公开(公告)号：CN106041329B

公开(公告)日：2019-08-16

申请号：CN201610192785.6

申请日：2016-03-30

申请人： 株式会社迪思科

发明人： 平田和也 ,  西野曜子

IPC分类号： B23K26/53 ,  B23K26/70

CPC分类号： H01L21/02005 ,  B23K26/0006 ,  B23K26/032 ,  B23K26/046 ,  B23K26/0622 ,  B23K26/082 ,  B23K26/0823 ,  B23K26/0853 ,  B23K26/38 ,  B23K26/53 ,  B23K26/702 ,  B23K37/00 ,  B23K2101/40 ,  B28D1/221 ,  C30B29/36 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  C30B33/06 ,  H01L21/304

摘要： 提供晶片的生成方法，能够从锭高效地生成晶片。晶片的生成方法包含改质层形成步骤，将对于六方晶单晶锭具有透过性的波长的激光束的聚光点定位在距正面相当于要生成的晶片厚度的深度，并且使聚光点与六方晶单晶锭相对地移动而对正面照射激光束，形成与正面平行的改质层和从改质层起伸长的裂痕。在改质层形成步骤中，以激光束的聚光点从锭的内周朝向外周相对地移动的方式照射激光束。

公开(公告)号：CN103854991B

公开(公告)日：2018-01-16

申请号：CN201310634807.6

申请日：2013-12-02

申请人： 不二越机械工业株式会社 ,  独立行政法人产业技术综合研究所

发明人： 中村由夫 ,  市川大造 ,  住泽春男 ,  原史朗 ,  耸嘛玩 ,  池田伸一

IPC分类号： H01L21/02

CPC分类号： H01L21/78 ,  H01L21/02005 ,  H01L21/02008

摘要： 提供一种制造半导体晶圆的方法，该方法有利于定向平面线的形成，并允许没有问题地进行倒角作业。根据本发明的制造半导体晶圆的方法是一种从大直径半导体晶圆中切出多个小直径晶圆的制造半导体晶圆的方法，该方法包括：标记步骤，以使得直槽状定向平面线穿过大直径半导体晶圆的每一行中的各个小直径晶圆的方式通过激光束集体地为每一行形成直槽状定向平面线，其中，小直径晶圆的切出位置在特定方向上成行地对齐；和切割步骤，在标记步骤之后通过激光束从大直径半导体晶圆中个别地切出小直径晶圆。

公开(公告)号：CN107068802A

公开(公告)日：2017-08-18

申请号：CN201611242271.3

申请日：2016-12-29

申请人： 中建材浚鑫科技股份有限公司

发明人： 钱小芳

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L21/02 ,  C30B33/10

CPC分类号： Y02P70/521 ,  H01L31/1876 ,  C30B33/10 ,  H01L21/02005 ,  H01L21/0201

摘要： 本发明提供了提高多晶硅片刻蚀绒面均匀性的预处理装置，包括一容纳有恒温水的恒温槽及设置于恒温槽内的传输滚轮，所述传输滚轮置于所述恒温水下，待刻蚀硅片置于所述传输滚轮上，所述传输滚轮转动，带动所述待刻蚀硅片运动，所述装置还包括一与所述恒温槽的出口端联通的恒温风干机构。本发明的有益效果体现在：将需要刻蚀的多晶硅片预先保持在温度为8‑10℃，与刻蚀槽温度相当，可以大大提高多晶硅片绒面的片内均匀性与片间均匀性，降低电池片的色差片比例，提高电池片的合格率。

公开(公告)号：CN103748662B

公开(公告)日：2016-11-09

申请号：CN201280032113.9

申请日：2012-06-28

申请人： 圣戈班晶体及检测公司

发明人： J-P·福里 ,  B·博蒙

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L33/00

CPC分类号： H01L21/02005 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02664 ,  H01L23/14 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 一种形成用于电子器件的半导电衬底材料的方法包括在反应室中的连续生长工艺期间在衬底上形成多个半导电层，其中在连续生长工艺期间，通过改变连续生长工艺期间的至少一个生长工艺参数在基层和外延层之间形成释放层。该方法还包括从衬底分离多个半导电层。

公开(公告)号：CN105895501A

公开(公告)日：2016-08-24

申请号：CN201510222369.1

申请日：2015-05-04

申请人： 英飞凌技术德累斯顿有限责任公司

发明人： T·考茨施 ,  A·塞瑞 ,  S·比塞尔特 ,  U·鲁道夫 ,  M·米勒 ,  B·宾德

IPC分类号： H01L21/02

CPC分类号： H01L21/02002 ,  H01L21/02005 ,  H01L21/304 ,  H01L21/306 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/3083 ,  H01L21/764 ,  H01L21/7806 ,  Y10T156/1057 ,  Y10T156/11 ,  Y10T428/13 ,  H01L21/02035

摘要： 本发明的各个实施例涉及晶片、用于处理晶片的方法、以及用于处理载体的方法。根据各个实施例，用于处理晶片的方法可以包括：在晶片内形成至少一个中空腔室和支撑结构，该至少一个中空腔室限定了载体的位于该至少一个中空腔室之上的帽区域、载体的位于该至少一个中空腔室之下的底部区域、以及围绕了载体的帽区域的边缘区域，其中帽区域的表面面积大于边缘区域的表面面积，并且其中帽区域由支撑结构连接至底部区域；从底部区域和边缘区域成一整块地移除帽区域。

公开(公告)号：CN104704607A

公开(公告)日：2015-06-10

申请号：CN201380051807.1

申请日：2013-09-12

申请人： 株式会社电装

发明人： 山内庄一 ,  平野尚彦

IPC分类号： H01L21/02

CPC分类号： H01L21/02656 ,  C30B23/025 ,  C30B25/20 ,  C30B29/36 ,  H01L21/02005 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02645 ,  H01L21/304 ,  H01L21/306 ,  H01L23/544 ,  H01L29/1608 ,  H01L2223/54413 ,  H01L2223/54433 ,  H01L2223/54453 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 碳化硅半导体基板由碳化硅单晶构成，至少在表面形成有以结晶缺陷构成的作为识别显示的刻印(2)。在将所述碳化硅半导体基板用作籽晶而使碳化硅单晶(3)生长时，刻印(2)能够在所述碳化硅单晶(3)中作为结晶缺陷而传播。在使用所述碳化硅单晶(3)制作碳化硅半导体基板(4)时，能够成为在各碳化硅半导体基板(4)中已经形成有刻印(2)的状态。

公开(公告)号：CN103854991A

公开(公告)日：2014-06-11

申请号：CN201310634807.6

申请日：2013-12-02

申请人： 不二越机械工业株式会社 ,  独立行政法人产业技术综合研究所

发明人： 中村由夫 ,  市川大造 ,  住泽春男 ,  原史朗 ,  耸嘛玩 ,  池田伸一

IPC分类号： H01L21/304 ,  B28D5/00 ,  C30B33/00 ,  B23K26/40

CPC分类号： H01L21/78 ,  H01L21/02005 ,  H01L21/02008

摘要： 提供一种制造半导体晶圆的方法，该方法有利于定向平面线的形成，并允许没有问题地进行倒角作业。根据本发明的制造半导体晶圆的方法是一种从大直径半导体晶圆中切出多个小直径晶圆的制造半导体晶圆的方法，该方法包括：标记步骤，以使得直槽状定向平面线穿过大直径半导体晶圆的每一行中的各个小直径晶圆的方式通过激光束集体地为每一行形成直槽状定向平面线，其中，小直径晶圆的切出位置在特定方向上成行地对齐；和切割步骤，在标记步骤之后通过激光束从大直径半导体晶圆中个别地切出小直径晶圆。

公开(公告)号：CN100580909C

公开(公告)日：2010-01-13

申请号：CN200710088106.1

申请日：2007-03-15

申请人： 住友电气工业株式会社

发明人： 八乡昭广

IPC分类号： H01L23/00 ,  H01L21/66 ,  H01L21/30 ,  H01L21/304 ,  H01L21/00

CPC分类号： H01L21/02005 ,  C30B29/406 ,  C30B33/08 ,  H01L22/12 ,  H01L2924/0002 ,  Y10S438/959 ,  H01L2924/00

摘要： 使抗破裂氮化镓衬底和测试并制造这种衬底的方法可用。氮化镓衬底(10)设有被抛光为镜面磨光的正面(12)、与正面(12)相对的衬底侧面上的背面(14)。在背面(14)上形成其厚度d是30μm或以下的损坏层(16)。假定正面(12)的强度是I1，以及背面(14)的强度是I2，那么比率I2/I1是0.46或以上。

公开(公告)号：CN101037807A

公开(公告)日：2007-09-19

申请号：CN200710005341.8

申请日：2007-02-14

申请人： 住友电气工业株式会社

发明人： 田中仁子

IPC分类号： C30B29/38 ,  H01L33/00 ,  H01L21/20

CPC分类号： C30B25/20 ,  C30B29/40 ,  G01B11/30 ,  H01L21/02005 ,  H01L21/02019 ,  H01L21/02024 ,  H01L21/30612 ,  H01L21/30617 ,  H01L33/0075

摘要： 在GaN晶体衬底(10)中，与所述晶体生长表面(10c)相对的后表面(10r)可以具有满足－50μm≤w(R)≤50μm的翘曲w(R)，满足Ra(R)≤10μm的表面粗糙度Ra(R)以及满足Ry(R)≤75μm的表面粗糙度Ry(R)。此外，一种制造半导体器件(99)的方法包括，制备GaN晶体衬底(10)作为衬底，以及在GaN晶体衬底(10)的晶体生长表面(10c)的侧面上生长至少一个III族氮化物晶体层(20)。由此，提供一种GaN晶体衬底，具有减小翘曲的后表面和允许在其晶体生长表面上形成具有良好结晶性的半导体层，提供一种制造该GaN晶体衬底的方法以及制造半导体器件的方法。

公开(公告)号：CN106216857B

公开(公告)日：2019-07-30

申请号：CN201610373433.0

申请日：2016-05-31

申请人： 株式会社迪思科

发明人： 平田和也

IPC分类号： B23K26/53 ,  B23K26/08

CPC分类号： B23K26/53 ,  B23K2103/56 ,  B28D5/0011 ,  H01L21/02005

摘要： 提供晶片的生成方法，从锭高效地生成晶片。晶片的生成方法具有：分离起点形成步骤，将对于六方晶单晶锭具有透过性的波长的激光束聚光点定位在距正面相当于要生成的晶片厚度的深度，并且使聚光点与锭相对地移动而对正面照射激光束，形成与正面平行的改质层和从改质层伸长的裂痕而形成分离起点；以及晶片剥离步骤，从分离起点将相当于晶片的厚度的板状物从锭剥离而生成六方晶单晶晶片。如果将聚光光斑的直径设为d、将相邻的激光束的聚光光斑的间隔设为x，则按照‑0.3≤(d‑x)/d≤0.5的范围照射激光束而形成改质层。