公开(公告)号：CN1698135A

公开(公告)日：2005-11-16

申请号：CN200480000319.9

申请日：2004-04-23

申请人： HOYA株式会社

发明人： 川副博司 ,  柳田裕昭 ,  折田政宽

IPC分类号： H01B1/06 ,  H01L21/28 ,  H01L33/00

CPC分类号： H01L31/0224 ,  C04B35/547 ,  H01L21/44 ,  H01L29/22 ,  H01L29/45 ,  H01L31/022408 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/0682 ,  H01L33/28 ,  H01L33/40 ,  H01L2924/0002 ,  Y02E10/547 ,  H01L2924/00

摘要： 作为在II～VI族化合物半导体中形成p型欧姆接触电极的技术，提供了一种用于形成低电阻、稳定、无毒且产率优异的电极的材料，从而提供了一种优异的半导体元件。该半导体元件具有由组成式AXBYCZ表示的材料的形式(A：选自IB族金属元素的至少一种元素，B：选自VIII族金属元素的至少一种元素，C：选自S和Se的至少一种元素)，其中X、Y和Z满足X+Y+Z＝1，0.20≤X≤0.35，0.17≤Y≤0.30，且0.45≤Z≤0.55。

公开(公告)号：CN104934444B

公开(公告)日：2018-01-02

申请号：CN201510236460.9

申请日：2015-05-11

申请人： 深圳市华星光电技术有限公司

发明人： 吕晓文 ,  曾志远

IPC分类号： H01L27/12 ,  H01L21/77

CPC分类号： H01L29/78696 ,  H01L21/44 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1248 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78609 ,  H01L29/7869

摘要： 本发明提供一种共平面型氧化物半导体TFT基板结构及其制作方法，所述共平面型氧化物半导体TFT基板结构中，有源层包括本体及连接本体的数条短沟道，所述数条短沟道通过数个条状金属电极间隔开，使得所述有源层具有较高的迁移率及较低的漏电流，从而改善TFT器件的性能。本发明提供的一种共平面型氧化物半导体TFT基板结构的制备方法，通过在源极与漏极之间形成间隔设置的数个条状金属电极，使得沉积氧化物半导体层时，可以在源极与漏极之间形成由数个条状金属电极间隔开的数条短沟道，该方法简单，不需要额外的光罩或者增加制程，即可获得不同于现有结构的有源层，制得的有源层具有较高的迁移率及较低的漏电流，从而改善TFT器件的性能。

公开(公告)号：CN104094386B

公开(公告)日：2017-06-23

申请号：CN201380007483.1

申请日：2013-01-24

申请人： 夏普株式会社

发明人： 宫本忠芳 ,  伊东一笃 ,  森重恭 ,  宫本光伸 ,  小川康行 ,  中泽淳 ,  松尾拓哉 ,  内田诚一

IPC分类号： H01L21/336 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/30 ,  H01L29/786

CPC分类号： H01L29/66969 ,  G02F1/136213 ,  G02F2001/134372 ,  G02F2201/40 ,  G02F2201/50 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/44 ,  H01L23/564 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/127 ,  H01L29/45 ,  H01L29/7869 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 半导体装置(100A)包括：基板(2)；在基板(2)上形成的栅极电极(3)；在栅极电极(3)上形成的栅极绝缘层(4)；在栅极绝缘层(4)上形成的氧化物半导体层(5)；与氧化物半导体层(5)电连接的源极电极(6s)和漏极电极(6d)；与漏极电极(6d)电连接的第一透明电极(7)；包括在源极电极(6s)和漏极电极(6d)上形成的电介质层(8a)的层间绝缘层(8)；和在层间绝缘层(8)上形成的第二透明电极(9)，第二透明电极(9)的至少一部分隔着电介质层(8a)与第一透明电极(7)重叠，氧化物半导体层(5)和第一透明电极(7)由相同的氧化物膜形成。

公开(公告)号：CN106558566A

公开(公告)日：2017-04-05

申请号：CN201610825014.6

申请日：2016-09-14

申请人： 瑞萨电子株式会社

发明人： 利根川丘

IPC分类号： H01L23/488 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L23/5283 ,  H01L21/31 ,  H01L21/31056 ,  H01L21/311 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/44 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/481 ,  H01L23/4827 ,  H01L23/522 ,  H01L23/528 ,  H01L23/53223 ,  H01L23/53295 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/08 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/37 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/84 ,  H01L24/85 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/417 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/7813 ,  H01L2224/02126 ,  H01L2224/02145 ,  H01L2224/0215 ,  H01L2224/02206 ,  H01L2224/02215 ,  H01L2224/031 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03464 ,  H01L2224/03522 ,  H01L2224/04034 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05007 ,  H01L2224/05017 ,  H01L2224/05023 ,  H01L2224/05025 ,  H01L2224/05027 ,  H01L2224/05083 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05164 ,  H01L2224/05558 ,  H01L2224/05562 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05582 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/48799 ,  H01L2224/48844 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2224/85045 ,  H01L2224/85181 ,  H01L2224/85203 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/0509 ,  H01L2924/05442 ,  H01L2924/07025 ,  H01L2924/1203 ,  H01L2924/1206 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/35121 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/059 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/00 ,  H01L24/02 ,  H01L2224/02125 ,  H01L2224/03013 ,  H01L2224/03019 ,  H01L2224/04

摘要： 本发明涉及一种半导体装置和制造半导体装置的方法。半导体装置的特性得到改善。半导体装置被配置为具有设置在互连上方并且具有开口的保护膜和设置在开口中的镀敷膜。将狭缝设置在开口的侧面中，并且将镀敷膜还配置在狭缝中。由此，将镀敷膜设置在开口的侧面中，并且镀敷膜还生长在狭缝中。这导致了在随后的镀敷膜的形成期间的长的镀敷溶液渗透路径。因此，在互连(焊盘区)中不容易形成腐蚀部分，即使形成了腐蚀部分，狭缝的部分也作为牺牲物先于互连(焊盘区)被腐蚀，使得可以抑制腐蚀部分向互连(焊盘区)中的扩展。

公开(公告)号：CN106409917A

公开(公告)日：2017-02-15

申请号：CN201610509513.4

申请日：2016-06-30

申请人： 株式会社日本显示器

发明人： 佐佐木俊成 ,  铃村功

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L21/44

CPC分类号： H01L29/7869 ,  H01L21/47635 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66969 ,  H01L21/44

摘要： 提供可靠性高的半导体装置的制造方法。半导体装置的制造方法中，在绝缘层上形成使绝缘层的一部分露出的氧化物半导体层，对从氧化物半导体层露出的绝缘层进行使用了含有氯的气体的等离子处理，将露出的绝缘层的表层的氯杂质除去。氯杂质也可以通过使用含有氟的气体的第1蚀刻处理而被除去。含有氟的气体也可以包括CF4以及CHF3。等离子处理可以是使用含有氯的气体的第2蚀刻处理。

公开(公告)号：CN105931967A

公开(公告)日：2016-09-07

申请号：CN201610352570.6

申请日：2012-04-18

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 肥塚纯一 ,  山出直人 ,  佐藤裕平 ,  岡崎豊 ,  山崎舜平

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC分类号： H01L27/1274 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/02667 ,  H01L21/383 ,  H01L21/44 ,  H01L21/477 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

摘要： 本发明的课题之一是给使用氧化物半导体的半导体装置赋予稳定的电特性，而使该半导体装置高可靠性化。在包括氧化物半导体膜的晶体管的制造工序中，形成包括具有大致垂直于其表面的c轴的结晶的氧化物半导体膜(也称为第一晶体氧化物半导体膜)，对该氧化物半导体膜引入氧而使其至少一部分非晶化来形成包含过剩的氧的非晶氧化物半导体膜。在该非晶氧化物半导体膜上形成氧化铝膜之后，进行加热处理而使该非晶氧化物半导体膜的至少一部分结晶化，来形成包括具有大致垂直于其表面的结晶的氧化物半导体膜(也称为第二晶体氧化物半导体膜)。

公开(公告)号：CN103872061B

公开(公告)日：2016-08-17

申请号：CN201310611602.6

申请日：2013-11-26

申请人： 乐金显示有限公司

发明人： 梁埈荣

IPC分类号： H01L27/12 ,  H01L23/50 ,  H01L21/84 ,  H01L27/32 ,  G02F1/1362 ,  G02F1/1368

CPC分类号： H01L29/41733 ,  H01L21/44 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/1288 ,  H01L27/1296 ,  H01L29/41775 ,  H01L29/45 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78636 ,  H01L29/7869 ,  H01L33/0041

摘要： 阵列基板及其制造方法。一种阵列基板包括：氧化物半导体层；蚀刻阻止件，其包括将氧化物半导体层的两个侧面中的每一个侧面露出的第一接触孔；彼此隔开的源极和漏极，氧化物半导体层位于源极与漏极之间；包括接触孔的第一钝化层，接触孔将氧化物半导体层的两个端部中的每一个端部以及源极和漏极的分别与氧化物半导体层的两个端部相对的每一个端部露出；以及连接图案，其在所述第二接触孔处与源极和漏极中的每一个以及氧化物半导体层相接触。

公开(公告)号：CN105845695A

公开(公告)日：2016-08-10

申请号：CN201610190504.3

申请日：2016-03-30

申请人： 深圳市华星光电技术有限公司

发明人： 李珊

IPC分类号： H01L27/12

CPC分类号： H01L29/7869 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/0257 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/44 ,  H01L21/47635 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L29/24 ,  H01L29/45 ,  H01L29/4908 ,  H01L27/1214

摘要： 本发明公开了一种薄膜晶体管阵列面板。所述薄膜晶体管阵列面板包括：基板；扫描线；薄膜晶体管，所述薄膜晶体管具有背沟道刻蚀结构，所述薄膜晶体管包括：栅极；半导体层，所述半导体层中的半导体材料是锡硅氧化物；源极；以及漏极；其中，在所述背沟道刻蚀结构中，所述源极和所述漏极均设置于所述半导体层上，并且所述源极和所述漏极均与所述半导体层相接触；绝缘层，所述绝缘层设置于所述栅极与所述半导体层之间；数据线，所述数据线与所述源极连接；电极层，所述电极层与所述漏极连接。本发明能有效提高薄膜晶体管中的半导体层的耐刻蚀性，能够有效保护所述薄膜晶体管中的背沟道，以防止所述背沟道损伤，从而提高所述薄膜晶体管的稳定性。

公开(公告)号：CN103378164B

公开(公告)日：2016-06-22

申请号：CN201210528046.1

申请日：2012-12-10

申请人： 乐金显示有限公司

发明人： 刘容雨 ,  裵相绚 ,  金主延

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L27/32 ,  H01L51/56 ,  G02F1/1362 ,  G02F1/1368

CPC分类号： H01L29/78618 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/44 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1244 ,  H01L27/3262 ,  H01L29/45 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

摘要： 公开了一种阵列基板及其制造方法，所述阵列基板包括：基板，具有像素区域；栅极线，位于基板上；栅极电极，位于基板上并且与栅极线相连；栅极绝缘层，位于栅极线和栅极电极上；数据线，位于栅极绝缘层上并且与栅极线相交以限定像素区域；源极电极和漏极电极，位于栅极绝缘层上并且与栅极电极相对应，所述源极电极与数据线相连，所述漏极电极与源极电极间隔开；氧化物半导体层，位于源极和漏极电极的顶部。

公开(公告)号：CN102629628B

公开(公告)日：2016-06-01

申请号：CN201110294950.6

申请日：2011-09-29

申请人： 京东方科技集团股份有限公司

发明人： 刘翔 ,  薛建设

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L27/02 ,  H01L21/77 ,  G02F1/1362 ,  G02F1/1368

CPC分类号： H01L27/124 ,  G02F1/1362 ,  G02F1/136286 ,  G02F2001/136218 ,  G02F2001/136236 ,  H01L21/44 ,  H01L21/4885 ,  H01L27/1259 ,  H01L27/1288 ,  H01L27/156 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/458 ,  H01L29/66765

摘要： 本发明的实施例提供一种TFT阵列基板及其制造方法和液晶显示器，涉及液晶面板制造领域，在防止半导体有源层受到污染的同时，减少了构图工序，提高了生产效率，降低了生产成本。TFT阵列基板包括：基板，基板上形成的栅线、栅极、栅绝缘层和半导体有源层，具有金属氧化物区域的金属阻挡层，金属阻挡层上形成有源极和漏极，金属阻挡层的金属氧化物区域位于所述源极、漏极之间，基板和所述源极、漏极上形成有保护层和与所述漏极连接的像素电极。本发明实施例用于制造TFT阵列基板。