公开(公告)号：CN116805638A

公开(公告)日：2023-09-26

申请号：CN202310287788.8

申请日：2023-03-23

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 田中俊平 ,  仲野武史 ,  浅井量子 ,  植野大树 ,  长束尚辉

IPC: H01L27/15 ,  H01L33/54 ,  H01L33/56 ,  H01L33/58 ,  G09F9/33

Abstract: 本发明提供不易产生色偏且不易引起外部光的漫反射的显示体。显示体具备基板、光半导体元件及将光半导体元件密封的密封树脂层。密封树脂层具备非着色层、着色层和非着色层。在通过光半导体元件(3a、3b)的重心的垂直面剖面中，通过垂线(PA)与非着色层(41)的正面侧界面间的交点和垂线(PC)同非着色层(41)的正面侧界面间的交点的直线不相对于基板表面平行，通过垂线(PA)与着色层(42)的正面侧界面间的交点和垂线(PC)与着色层(42)的正面侧界面间的交点的直线不相对于基板表面平行，通过垂线(PA)与非着色层(43)的正面侧界面间的交点和垂线(PC)与非着色层(43)的正面侧界面间的交点的直线相对于基板表面平行。

公开(公告)号：CN115678442A

公开(公告)日：2023-02-03

申请号：CN202210882688.5

申请日：2022-07-26

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 浅井量子 ,  田中俊平 ,  植野大树 ,  福富秀平 ,  仲野武史

IPC: C09J7/10 ,  C09J7/30 ,  C09J133/08 ,  C09J11/06 ,  H01L33/00 ,  H01L33/52

Abstract: 本发明提供光固化性粘合片，其能够适宜地用作迷你/微型LED显示装置等自发光型显示装置的密封材料，再加工性优异，且在自发光型显示装置的使用环境下不易产生密封材料的剥离。本发明提供光固化性粘合片(10)。光固化性粘合片(10)包含通过辐射线照射而固化的粘合剂层(1)。粘合剂层(1)的特征在于，高压汞灯照射后的180°剥离力为11N/20mm以下。

公开(公告)号：CN115397870A

公开(公告)日：2022-11-25

申请号：CN202180025748.5

申请日：2021-03-12

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 田中俊平 ,  浅井量子 ,  花冈稔

IPC: C08F20/18 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31 ,  H01L33/52 ,  G09F9/00 ,  G02F1/13357

Abstract: 提供处理容易、能够以简易的工序且短时间对光半导体元件进行密封的光半导体元件密封用片。光半导体元件密封用片1为用于对配置于基板上的1个以上的光半导体元件进行密封的片，所述光半导体元件密封用片1具备：用于对前述光半导体元件进行密封的密封树脂层10、和贴附于密封树脂层10的剥离片20，密封树脂层10含有丙烯酸系树脂。光半导体元件密封用片1可以在密封树脂层10的与贴附有剥离片20的面10a相反侧的面10b具备基材层30。

公开(公告)号：CN113755106A

公开(公告)日：2021-12-07

申请号：CN202110612742.X

申请日：2021-06-02

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 田中俊平 ,  河野广希 ,  植野大树

IPC: C09J7/20 ,  C09J7/29 ,  C09J7/38 ,  C09J133/08 ,  H01L21/683

Abstract: 本发明涉及半导体加工用压敏粘合片。提供一种在不降低成品率的情况下适当地保护半导体晶片的半导体加工用压敏粘合片。半导体加工用压敏粘合片包括压敏粘合剂层和基材。该半导体加工用压敏粘合片在外周肋晶片加热翘曲评价中示出翘曲量为0mm～5mm，并且在外周肋晶片挠曲评价中示出挠曲量为0mm～5mm。

公开(公告)号：CN113185930A

公开(公告)日：2021-07-30

申请号：CN202110134924.0

申请日：2021-01-29

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 田中俊平 ,  植野大树

IPC: C09J7/30 ,  C09J133/08

Abstract: 本发明提供一种遮蔽材料，其在供于切割工序时不易产生切削屑，并且在切割时难以剥离但在切割后可轻易剥离。本发明的遮蔽材料具备基材和由活性能量射线固化型粘合剂形成的粘合剂层。该活性能量射线固化型粘合剂的基础聚合物是将包含5摩尔％～20摩尔％(甲基)丙烯酸系单体的单体组合物进行聚合而得到的聚合物，所述(甲基)丙烯酸系单体具有选自由甲基和乙基组成的组中的至少1种烷基。将该遮蔽材料粘贴于硅晶圆并照射活性能量射线，在使粘合剂层发生固化的状态下切割遮蔽材料和硅晶圆后的粘合剂层的切割切断面的表面粗糙度Sa为3μm以下。

公开(公告)号：CN103305144B

公开(公告)日：2016-02-24

申请号：CN201310074897.8

申请日：2013-03-08

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 田中俊平 ,  土生刚志 ,  龟井胜利

IPC: C09J7/02 ,  C09J7/00 ,  C09J123/12 ,  C09J123/14 ,  C09J133/00 ,  C09J163/00 ,  C09J161/06 ,  H01L21/683

CPC classification number: H01L24/29 ,  H01L24/27 ,  H01L2224/45 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/181 ,  H01L2224/48 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 提供一种切割薄膜与芯片接合薄膜之间的成分迁移受到抑制、并且切割时的半导体晶圆保持力和拾取时的剥离性优异的切割/芯片接合薄膜。本发明的切割/芯片接合薄膜具备第一粘合剂层和第二粘合剂层，该第一粘合剂层包含聚烯烃系树脂，该第二粘合剂层包含选自丙烯酸系树脂、环氧系树脂和酚醛系树脂中的至少一种。

公开(公告)号：CN104040697A

公开(公告)日：2014-09-10

申请号：CN201380004827.3

申请日：2013-01-23

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 田中俊平 ,  宍户雄一郎 ,  大西谦司 ,  浅井文辉

IPC: H01L21/301 ,  C09J7/00 ,  C09J11/04 ,  C09J133/04 ,  C09J161/06 ,  C09J163/00 ,  H01L21/52

CPC classification number: C09J163/00 ,  C08G59/621 ,  C08L33/04 ,  C08L61/06 ,  C09J7/10 ,  C09J2203/326 ,  C09J2433/00 ,  C09J2461/00 ,  C09J2463/00 ,  H01L21/6836 ,  H01L24/27 ,  H01L24/45 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68377 ,  H01L2221/68386 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  C09J7/00

Abstract: 本发明的目的在于提供能够提高胶粘薄膜的切断可靠性并且能够抑制由胶粘薄膜造成的碎片污染的半导体装置的制造方法。本发明提供一种半导体装置的制造方法，其具有如下工序：在半导体晶片(4)的表面形成槽(4S)后，粘贴保护用粘合薄膜(44)，进行半导体晶片的背面磨削，使槽从背面露出的工序；在半导体晶片的背面粘贴胶粘薄膜，然后将保护用粘合薄膜剥离的工序；和沿着露出胶粘薄膜的槽照射波长355nm的激光，将胶粘薄膜切断的工序；胶粘薄膜的(a)波长355nm下的吸光系数为40cm-1以上、(b)50℃下的拉伸储能弹性模量为0.5MPa以上且20MPa以下、并且(c)120℃下的拉伸储能弹性模量为0.3MPa以上且7MPa以下、或者120℃下的熔融粘度为2000Pa·s以上。

公开(公告)号：CN102222633B

公开(公告)日：2014-07-09

申请号：CN201110096944.X

申请日：2011-04-15

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 菅生悠树 ,  田中俊平 ,  井上刚一

IPC: H01L21/68 ,  H01L21/78 ,  C09J7/02

CPC classification number: H01L24/83 ,  B23K26/364 ,  B23K26/40 ,  B23K2103/50 ,  B28D5/0011 ,  H01L21/6836 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L2221/68336 ,  H01L2221/68359 ,  H01L2224/27436 ,  H01L2224/29 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29386 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83855 ,  H01L2224/85207 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01011 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01016 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01052 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01058 ,  H01L2924/0106 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/20103 ,  H01L2924/20104 ,  H01L2924/20105 ,  H01L2924/20106 ,  H01L2924/3025 ,  Y10T428/28 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/0532 ,  H01L2924/05432 ,  H01L2924/05032 ,  H01L2924/0503 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29199 ,  H01L2224/29299

Abstract: 本发明提供通过拉伸张力芯片接合薄膜恰当地断裂的热固型芯片接合薄膜。一种热固型芯片接合薄膜，用于以下方法：对半导体晶片照射激光形成改性区域后，通过用改性区域将半导体晶片断裂而由半导体晶片得到半导体元件的方法；或者在半导体晶片的表面形成未到达背面的沟后，进行半导体晶片的背面磨削，通过从背面露出沟而由半导体晶片得到半导体元件的方法，所述热固型芯片接合薄膜的特征在于，热固化前25℃下的断裂伸长率大于40％且不超过500％。本发明还提供切割/芯片接合薄膜及半导体装置的制造方法。

公开(公告)号：CN103140917A

公开(公告)日：2013-06-05

申请号：CN201180047744.3

申请日：2011-09-21

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 田中俊平 ,  松村健

IPC: H01L21/301 ,  H01L21/52

CPC classification number: H01L21/78 ,  H01L21/6836 ,  H01L23/3121 ,  H01L24/27 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L2221/68336 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68377 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/85207 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/3025 ,  Y10T428/24331 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明提供可以防止切割薄膜屈服、断裂并且可以利用拉伸张力将芯片接合薄膜适当地断裂的切割/芯片接合薄膜。本发明的切割/芯片接合薄膜中，切割薄膜的上推夹具的外周所接触的接触部在25℃下的拉伸强度为15N以上且80N以下，并且屈服点伸长度为80%以上，切割薄膜的晶片粘贴部在25℃下的拉伸强度为10N以上且70N以下，并且屈服点伸长度为30%以上，[(接触部的拉伸强度)-(晶片粘贴部的拉伸强度)]为0N以上且60N以下，芯片接合薄膜在25℃下的断裂伸长率大于40%且为500%以下。

公开(公告)号：CN102190973A

公开(公告)日：2011-09-21

申请号：CN201110036280.8

申请日：2011-02-01

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 菅生悠树 ,  田中俊平 ,  松村健 ,  井上泰史

IPC: C09J7/02 ,  H01L21/00 ,  H01L21/68 ,  H01L21/304 ,  H01L21/58 ,  B28D5/00

CPC classification number: H01L24/27 ,  H01L21/6836 ,  H01L24/29 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及半导体装置制造用薄膜及半导体装置的制造方法。本发明提供即使半导体晶片为薄型的情况下、切割该薄型的半导体晶片时的保持力、将通过切割得到的半导体芯片与其胶粘剂层一体地剥离时的剥离性和半体体芯片上不附着切削屑的低污染性的平衡特性优良的、半导体芯片的污染防止优良的新型半导体装置制造用薄膜及半导体装置的制造方法。一种在半导体的制造时使用的半导体制造用薄膜，其包含：基材层，设置在基材层上的第一粘合剂层，设置在第一粘合剂层上、并且预先通过照射辐射线而固化的辐射线固化型的第二粘合剂层，和设置在第二粘合剂层上的胶粘剂层。