公开(公告)号：CN104821267B

公开(公告)日：2017-08-04

申请号：CN201410091655.4

申请日：2014-03-13

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 丰田一行 ,  高崎唯史 ,  芦原洋司 ,  佐野敦 ,  赤江尚德 ,  野内英博

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/02263 ,  C23C16/4405 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/45561 ,  C23C16/4557 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32577

Abstract: 为解决在使用喷头的装置中也能维持高运转效率的课题，本发明提供一种衬底处理装置，具有：第一气体供给系统，具有与原料气体源连接并设有原料气体供给控制部的原料气体供给管；第二气体供给系统，具有与反应气体源连接并设有反应气体供给控制部的反应气体供给管；第三气体供给系统，具有与清洁气体源连接并设有清洁气体供给控制部的反应气体供给管；喷头部，具有与第一、第二、第三气体供给系统连接的缓冲室；处理室，设于喷头下方内有载置衬底的衬底载置部；等离子体生成区域切换部，对在缓冲室和处理室生成等离子体切换；等离子体生成部，具有等离子体生成区域切换部和电源；控制部，至少控制原料气体供给部、反应气体供给控制部和等离子体生成部。

公开(公告)号：CN104821283A

公开(公告)日：2015-08-05

申请号：CN201410092298.3

申请日：2014-03-13

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 野内英博 ,  芦原洋司 ,  佐野敦 ,  高崎唯史

IPC: H01L21/67

CPC classification number: H01L21/02271 ,  C23C16/34 ,  C23C16/452 ,  C23C16/45519 ,  C23C16/45523 ,  C23C16/45536 ,  C23C16/45561 ,  C23C16/45587 ,  C23C16/45591 ,  C23C16/52 ,  H01L21/02104 ,  H01L21/02186 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/76843

Abstract: 一种衬底处理装置及半导体装置的制造方法，该衬底处理装置具有：对衬底进行处理的处理室；设在处理室的上方，具有对处理室均匀地供给气体的分散板的缓冲室；设在缓冲室的作为顶棚部构造而构成的顶板上，对于气体供给方向在上游侧连接有处理气体供给部的处理气体供给孔；设在顶板上，对于气体供给方向在上游侧连接有惰性气体供给部的惰性气体供给孔；周状的基端部，以处理气体供给孔位于内周侧而惰性气体供给孔位于外周侧的方式与顶板的下游侧的面连接；气体引导件，具有基端部，并配置于分散板的上方；处理室排气部，将处理室的环境气体排气，并设在处理室的下方；至少对处理气体供给部、惰性气体供给部、处理室排气部进行控制的控制部。

公开(公告)号：CN101010447B

公开(公告)日：2010-09-01

申请号：CN200580029573.6

申请日：2005-10-14

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 板谷秀治 ,  野内英博 ,  堀井贞义 ,  佐野敦

IPC: C23C16/455

CPC classification number: C23C16/4412

Abstract: 一种基板处理装置，通过减小接触气体面积来抑制粒子的产生，通过减小流路容积提高净化效率。其具有用于对基板(2)进行处理的处理室(1)；被设置在处理室(1)侧面、将基板(2)相对于处理室(1)内搬入搬出的基板搬送口(10)；被可升降地设置在处理室(1)内、对基板(2)进行保持的保持机构；与保持机构相比被设置在上方，向处理室(1)内供给气体的供给口(3、4)；被设置在保持机构的周围、排出被供给到处理室内的气体的排气通道(35)；与在基板处理时的排气通道的上面相比被设置在下方，用于将由排气通道排出的气体向处理室外排出的排气口(5)，其中构成排气通道(35)的部件的至少一部分被构成为可以升降。

公开(公告)号：CN105304525B

公开(公告)日：2018-08-28

申请号：CN201510401574.4

申请日：2015-07-09

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 丰田一行 ,  芦原洋司 ,  佐野敦 ,  赤江尚德 ,  野内英博

IPC: H01L21/67

CPC classification number: C23C16/45523 ,  C23C16/345 ,  C23C16/4408 ,  C23C16/45519 ,  C23C16/45582 ,  C23C16/4585

Abstract: 本发明涉及衬底处理装置、半导体器件的制造方法以及记录介质。通过本发明，能够提高形成于衬底上的膜的特性和对衬底面内的处理均匀性、以及提高制造生产能力，并抑制颗粒产生。本发明的衬底处理装置具有：处理室，收纳衬底；衬底支承部，支承所述衬底，且外周具有突出部；分隔部，设置在所述处理室内，与所述突出部相接触，分隔所述处理室与输送所述衬底的输送空间；气体供给部，向所述处理室供给处理气体；以及，分隔吹扫气体供给部，向在对所述衬底供给所述处理气体时在所述接触的部位产生的所述突出部与所述分隔部之间的间隙，供给吹扫气体。

公开(公告)号：CN101010447A

公开(公告)日：2007-08-01

申请号：CN200580029573.6

申请日：2005-10-14

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 板谷秀治 ,  野内英博 ,  堀井贞义 ,  佐野敦

IPC: C23C16/455

CPC classification number: C23C16/4412

Abstract: 一种基板处理装置，通过减小接触气体面积来抑制粒子的产生，通过减小流路容积提高净化效率。其具有用于对基板(2)进行处理的处理室(1)；被设置在处理室(1)侧面、将基板(2)相对于处理室(1)内搬入搬出的基板搬送口(10)；被可升降地设置在处理室(1)内、对基板(2)进行保持的保持机构；与保持机构相比被设置在上方，向处理室(1)内供给气体的供给口(3、4)；被设置在保持机构的周围、排出被供给到处理室内的气体的排气通道(35)；与在基板处理时的排气通道的上面相比被设置在下方，用于将由排气通道排出的气体向处理室外排出的排气口(5)，其中构成排气通道(35)的部件的至少一部分被构成为可以升降。

公开(公告)号：CN1879203A

公开(公告)日：2006-12-13

申请号：CN200580001225.8

申请日：2005-01-21

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 佐野敦 ,  堀井贞义 ,  板谷秀治 ,  浅井优幸

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/205 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L21/02148 ,  C23C16/34 ,  C23C16/45529 ,  C23C16/45531 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/31645 ,  H01L21/3185

Abstract: 本发明提供一种能够制造可以容易地控制包含金属原子和硅原子的膜中的氮浓度分布的高品质半导体装置的半导体装置制造方法及衬底处理装置。该制造方法包括以下步骤：在反应室4中，在衬底30上成膜包含金属原子和硅原子的膜的步骤；和对上述膜实施氮化处理的步骤，在上述成膜步骤中，至少分2个阶段改变硅浓度进行成膜。

公开(公告)号：CN105734531A

公开(公告)日：2016-07-06

申请号：CN201610115780.3

申请日：2012-12-10

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 广濑义朗 ,  佐野敦 ,  渡桥由悟 ,  桥本良知 ,  岛本聪

IPC: C23C16/36 ,  C23C16/455 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/02126 ,  C23C16/36 ,  C23C16/45523 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/02172 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02183 ,  H01L21/02186 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/31

Abstract: 本申请涉及半导体器件的制造方法、衬底处理方法及衬底处理装置，形成具有低介电常数、高耐蚀刻性、高耐泄漏性的特性的薄膜。包括通过进行规定次数如下循环而在衬底上形成包含规定元素、氧、碳及氮的薄膜的工序，该循环包括如下工序：向衬底供给包含规定元素和卤素的原料气体的工序，向所述衬底供给由碳、氮及氢这3种元素构成的、且在1分子中碳原子的数量比氮原子的数量多的第一反应气体的工序，向所述衬底供给氮化气体作为第二反应气体的工序，和向所述衬底供给氧化气体作为第三反应气体的工序。

公开(公告)号：CN103165410B

公开(公告)日：2016-05-04

申请号：CN201210529912.9

申请日：2012-12-07

Applicant: 株式会社日立国际电气 ,  乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司

Inventor： 广濑义朗 ,  佐野敦 ,  柳田和孝 ,  东野桂子

IPC: H01L21/02 ,  C23C16/36

CPC classification number: H01L21/3185 ,  C23C16/36 ,  C23C16/45553 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/02175 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02183 ,  H01L21/02186 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/0228

Abstract: 本发明提供一种半导体装置的制造方法、基板处理方法及基板处理装置，能提高形成碳氮膜时的生产率，并提高碳氮膜中的碳浓度。该方法具有通过交替进行规定次数的如下两道工序而在基板上形成含有规定元素、氮及碳的膜的工序：向基板供给含有规定元素和卤素的原料气体的工序；向基板供给由碳、氮及氢三种元素构成且组成式中碳原子数多于氮原子数的反应气体的工序。

公开(公告)号：CN105304525A

公开(公告)日：2016-02-03

申请号：CN201510401574.4

申请日：2015-07-09

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 丰田一行 ,  芦原洋司 ,  佐野敦 ,  赤江尚德 ,  野内英博

IPC: H01L21/67

CPC classification number: C23C16/45523 ,  C23C16/345 ,  C23C16/4408 ,  C23C16/45519 ,  C23C16/45582 ,  C23C16/4585 ,  H01L21/67017

Abstract: 本发明涉及衬底处理装置、半导体器件的制造方法以及记录介质。通过本发明，能够提高形成于衬底上的膜的特性和对衬底面内的处理均匀性、以及提高制造生产能力，并抑制颗粒产生。本发明的衬底处理装置具有：处理室，收纳衬底；衬底支承部，支承所述衬底，且外周具有突出部；分隔部，设置在所述处理室内，与所述突出部相接触，分隔所述处理室与输送所述衬底的输送空间；气体供给部，向所述处理室供给处理气体；以及，分隔吹扫气体供给部，向在对所述衬底供给所述处理气体时在所述接触的部位产生的所述突出部与所述分隔部之间的间隙，供给吹扫气体。

公开(公告)号：CN104183480A

公开(公告)日：2014-12-03

申请号：CN201410139117.8

申请日：2014-03-31

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 岛本聪 ,  广濑义朗 ,  佐野敦 ,  镰仓司 ,  野田孝晓

IPC: H01L21/314 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01L21/02126 ,  C23C16/401 ,  C23C16/45534 ,  C23C16/45536 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02321 ,  H01L21/02337

Abstract: 一种半导体设备制造方法，其包括通过执行预定次数的循环来在基材上形成含硅、氧、碳和指定的第III族或第V族元素的薄膜。所述循环包括：向基材供给含硅、碳和卤族元素并具有Si-C键的前体气体及第一催化气体；向基材供给氧化气体和第二催化气体；和向基材供给含指定的第III族或第V族元素的改性气体。