半导体元件(6)密封，密封部(3)具有辐射线非固化性粘合剂层(32)和层叠在辐射线非固化性粘合剂层(32)上的辐射线固化性树脂层(31)。辐射线非固化性粘合剂层(32)在将光半导体元件(6)密封时位于光半导体元件(6)侧的表面。

公开(公告)号：CN112143405A

公开(公告)日：2020-12-29

申请号：CN202010558623.6

申请日：2020-06-18

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 福井章洋 ,  田中俊平 ,  田村彰规

IPC: C09J7/30 ,  C09J133/08 ,  H01L21/683

Abstract: 本发明涉及切割带及切割芯片接合薄膜。本发明提供抑制浮起、并且拾取性优异的切割带等。本发明为切割带等，所述切割带具备：基材层、和层叠于该基材层的粘合剂层，前述粘合剂层含有具有聚合性不饱和键的紫外线固化型的聚合性聚合物，前述粘合剂层的紫外线固化的差示扫描量热测定中的每单位质量的发热量为19mJ/mg以上。

公开(公告)号：CN103140917B

公开(公告)日：2016-08-24

申请号：CN201180047744.3

申请日：2011-09-21

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 田中俊平 ,  松村健

IPC: H01L21/301 ,  H01L21/52

CPC classification number: H01L21/78 ,  H01L21/6836 ,  H01L23/3121 ,  H01L24/27 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L2221/68336 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68377 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/85207 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/3025 ,  Y10T428/24331 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明提供可以防止切割薄膜屈服、断裂并且可以利用拉伸张力将芯片接合薄膜适当地断裂的切割/芯片接合薄膜。本发明的切割/芯片接合薄膜中，切割薄膜的上推夹具的外周所接触的接触部在25℃下的拉伸强度为15N以上且80N以下，并且屈服点伸长度为80%以上，切割薄膜的晶片粘贴部在25℃下的拉伸强度为10N以上且70N以下，并且屈服点伸长度为30%以上，[(接触部的拉伸强度)?(晶片粘贴部的拉伸强度)]为0N以上且60N以下，芯片接合薄膜在25℃下的断裂伸长率大于40%且为500%以下。

公开(公告)号：CN105694749A

公开(公告)日：2016-06-22

申请号：CN201510900517.0

申请日：2015-12-09

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 田中俊平 ,  高桥智一 ,  秋山淳

IPC: C09J7/02 ,  C09J133/14 ,  C08F220/28 ,  C08F220/18 ,  C08F220/14 ,  C08F226/06

Abstract: 本发明涉及用于半导体的制造中的压敏粘合片。提供一种压敏粘合片，其即使在半导体的制造方法中也能够维持期望的压敏粘合特性，所述制造方法包括例如，支承材料的剥离步骤。所述压敏粘合片包括基材层和压敏粘合剂层，其中压敏粘合剂层的水接触角为80°至105°。所述压敏粘合片用于半导体的制造方法中，所述制造方法包括使压敏粘合剂层与在20℃下在水中的溶解度为1g/100mL以下的溶剂接触的步骤。

公开(公告)号：CN102222633A

公开(公告)日：2011-10-19

申请号：CN201110096944.X

申请日：2011-04-15

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 菅生悠树 ,  田中俊平 ,  井上刚一

IPC: H01L21/68 ,  H01L21/78 ,  C09J7/02

CPC classification number: H01L24/83 ,  B23K26/364 ,  B23K26/40 ,  B23K2103/50 ,  B28D5/0011 ,  H01L21/6836 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L2221/68336 ,  H01L2221/68359 ,  H01L2224/27436 ,  H01L2224/29 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29386 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83855 ,  H01L2224/85207 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01011 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01016 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01052 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01058 ,  H01L2924/0106 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/20103 ,  H01L2924/20104 ,  H01L2924/20105 ,  H01L2924/20106 ,  H01L2924/3025 ,  Y10T428/28 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/0532 ,  H01L2924/05432 ,  H01L2924/05032 ,  H01L2924/0503 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29199 ,  H01L2224/29299

Abstract: 本发明提供通过拉伸张力芯片接合薄膜恰当地断裂的热固型芯片接合薄膜。一种热固型芯片接合薄膜，用于以下方法：对半导体晶片照射激光形成改性区域后，通过用改性区域将半导体晶片断裂而由半导体晶片得到半导体元件的方法；或者在半导体晶片的表面形成未到达背面的沟后，进行半导体晶片的背面磨削，通过从背面露出沟而由半导体晶片得到半导体元件的方法，所述热固型芯片接合薄膜的特征在于，热固化前25℃下的断裂伸长率大于40％且不超过500％。本发明还提供切割/芯片接合薄膜及半导体装置的制造方法。

公开(公告)号：CN114958226B

公开(公告)日：2025-02-07

申请号：CN202210179145.7

申请日：2022-02-25

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 田中俊平 ,  浅井量子 ,  飞永骏 ,  植野大树

IPC: C09J7/29 ,  C09J7/30 ,  C09J4/02 ,  C09J4/06 ,  C09J133/08 ,  G02F1/13357

Abstract: 本发明提供一种光半导体元件密封用片，其光半导体元件的密封性优异，并且使邻接的光半导体装置彼此分离时，不易发生片的缺损、邻接的光半导体装置的片的附着。光半导体元件密封用片(1)是用于将配置在基板(5)上的1个以上的光半导体元件(6)密封的片。光半导体元件密封用片(1)具备基材部(2)和密封部(3)，所述密封部(3)设置在基材部(2)的一个面上。密封部(3)用于将光半导体元件(6)密封，具有辐射线非固化性粘合剂层(32)和辐射线固化性树脂层(31)。辐射线固化性树脂层(31)包含具有辐射线聚合性官能团的聚合物。

公开(公告)号：CN118434814A

公开(公告)日：2024-08-02

申请号：CN202280081781.4

申请日：2022-10-19

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 千叶瑞穗 ,  田中俊平 ,  越智元气

IPC: C09J7/38 ,  C09J11/06 ,  C09J133/14 ,  H01L33/48

Abstract: 本发明提供一种粘合片，其可在转移电子部件时使用，能够有助于改善生产成本，使电子部件的位置精度、电子部件对粘合片的固定性和剥离性优异，使电子部件的污染防止以及对电子部件的损伤防止成为可能。本发明的粘合片具备由活性能量射线固化型粘合剂构成的粘合剂层，该活性能量射线固化型粘合剂包含紫外线吸收剂和/或光聚合引发剂，该粘合剂层的23℃下的初始压痕弹性模量为4MPa以下，该粘合剂层为照射460mJ/cm2的紫外线后，23℃下的压痕弹性模量达到150MPa以上的层，该粘合片的波长355nm的透光率为50％以下。