公开(公告)号：CN110660726A

公开(公告)日：2020-01-07

申请号：CN201910243387.6

申请日：2019-03-28

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈靖怡 ,  卢炜业 ,  陈泓旭 ,  张志维

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/522

Abstract: 本公开涉及半导体装置及其形成方法。在接触插塞的黏合层上使用氮等离子体处理，氮等离子体处理的结果为氮并入到黏合层中。当接触插塞沉积在开口中时，在接触插塞和黏合层之间形成金属氮化物中间层。在绝缘层中的开口上使用氮等离子体处理，氮等离子体处理的结果为氮并入到开口处的绝缘层中。当接触插塞沉积在开口中时，在接触插塞和绝缘层之间形成金属氮化物中间层。

公开(公告)号：CN110224018A

公开(公告)日：2019-09-10

申请号：CN201810488000.9

申请日：2018-05-21

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郑宇彣 ,  卢炜业 ,  王毓萱 ,  李弘贸 ,  蔡彦明 ,  陈泓旭 ,  林威戎 ,  张志维 ,  蔡明兴 ,  林圣轩 ,  郑雅忆 ,  林正堂

IPC: H01L29/08 ,  H01L29/417 ,  H01L29/78

Abstract: 公开一种半导体结构。在一实施例中，结构包括具有源极/漏极区的主动区于基板上；介电层，位于主动区上并具有对准源极/漏极区的侧壁的侧壁；以及导电结构，沿着介电层的侧壁至源极/漏极区。源极/漏极区具有侧壁与自源极/漏极区的侧壁横向延伸的横向表面，且源极/漏极区还包含自源极/漏极区的侧壁横向延伸至源极/漏极区中的氮化区。导电结构包含沿着源极/漏极区的横向表面并沿着源极/漏极区的侧壁的至少一部分的硅化物区。

公开(公告)号：CN105006467B

公开(公告)日：2018-03-23

申请号：CN201410316858.9

申请日：2014-07-04

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林瑀宏 ,  林圣轩 ,  张志维 ,  周友华

IPC: H01L23/528 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76883 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76852 ,  H01L21/76855 ,  H01L21/76858 ,  H01L21/76871 ,  H01L21/76889 ,  H01L23/485 ,  H01L23/53238 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了一种半导体器件及其形成方法。该半导体器件包含位于衬底上方的硅化物层、位于由衬底上方的介电层形成的开口中的金属插塞、位于金属插塞和介电层之间及金属插塞和硅化物层之间的第一金属层、位于第一金属层上方的第二金属层以及位于第一金属层和第二金属层之间的非晶层。本发明还公开了金属接触结构及其形成方法。

公开(公告)号：CN105097471A

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201510200628.0

申请日：2015-04-24

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林瑀宏 ,  林圣轩 ,  张志维 ,  周友华

IPC: H01L21/28 ,  H01L29/45

CPC classification number: H01L21/76855 ,  H01L21/02175 ,  H01L21/02186 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/02321 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/265 ,  H01L21/28 ,  H01L21/285 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/28568 ,  H01L21/31105 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/3115 ,  H01L21/31155 ,  H01L21/3215 ,  H01L21/4763 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/823418 ,  H01L21/823475 ,  H01L23/485 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/528 ,  H01L23/53209 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53252 ,  H01L23/53257 ,  H01L23/53266 ,  H01L24/02 ,  H01L29/45 ,  H01L29/66568 ,  H01L2224/0231 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/02379 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/11 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/05341 ,  H01L2924/0542 ,  H01L2924/0544 ,  H01L2924/1304 ,  H01L21/28506 ,  H01L21/28512 ,  H01L29/456

Abstract: 本文公开了一种形成具有掺杂的金属氧化物中间层的金属与半导体接触件的方法。在半导体衬底的顶面上形成绝缘层，目标区位于半导体衬底的顶面。穿过绝缘层蚀刻开口，开口暴露目标区的部分的顶面。掺杂的金属氧化物中间层在开口中形成并且接触目标区的顶面。用金属插塞填充开口的剩余部分，掺杂的金属氧化物中间层设置在金属插塞和衬底之间。掺杂的金属氧化物中间层由氧化锡、氧化钛或氧化锌中的一种形成并且掺杂有氟。本发明涉及具有掺杂的中间层的金属-半导体接触件结构。

公开(公告)号：CN100401477C

公开(公告)日：2008-07-09

申请号：CN200510000042.6

申请日：2005-01-05

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吴启明 ,  林正堂 ,  王美匀 ,  张志维 ,  眭晓林

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/283

CPC classification number: H01L21/28097 ,  H01L21/28518 ,  H01L29/4975 ,  H01L29/66507 ,  H01L29/785

Abstract: 本发明涉及一种形成场效应晶体管的金属硅化栅极的方法，具体为一种在具有主动区域的基底上形成场效应晶体管的金属硅化栅极的方法。该方法首先至少在栅极的第一部分上形成金属硅化物。并于该主动区域及该栅极上沉积金属。执行退火程序，使得该金属反应而在该主动区域上形成金属硅化物。本发明所述方法提供金属硅化过程中，对于栅极电极高度可更佳的控制，且可较低的栅极电极电阻、提高元件速度、降低或防止栅极电极的渗硼、及降低或消除耗尽效应，且避免了高阶面漏电流或尖突。

公开(公告)号：CN1269190C

公开(公告)日：2006-08-09

申请号：CN02152212.X

申请日：2002-11-19

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吴启明 ,  王美匀 ,  张志维 ,  谢静华 ,  眭晓林 ,  傅竹韵 ,  徐祖望 ,  蔡明桓 ,  邱远鸿

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/311

Abstract: 本发明涉及一种制作接触孔于硅化镍栅极层上方的方法，其特征是利用物理性蚀刻以克服公知工序中高活性的硅化镍栅极层与蚀刻剂发生反应的问题。方法一，不一次完全去除蚀刻终止层，而残留一厚度极薄的蚀刻终止层，以物理性蚀刻方式去除残留蚀刻终止层，蚀刻气体便不会与硅化镍栅极层发生反应。方法二，新引用一蚀刻缓冲层于蚀刻终止层与硅化镍栅极层之间，再利用物理性蚀刻方式去除蚀刻缓冲层，同样地，蚀刻气体便不会与硅化镍栅极层发生反应。

公开(公告)号：CN1783477A

公开(公告)日：2006-06-07

申请号：CN200510074901.6

申请日：2005-06-03

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 王俊杰 ,  彭兆贤 ,  吴启明 ,  张志维 ,  眭晓林

IPC: H01L23/52 ,  H01L21/318 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234

CPC classification number: H01L21/76843 ,  H01L21/02129 ,  H01L21/022 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/31625 ,  H01L23/482 ,  H01L29/78 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明是关于一种半导体装置及其制造方法，所述半导体装置包括：一基底；至少一晶体管，位于该基底上；一介电层，覆盖该晶体管且具有一开口，露出该晶体管的一主动区；一氮化钽阻障层，顺应地衬覆于该开口内，其中该氮化钽阻障层是原子层沉积而成且具有少于20埃的厚度；以及一铜层，位于该氮化钽阻障层上并填入于该开口。本发明所述半导体装置及其制造方法可有效防止如铜扩散的金属扩散问题。

公开(公告)号：CN1567536A

公开(公告)日：2005-01-19

申请号：CN03143025.2

申请日：2003-06-12

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张志维 ,  王美匀 ,  眭晓林 ,  梁孟松

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/321 ,  H01L21/768 ,  H01L23/532

Abstract: 本发明揭示了一种形成具有金属硅化双层结构的半导体装置的方法。首先，提供一硅基底，其具有一栅极及一源极/漏极区，并在硅基底上依序顺应性地沉积一镍金属层及一钴金属层。然后，对硅基底实施一热处理，以在栅极及源极/漏极区上形成一钴/镍钴/镍双层金属硅化物。最后，去除未硅化的钴金属层及镍金属层。本发明亦揭示一种具有金属硅化双层结构的半导体装置。

公开(公告)号：CN118824943A

公开(公告)日：2024-10-22

申请号：CN202410195968.8

申请日：2024-02-22

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 洪敏修 ,  蔡纯怡 ,  张志维 ,  蔡明兴 ,  章勋明 ,  罗唯仁 ,  林威戎 ,  温钰婷 ,  杨凯杰

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/485

Abstract: 本申请提供了具有降低的R/C的接触插塞及其形成方法。一种方法，包括：在层间电介质的侧壁上形成接触间隔物，其中接触间隔物围绕接触开口；在开口中和源极/漏极区域上形成硅化物区域；沉积延伸到接触开口中的粘附层；以及执行处理工艺，使得对接触间隔物进行处理。处理工艺选自由氧化工艺、碳化工艺及其组合组成的组。该方法还包括在粘附层上方沉积金属阻挡物、沉积金属材料以填充接触开口、以及执行平坦化工艺以去除金属材料的位于层间电介质上方的多余部分。

公开(公告)号：CN118231349A

公开(公告)日：2024-06-21

申请号：CN202311696056.0

申请日：2023-12-11

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 卢炜业 ,  李弘贸 ,  简瑞宏 ,  张志维

IPC: H01L21/8238 ,  H01L27/092

Abstract: 提供了半导体结构及其形成方法。本公开实施例的方法包括：接收工件，工件包括位于衬底上方的底部源极/漏极部件、位于底部源极/漏极部件上方的第一介电层、位于第一介电层上方的顶部源极/漏极部件以及位于顶部源极/漏极部件上方的第二介电层；穿过第二介电层形成前侧开口以暴露顶部源极/漏极部件的部分；在顶部源极/漏极部件的暴露部分上选择性沉积第一硅化物层；在第一硅化物层上方形成顶部金属填充层以填充前侧开口；穿过衬底形成背侧开口以暴露底部源极/漏极部件的部分；在底部源极/漏极部件的暴露部分上选择性沉积第二硅化物层；以及在第二硅化物层上形成底部金属填充层。