-
公开(公告)号：CN117888190A
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202410052498.X
申请日：2024-01-12
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种三元复合终端金刚石材料及制备方法，制备方法包括步骤：提供非故意掺杂单晶金刚石衬底；在单晶金刚石衬底上制备B掺杂的单晶金刚石外延层，形成p型金刚石外延层；在p型金刚石外延层表面制备硅材料层；将沉积硅材料层的样品在氢气等离子体氛围中进行退火处理，使得活化的H原子、Si原子、B原子分别与单晶金刚石的碳原子之间发生化学反应，形成C‑H、C‑Si、C‑B化学键；将退火后的样品在空气中静置目标时间，形成三元复合终端金刚石材料。与现有金刚石导电终端相比，该制备方法制得的三元复合终端金刚石材料实现了较高的迁移率和载流子浓度，进而实现低方阻金刚石样品。
-
公开(公告)号：CN116598386A
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN202310356720.0
申请日：2023-04-04
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于蓝宝石衬底的金刚石基GaN异质结晶圆制备方法，包括：在第一蓝宝石衬底上生长第一成核层、GaN缓冲层、GaN/AlGaN异质结层以及介质保护层得到蓝宝石衬底GaN外延片；在第二蓝宝石衬底上生长第二成核层得到临时载片；将外延片与临时载片进行晶圆键合得到第一键合片；激光剥离第一蓝宝石衬底同时去除第一成核层；将剥离第一蓝宝石衬底后的第一键合片与金刚石衬底进行晶圆键合得到第二键合片；激光剥离第二蓝宝石衬底，同时去除第二成核层；去除第一键合层，然后去除介质保护层，得到制备完成的金刚石基GaN异质结晶圆。本发明能够制备出大尺寸、高效率、低成本以及高性能的金刚石基GaN异质结晶圆。
-
公开(公告)号：CN116243365A
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN202211611093.2
申请日：2022-12-14
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G01T1/24 , C23C14/35 , C23C14/08 , C23C16/40 , C23C16/50 , C23C14/30 , C23C14/18 , C23C14/58 , C23C16/511 , C23C28/00
Abstract: 本发明涉及一种耐高压低漏电的金刚石核探测器及其制备方法，金刚石核探测器包括：金刚石、第一绝缘介质层、第一欧姆接触电极、第二绝缘介质层和第二欧姆接触电极，第一欧姆接触电极位于金刚石的第一表面上，第一绝缘介质层包围第一欧姆接触电极，且第一欧姆接触电极的边缘向两侧延伸并覆盖部分第一绝缘介质层以形成场板结构；第二欧姆接触电极位于金刚石的第二表面上，第二绝缘介质层包围第二欧姆接触电极，且第二欧姆接触电极的边缘向两侧延伸并覆盖部分第二绝缘介质层以形成场板结构。本发明实施例通过在器件表面非电极区域插入绝缘介质层并形成电极场板结构，提高了探测器的工作耐压，降低了器件的漏电。
-
公开(公告)号：CN115659629A
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN202211296491.X
申请日：2022-10-21
Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院
IPC: G06F30/20
Abstract: 本发明公开了一种氢终端金刚石器件的小信号模型及其参数提取方法，其中方法包括：提取氢终端金刚石器件小信号模型中的基础寄生参数；基础寄生参数包括寄生电容Cpg、Cpgd、Cpd，寄生电感Lg、Ld、Ls，以及寄生电阻Rg、Rd、Rs；去嵌基础寄生参数后，提取氢终端金刚石器件小信号模型中的介质寄生参数和本征参数；介质寄生参数包括陷阱电流源g0；本征参数包括本征电容Cgs、Cgd、Cds，本征电阻Ri，本征电导gds，压控电流源gm，调节电感LT，调节电容CT，以及栅漏电流源gT；调节电感LT、调节电容CT和栅漏电流源gT用以修正氢终端金刚石器件的漏源电流Ids从衰减到恢复的过程。本发明中的方法，能够得到与氢终端金刚石器件拓扑结构相对应的具体参数。
-
公开(公告)号：CN114843184A
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN202210269820.5
申请日：2022-03-18
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L21/329 , H01L21/205 , H01L29/20 , H01L29/207 , H01L29/868 , C23C16/30
Abstract: 本发明提供的一种GaN/BGaN/GaN结构的PIN多用途二极管及其制备方法，通过使用MOCVD工艺在GaN的N型层2上生长B含量可调的BGaN本征层3，来高效调制本征层载流子寿命，满足快恢复、微波开关等多种需求。同时本发明使得BGaN/GaN异质结处二维电子气浓度降低，可以减小器件的寄生电容。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114203800A
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202111509416.2
申请日：2021-12-10
Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院
IPC: H01L29/06 , H01L29/423 , H01L29/778 , H01L21/335 , H01L21/28
Abstract: 本发明公开了一种基于HK‑PGaN梯度超结的新型垂直GaN‑HEMT器件及其制备方法，涉及半导体技术领域，该器件包括自下而上依次排布的Si衬底、AlN/GaN超晶格层、N+‑GaN基底层、N‑GaN层、P‑GaN电流阻挡层等结构，本发明将超结进行梯度掺杂并和高K介质的间隔排布能更有效的实现了调制电场，相对于传统的超结结构，这种渐变梯度的掺杂超结能在不牺牲击穿电压的情况下降低导通电阻，高K介质引入P‑GaN梯度柱有效的提升了器件的击穿电压，栅下的高K混合介质能更好的发挥器件的栅控能力，有效增加饱和电流并降低了导通电阻以及更有效的高温传导，该制备方法中的工艺步骤使用的均是目前比较成熟的技术，能够减少器件制造工艺过程中的损伤，提高器件的可靠性。
-
公开(公告)号：CN111996593B
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN202010773709.0
申请日：2020-08-04
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种基于PLC的金刚石生长位置控制方法及装置，控制方法包括步骤：获取当前时刻金刚石生长时真空腔体的第一生长温度值和耔晶载物盘的第一生长阶段位置；基于预设的生长阶段位置和生长温度信息配方表，依据所述第一生长温度值确定耔晶载物盘的第二生长阶段位置；控制所述耔晶载物盘从所述第一生长阶段位置移动至所述第二生长阶段位置。该控制方法在预设的生长阶段位置和生长温度信息配方表基础上，根据第一真空腔体温度值确定耔晶载物盘位置，进而实现对耔晶载物盘位置的定位，避免人为根据经验进行调整，定位精度较高，误差较小，降低了耔晶生长的不确定因素，从而可以生长得到质量较好的金刚石耔晶。
-
公开(公告)号：CN113130642A
公开(公告)日：2021-07-16
申请号：CN202110218550.0
申请日：2021-02-26
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/778 , H01L29/06 , H01L21/335
Abstract: 本发明涉及一种基于AlN基板的p沟道增强型GaN/AlN异质结场效应管及制备方法，该场效应管包括自下而上依次层叠设置的衬底、AlN层、本征GaN层和p+GaN层；源电极，设置在所述p+GaN层上；漏电极，设置在所述p+GaN层上，且与所述源电极相对设置；n‑GaN层，设置在所述本征GaN层和所述p+GaN层的内部，且位于所述源电极和所述漏电极之间；栅电极，设置在所述n‑GaN层上。本发明的基于AlN基板的p沟道增强型GaN/AlN异质结场效应管，在GaN/AlN异质结上设置有n‑GaN层，通过调节n‑GaN层的掺杂浓度和生长厚度，耗尽p+GaN层中的空穴，形成增强型器件，且阈值电压可由n‑GaN的厚度和掺杂浓度控制。
-
公开(公告)号：CN112397604A
公开(公告)日：2021-02-23
申请号：CN202011290925.6
申请日：2020-11-18
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L31/109 , H01L31/0224 , H01L31/036 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种基于m面4H‑SiC异质外延非极性AlGaN/BN的PN结紫外探测器及制备方法，主要解决现有技术由量子限制斯塔克效应导致外量子效率下降和失配导致的外延层开裂问题。其自下而上包括：m面4H‑SiC衬底(1)和n型AlGaN外延层(2)；该n型AlGaN外延层采用Al组分为85％‑95％，掺杂浓度为1017‑1018cm‑3的AlGaN，其上同时设有掺杂浓度为1018‑1020cm‑3的p型BN外延层(3)和n型欧姆接触电极(4)；该p型BN外延层上设有p型欧姆接触电极(5)。本发明减小了材料的缺陷密度，提高了p型层空穴浓度，提升了器件的可靠性和外量子效率，可用于紫外探测设备中。
-
公开(公告)号：CN112030226A
公开(公告)日：2020-12-04
申请号：CN202010774593.2
申请日：2020-08-04
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种基于PLC的金刚石生长流程控制方法及装置，该控制方法包括步骤：根据抽气流程启动信号、抽气系统中各元件的反馈信号和真空腔体反馈的真空计压力模拟量信号进行抽气流程控制，使真空腔体内的压力达到目标压力；根据工艺流程启动信号、抽气系统各元件的反馈信号和真空腔体反馈的真空计压力模拟量信号进行工艺流程控制，实现金刚石生长控制；根据工艺停止信号、抽气系统各元件的反馈信号和真空计压力模拟量信号进行排气流程控制，使真空腔体内的压力恢复至常压。该控制方法可以使得每个阶段中各个元件保持最后的状态，除流程外的元件闭锁，从而避免人为误操作导致的危险事故发生，进而提高金刚石生长的稳定性和安全性。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
191
records
(took 0.03 seconds)
