-
公开(公告)号：CN106687407A
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：CN201480079923.9
申请日：2014-06-16
申请人： 埃普科斯股份有限公司 , 原子能和替代能源委员会
IPC分类号： B81C1/00
CPC分类号： B81C1/00293 , B81B7/0041 , B81B2203/0315 , B81C2201/0109 , B81C2201/013 , B81C2201/0176 , B81C2203/0136 , B81C2203/0145
摘要： 本发明涉及一种微电子封装（1），包括：具有至少第一开口（3）并且限定第一腔体（4）的微电子结构（2）；具有至少第二开口（10）并且限定连接到第一腔体（4）的第二腔体（11）的封盖层（9），其中封盖层（9）布置在微电子结构（2）之上使得第二开口（10）布置在第一开口（3）之上；以及覆盖第二开口（10）的密封层（13），从而密封第一腔体（4）和第二腔体（11）。而且，本发明涉及制造微电子封装（1）的方法。
-
公开(公告)号：CN105314590A
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：CN201510455584.6
申请日：2015-07-29
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
CPC分类号： B81B3/0021 , B06B1/02 , B81B3/007 , B81B2201/0257 , B81B2201/0264 , B81B2203/0109 , B81B2203/0118 , B81B2203/0127 , B81B2203/051 , B81C1/00142 , B81C1/0015 , B81C1/00158 , B81C1/00373 , B81C2201/0176 , B81C2201/0181 , B81C2201/019 , H04R7/02 , H04R7/24 , H04R19/005 , H04R19/02 , H04R19/04 , H04R31/00 , H04R31/003 , H04R2201/003 , H04R2307/023 , H04R2400/01 , H04R2499/11
摘要： 一种微机械结构，其包括衬底和布置在衬底处的功能性结构。功能性结构包括功能性区域，功能性区域配置为响应于作用在功能性区域上的力而相对于衬底偏转。功能性结构包括传导性基础层并且功能性结构包括具有布置在传导性基础层处并且仅在功能性区域处部分地覆盖传导性基础层的固化结构材料的固化结构。固化结构材料包括硅材料以及至少碳材料。
-
公开(公告)号：CN104098065A
公开(公告)日：2014-10-15
申请号：CN201410145511.2
申请日：2014-04-11
申请人： 国际商业机器公司
CPC分类号： B81C1/0015 , B81B3/0021 , B81B2203/0118 , B81B2203/0315 , B81B2207/09 , B81C1/00047 , B81C1/00269 , B81C1/00365 , B81C1/00531 , B81C1/00936 , B81C2201/0104 , B81C2201/0107 , B81C2201/0121 , B81C2201/0125 , B81C2201/0132 , B81C2201/0176 , B81C2201/0181 , B81C2203/0109 , B81C2203/0145 , B81C2203/0714 , G06F17/5009
摘要： 本发明公开微电子机械系统（MEMS）结构、制造方法和设计结构。该方法包括：通过使至少在微电子机械系统（MEMS）梁之上和之下的钨材料和半导体材料两者排出以在MEMS梁之上形成上腔体结构和在MEMS梁之下形成下腔体结构，来形成MEMS梁结构。
-
公开(公告)号：CN101118313A
公开(公告)日：2008-02-06
申请号：CN200710146451.6
申请日：2007-06-28
申请人： 视频有限公司
发明人： 潘晓和
CPC分类号： B81C1/00246 , B81B2201/047 , B81C2201/0176 , B81C2203/0721 , H01L21/02381 , H01L21/02532 , H01L21/0262
摘要： 一种制造微结构的方法，包括：在低于550℃的温度下在具有电路的衬底上沉积非晶硅以形成第一结构部分，其中第一结构至少设置一个从电路接收电信号的部分。
-
公开(公告)号：CN1238721C
公开(公告)日：2006-01-25
申请号：CN00817491.1
申请日：2000-12-19
申请人： 宾夕法尼亚州研究基金会
CPC分类号： C23C16/511 , B81B2201/0214 , B81C1/0038 , B81C2201/0176 , C23C16/24 , G01N21/17 , G01N27/44717 , Y10T436/119163 , Y10T436/25 , Y10T436/2575
摘要： 本发明涉及沉积的薄膜在化学或生物学分析中的应用。本发明还涉及这些薄膜在分离附着和化学或生物样品的检测中的应用。这些薄膜的应用包括解吸-离子化质谱分析、有机薄膜和分子的电触点、用于分析的光能的光耦合、生物材料的操作、色谱分离、液面上空间吸附介质、原子分子吸附或附着的介质和细胞附着的基板。
-
公开(公告)号：CN1413261A
公开(公告)日：2003-04-23
申请号：CN00817491.1
申请日：2000-12-19
申请人： 宾夕法尼亚州研究基金会
IPC分类号： C12Q1/00 , G01N33/53 , G01N33/567 , G01N15/06 , G01N33/00 , G01N33/48 , G01N27/00 , G01N21/29 , G01N21/41 , G01N21/47
CPC分类号： C23C16/511 , B81B2201/0214 , B81C1/0038 , B81C2201/0176 , C23C16/24 , G01N21/17 , G01N27/44717 , Y10T436/119163 , Y10T436/25 , Y10T436/2575
摘要： 本发明涉及沉积的薄膜在化学或生物学分析中的应用。本发明还涉及这些薄膜在分离附着和化学或生物样品的检测中的应用。这些薄膜的应用包括解吸－离子化质谱分析、有机薄膜和分子的电触点、用于分析的光能的光耦合、生物材料的操作、色谱分离、液面上空间吸附介质、原子分子吸附或附着的介质、和细胞附着的基板。
-
公开(公告)号：CN104249991B
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201310261321.2
申请日：2013-06-26
申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
CPC分类号： B81C1/00246 , B81B7/007 , B81B2207/015 , B81B2207/094 , B81C2201/0132 , B81C2201/0176 , B81C2203/0109 , B81C2203/036 , B81C2203/0735 , B81C2203/0771 , H01L41/0973
摘要： 一种MEMS器件及其制作方法，MEMS器件制造方法包括：提供第一半导体衬底和第二半导体衬底，第一半导体衬底中形成有CMOS控制电路；在第一半导体衬底上形成第一介质层，第一介质层中具有第一金属互连结构，第一金属互连结构与CMOS控制电路相连；在第一介质层上形成牺牲层和覆盖牺牲层的键合层；将第二半导体衬底与键合层键合在一起；形成贯穿第二半导体衬底与键合层的第一通孔；在第一通孔的侧壁形成隔离层；在第一通孔中形成导电插塞，导电插塞与第一金属互连结构相连；形成第二金属互连结构，第二金属互连结构将第二半导体衬底和导电插塞的上端相连；释放出MEMS器件的可动电极。形成的MEMS器件的集成度高。
-
公开(公告)号：CN102815659B
公开(公告)日：2015-05-13
申请号：CN201210010820.X
申请日：2012-01-11
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC分类号： B81B3/0005 , B81B3/001 , B81B7/007 , B81B2201/0235 , B81B2201/0242 , B81B2207/012 , B81B2207/07 , B81B2207/092 , B81B2207/095 , B81B2207/096 , B81C1/00269 , B81C1/00579 , B81C2201/0111 , B81C2201/014 , B81C2201/0176 , B81C2203/0118 , B81C2203/019
摘要： 本发明提供了一种微电子机械系统(MEMS)结构的实施例，该MEMS结构包括MEMS衬底；在该MEMS衬底上设置的半导体材料的第一导电塞和第二导电塞，其中第一导电塞被配置为用于电互连，以及第二导电塞被配置为抗静摩擦力凸块；被配置在该MEMS衬底上并与第一导电塞电连接的MEMS器件；以及盖顶衬底，该盖顶衬底接合至该MEMS衬底，从而该MEMS器件被封闭在MEMS衬底和盖顶衬底之间。本发明还提供了一种具有可移动部件的半导体器件及其制造方法。
-
公开(公告)号：CN104296799A
公开(公告)日：2015-01-21
申请号：CN201410601932.1
申请日：2014-10-30
申请人： 京东方科技集团股份有限公司
CPC分类号： B81B3/0021 , B81B2203/0109 , B81B2203/0127 , B81C1/00142 , B81C1/00158 , B81C2201/013 , B81C2201/0176 , B81C2201/0181 , C23C14/0605 , C23C14/0617 , C23C14/14 , C23C14/34 , F24S25/30 , F24S25/636 , F24S2025/016 , F24S2025/801 , F24S2025/807 , G01F1/56 , G01J1/42 , H02S20/00 , Y02E10/47 , Y02E10/50
摘要： 本发明涉及传感器制造技术领域，公开了一种微型传感器本体及其制造方法，包括以下步骤：S1：在基板上涂布湿润胶体材料形成胶体层，在胶体层的表面覆盖一层一维纳米线膜，形成传感器胚体；S2：干燥传感器胚体的胶体层，使胶体层开裂形成多个胶体岛，一维纳米线膜一部分收缩形成粘附在胶体岛表面的收缩膜片，另一部分拉伸形成连接在相邻收缩膜片之间的连接结构。本发明的传感器本体中，收缩膜片与连接结构由一维纳米线膜抻拉而成，两者连接稳定性好，提高传感器件的稳定性；使用裂化的方法，容易获得大规模稳定悬浮的连接结构阵列传感器本体。本发明还提供一种传感器。
-
公开(公告)号：CN104249991A
公开(公告)日：2014-12-31
申请号：CN201310261321.2
申请日：2013-06-26
申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
CPC分类号： B81C1/00246 , B81B7/007 , B81B2207/015 , B81B2207/094 , B81C2201/0132 , B81C2201/0176 , B81C2203/0109 , B81C2203/036 , B81C2203/0735 , B81C2203/0771 , H01L41/0973
摘要： 一种MEMS器件及其制作方法，MEMS器件制造方法包括：提供第一半导体衬底和第二半导体衬底，第一半导体衬底中形成有CMOS控制电路；在第一半导体衬底上形成第一介质层，第一介质层中具有第一金属互连结构，第一金属互连结构与CMOS控制电路相连；在第一介质层上形成牺牲层和覆盖牺牲层的键合层；将第二半导体衬底与键合层键合在一起；形成贯穿第二半导体衬底与键合层的第一通孔；在第一通孔的侧壁形成隔离层；在第一通孔中形成导电插塞，导电插塞与第一金属互连结构相连；形成第二金属互连结构，第二金属互连结构将第二半导体衬底和导电插塞的上端相连；释放出MEMS器件的可动电极。形成的MEMS器件的集成度高。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
30 条记录 (耗时 0.02 秒)
