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公开(公告)号:CN101911219A
公开(公告)日:2010-12-08
申请号:CN200980102372.2
申请日:2009-01-09
Applicant: 日亚化学工业株式会社
CPC classification number: H01L33/62 , B23K1/0008 , B23K1/0016 , B23K35/025 , H01B1/02 , H01L2924/0002 , H01L2933/0066 , H05K1/092 , Y10T29/49144 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的目的在于提供一种制造导电性材料的方法,所述导电性材料为产生低电阻值的导电性材料,且是使用不含粘接剂、廉价且稳定的导电性材料用组合物获得的。通过包含将含有具有0.1μm~15μm的平均粒径(中位粒径)的银粒子和金属氧化物的第1导电性材料用组合物进行烧成以获得导电性材料的制造方法,可以提供上述导电性材料。另外,通过包含将含有具有0.1μm~15μm的平均粒径(中位粒径)的银粒子的第2导电性材料用组合物在氧气、臭氧或大气环境下、于150℃~320℃范围的温度下进行烧成以获得导电性材料的制造方法,可以提供上述导电性材料。
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公开(公告)号:CN110517967B
公开(公告)日:2023-03-31
申请号:CN201910873504.7
申请日:2015-04-13
Applicant: 日亚化学工业株式会社
Abstract: 本发明的课题是提供一种抑制了将半导体元件粘接于基体的粘接材料的润湿扩展的半导体装置。本发明的解决方法是一种半导体装置(100),其是通过粘接材料(30)使半导体元件(20)粘接在基体(10)上而成的半导体装置,其特征在于,上述粘接材料(30)含有经表面处理后的粒子(40)或与分散剂共存的粒子(40),上述粘接材料的边缘部(301)的至少一部分是上述粒子(40)偏在的区域。
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公开(公告)号:CN107275227B
公开(公告)日:2022-11-01
申请号:CN201710216605.8
申请日:2017-04-05
Applicant: 日亚化学工业株式会社
Abstract: 在使用实质上不含有树脂的银粉烧结浆料的情况下,会引起分散介质的有机溶剂的渗出,从而有产生污染、引线接合不良的问题。为了解决所述问题,本发明提供一种金属粉烧结浆料,其作为主成分含有平均粒径(中值粒径)为0.3μm~5μm的银粒子,还含有阴离子性的表面活性剂,实质上不含有树脂。
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公开(公告)号:CN107868646B
公开(公告)日:2022-03-01
申请号:CN201710870274.X
申请日:2017-09-22
Applicant: 日亚化学工业株式会社
IPC: C09J171/02 , C09J9/02 , C09J11/06
Abstract: 本发明公开了一种导电性粘接剂,其包含:(A)含有具有式:‑R1‑O‑[式中,R1为碳数1~10的烃基。]所表示的重复单元的主链和作为水解性甲硅烷基的末端基的聚醚聚合物、以及(B)银粒子。还公开了作为将导电性粘接剂固化而得的物质的导电性材料。
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公开(公告)号:CN108788164A
公开(公告)日:2018-11-13
申请号:CN201810385257.1
申请日:2018-04-26
Applicant: 日亚化学工业株式会社
IPC: B22F7/06 , B22F1/00 , H01L23/488 , H01L21/60
Abstract: 本发明的目的在于,提供一种提高了对热应力的耐久性的金属粉烧结浆料。本发明提供一种金属粉烧结浆料,其作为主成分包含平均粒径(中值粒径)为0.3μm~5μm的银粒子,还包含CV值(标准偏差/平均值)小于5%的无机间隔件粒子,实质上不包含树脂。
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公开(公告)号:CN107868646A
公开(公告)日:2018-04-03
申请号:CN201710870274.X
申请日:2017-09-22
Applicant: 日亚化学工业株式会社
IPC: C09J171/02 , C09J9/02 , C09J11/06
CPC classification number: C09J9/02 , C08K3/08 , C08K2003/0806 , C09J171/02 , C09J2471/00 , C09J2483/00 , C08K5/13 , C08K5/544 , C08K7/00 , C09J11/06
Abstract: 本发明公开了一种导电性粘接剂,其包含:(A)含有具有式:-R1-O-[式中,R1为碳数1~10的烃基。]所表示的重复单元的主链和作为水解性甲硅烷基的末端基的聚醚聚合物、以及(B)银粒子。还公开了作为将导电性粘接剂固化而得的物质的导电性材料。
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公开(公告)号:CN107275227A
公开(公告)日:2017-10-20
申请号:CN201710216605.8
申请日:2017-04-05
Applicant: 日亚化学工业株式会社
CPC classification number: C09D5/24 , B22F1/0055 , B22F1/0074 , B22F9/30 , B22F2201/03 , B22F2201/50 , B22F2301/255 , B22F2998/10 , C09D7/68 , H01B1/22 , H01L21/52 , C09J1/00 , C09J11/04 , C09J11/08
Abstract: 在使用实质上不含有树脂的银粉烧结浆料的情况下,会引起分散介质的有机溶剂的渗出,从而有产生污染、引线接合不良的问题。为了解决所述问题,本发明提供一种金属粉烧结浆料,其作为主成分含有平均粒径(中值粒径)为0.3μm~5μm的银粒子,还含有阴离子性的表面活性剂,实质上不含有树脂。
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公开(公告)号:CN104979458A
公开(公告)日:2015-10-14
申请号:CN201510172587.9
申请日:2015-04-13
Applicant: 日亚化学工业株式会社
Abstract: 本发明的课题是提供一种抑制了将半导体元件粘接于基体的粘接材料的润湿扩展的半导体装置。本发明的解决方法是一种半导体装置(100),其是通过粘接材料(30)使半导体元件(20)粘接在基体(10)上而成的半导体装置,其特征在于,上述粘接材料(30)含有经表面处理后的粒子(40)或与分散剂共存的粒子(40),上述粘接材料的边缘部(301)的至少一部分是上述粒子(40)偏在的区域。
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公开(公告)号:CN102292835B
公开(公告)日:2015-03-25
申请号:CN201080005218.6
申请日:2010-01-20
Applicant: 日亚化学工业株式会社
CPC classification number: H01L33/641 , H01L21/187 , H01L24/17 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L33/62 , H01L2224/0345 , H01L2224/0401 , H01L2224/06102 , H01L2224/13099 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/29 , H01L2224/2908 , H01L2224/29101 , H01L2224/29111 , H01L2224/2919 , H01L2224/29386 , H01L2224/32225 , H01L2224/812 , H01L2224/81801 , H01L2224/81894 , H01L2224/81907 , H01L2224/83801 , H01L2224/8383 , H01L2224/8384 , H01L2224/83907 , H01L2224/85205 , H01L2924/00013 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01019 , H01L2924/0102 , H01L2924/01022 , H01L2924/01024 , H01L2924/01025 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01038 , H01L2924/0104 , H01L2924/01045 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/0105 , H01L2924/01056 , H01L2924/01057 , H01L2924/01058 , H01L2924/01063 , H01L2924/01064 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01105 , H01L2924/0132 , H01L2924/01322 , H01L2924/014 , H01L2924/04941 , H01L2924/0665 , H01L2924/09701 , H01L2924/12035 , H01L2924/12036 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/14 , H01L2924/157 , H01L2924/15787 , H01L2924/15788 , H01L2924/1579 , H01L2924/19041 , H01L2924/3025 , H01L2924/00 , H01L2924/01026 , H01L2924/3512 , H01L2924/0541 , H01L2924/00014 , H01L2224/29099 , H01L2224/29199 , H01L2224/29299 , H01L2224/2929
Abstract: 本发明目的是提供一种制造产生较低的电阻值的导电性材料的方法,该导电性材料是使用不含有粘接剂的便宜且稳定的导电性材料用的组成物而得到的。一种将对基体的表面设置的银或氧化银、与对半导体元件的表面设置的银或氧化银接合的半导体装置的制造方法,经过以下的工序制造半导体装置:在对基体的表面设置的银或氧化银之上配置对半导体元件的表面设置的银或氧化银以使两者接触的工序;对半导体元件及基体施加200℃~900℃的温度、将半导体元件与基体接合的工序。
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公开(公告)号:CN102292835A
公开(公告)日:2011-12-21
申请号:CN201080005218.6
申请日:2010-01-20
Applicant: 日亚化学工业株式会社
CPC classification number: H01L33/641 , H01L21/187 , H01L24/17 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L33/62 , H01L2224/0345 , H01L2224/0401 , H01L2224/06102 , H01L2224/13099 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/29 , H01L2224/2908 , H01L2224/29101 , H01L2224/29111 , H01L2224/2919 , H01L2224/29386 , H01L2224/32225 , H01L2224/812 , H01L2224/81801 , H01L2224/81894 , H01L2224/81907 , H01L2224/83801 , H01L2224/8383 , H01L2224/8384 , H01L2224/83907 , H01L2224/85205 , H01L2924/00013 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01019 , H01L2924/0102 , H01L2924/01022 , H01L2924/01024 , H01L2924/01025 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01038 , H01L2924/0104 , H01L2924/01045 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/0105 , H01L2924/01056 , H01L2924/01057 , H01L2924/01058 , H01L2924/01063 , H01L2924/01064 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01105 , H01L2924/0132 , H01L2924/01322 , H01L2924/014 , H01L2924/04941 , H01L2924/0665 , H01L2924/09701 , H01L2924/12035 , H01L2924/12036 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/14 , H01L2924/157 , H01L2924/15787 , H01L2924/15788 , H01L2924/1579 , H01L2924/19041 , H01L2924/3025 , H01L2924/00 , H01L2924/01026 , H01L2924/3512 , H01L2924/0541 , H01L2924/00014 , H01L2224/29099 , H01L2224/29199 , H01L2224/29299 , H01L2224/2929
Abstract: 本发明目的是提供一种制造产生较低的电阻值的导电性材料的方法,该导电性材料是使用不含有粘接剂的便宜且稳定的导电性材料用的组成物而得到的。一种将对基体的表面设置的银或氧化银、与对半导体元件的表面设置的银或氧化银接合的半导体装置的制造方法,经过以下的工序制造半导体装置:在对基体的表面设置的银或氧化银之上配置对半导体元件的表面设置的银或氧化银以使两者接触的工序;对半导体元件及基体施加200℃~900℃的温度、将半导体元件与基体接合的工序。
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