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公开(公告)号：CN101569243B
公开(公告)日：2012-12-05
申请号：CN200780046938.5
申请日：2007-12-19
申请人： ASML荷兰有限公司
CPC分类号： H05G2/001 , B82Y10/00 , G03F7/70033 , G03F7/70916
摘要： 本发明提供一种减少等离子体辐射源中的快离子的方法。本发明公开一种具有阳极和阴极的辐射源以在阳极和阴极之间的放电空间内产生放电。在辐射源中形成等离子体，这产生例如EUV辐射的电磁辐射。辐射源包括第一激活源以将第一能量脉冲引导到放电空间附近的辐射源中的第一点上，以产生触发放电的主等离子体通道。辐射源还具有第二激活源以将第二能量脉冲引导到放电空间附近的辐射源中的第二点上，以便产生附加的等离子体通道。通过在同一的放电期间引导第二能量脉冲，实现主等离子体电流的短接，这又会减小快离子产生的量。
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公开(公告)号：CN101606104B
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN200880004740.5
申请日：2008-02-14
申请人： ASML荷兰有限公司
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： G03F7/70916 , B82Y10/00 , G03F7/70033 , G03F7/70858 , G03F7/70883 , G03F7/70983
摘要： 一种用于形成电磁辐射束的设备包括等离子体辐射源(24)和翼片阱(25)，该翼片阱设置有基本上平行于等离子体源(20)的辐射的方向延伸的多个薄翼片(20)。在等离子体辐射源(20)和翼片阱(24)之间设置格栅(22)。在格栅(22)和翼片阱(24)之间设置空间。该设备还包括电势应用电路(28)，其构造并布置成施加电势到格栅(22)上，使得格栅(22)排斥由等离子体辐射源(22)发射的电子并在格栅(20)和翼片阱(24)之间产生正的空间电荷，以使由等离子体辐射源(20)发射的离子偏转到翼片阱(24)。
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公开(公告)号：CN102150084A
公开(公告)日：2011-08-10
申请号：CN200980131716.2
申请日：2009-07-09
申请人： ASML荷兰有限公司
发明人： M·J·J·杰克 , W·A·索尔 , M·M·J·W·范赫彭 , V·Y·班尼恩 , A·M·雅库尼恩
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： G03F7/702 , G03F7/70191 , G03F7/70575 , G21K1/10
摘要： 一种光谱纯度滤光片，配置成允许极紫外(EUV)辐射透射通过其中并且折射或反射非极紫外伴随辐射。光谱纯度滤光片可以是源模块和/或光刻设备的一部分。
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公开(公告)号：CN101911838A
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：CN200880122902.5
申请日：2008-12-19
申请人： ASML荷兰有限公司
发明人： Y·V·斯戴尼克夫 , V·Y·班尼恩 , K·N·克什烈夫 , O·W·V·弗吉恩斯 , V·M·克里夫特逊
IPC分类号： H05G2/00
CPC分类号： H05G2/003
摘要： 一种辐射源，所述辐射源被构造且被布置以产生极紫外辐射。所述辐射源包括：腔；第一电极，所述第一电极被至少部分地包含在所述腔中；第二电极，所述第二电极被至少部分地包含在所述腔中；和供给装置，所述供给装置被构造且被布置以提供放电气体至所述腔。所述第一电极和所述第二电极被配置以在所述放电气体中产生放电以形成等离子体，以便产生所述极紫外辐射。所述源还包括气体供给装置，所述气体供给装置被构造且被布置以在靠近所述放电的位置处提供分压在约1Pa和约10Pa之间的气体。所述气体被从由氢气、氦气以及氢气和氦气的混合物组成的组中选出。
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公开(公告)号：CN101690419A
公开(公告)日：2010-03-31
申请号：CN200880024087.9
申请日：2008-07-28
申请人： ASML荷兰有限公司
IPC分类号： H05G2/00
CPC分类号： H05G2/003 , B82Y10/00 , G03F7/70033 , H05G2/005
摘要： 本发明公开了配置以产生用于光刻设备的辐射的源。所述源包括阳极和阴极。阴极和阳极被配置以在阳极和阴极之间的放电空间中的燃料中产生放电，以便产生等离子体，阴极和阳极彼此相对地定位，使得在使用中在阳极和阴极之间延伸的电流线大致弯曲，以便产生大致径向地压缩仅在阴极或阳极的上表面附近的区域中的等离子体的力。
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公开(公告)号：CN101606442A
公开(公告)日：2009-12-16
申请号：CN200780049879.7
申请日：2007-12-14
申请人： ASML荷兰有限公司
CPC分类号： H05G2/003 , B82Y10/00 , G03F7/70033 , G03F7/70916 , H05G2/005
摘要： 本发明提供一种等离子体辐射源、形成等离子体辐射的方法、用于将图案从图案形成装置投影到衬底上的设备和器件制造方法。将图案化的辐射束投射到衬底上。反射光学元件被用来帮助将从等离子体源的等离子体区域发射的辐射形成为辐射束。在等离子体源内，在等离子体区域内产生等离子体电流。为了减小对反射光学元件的损坏，在等离子体区域内提供具有至少一个沿等离子体电流的方向取向的分量的磁场。该轴向磁场有助于限制等离子体的Z箍缩区域的破坏。通过限制这种破坏，发射的快速离子的数量可以被减少。
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公开(公告)号：CN101569243A
公开(公告)日：2009-10-28
申请号：CN200780046938.5
申请日：2007-12-19
申请人： ASML荷兰有限公司
CPC分类号： H05G2/001 , B82Y10/00 , G03F7/70033 , G03F7/70916
摘要： 本发明提供一种减少等离子体辐射源中的快离子的方法。本发明公开一种具有阳极和阴极的辐射源以在阳极和阴极之间的放电空间内产生放电。在辐射源中形成等离子体，这产生例如EUV辐射的电磁辐射。辐射源包括第一激活源以将第一能量脉冲引导到放电空间附近的辐射源中的第一点上，以产生触发放电的主等离子体通道。辐射源还具有第二激活源以将第二能量脉冲引导到放电空间附近的辐射源中的第二点上，以便产生附加的等离子体通道。通过在同一的放电期间引导第二能量脉冲，实现主等离子体电流的短接，这又会减小快离子产生的量。
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公开(公告)号：CN101438631A
公开(公告)日：2009-05-20
申请号：CN200780016104.X
申请日：2007-04-27
申请人： ASML荷兰有限公司
CPC分类号： H05G2/003 , B82Y10/00 , G03F7/70033 , H05G2/005
摘要： 本发明公开了一种通过电操作放电产生辐射的设备，所述设备具有第一电极(喷嘴21a产生)、第二电极和电容器组(24)。该电极被彼此间隔一定距离配置以便允许等离子体激发。该电容器组的第一终端(A)电连接到该第一电极而第二终端(B)电连接到该第二电极，并被配置成存储放电能量。该电极和电容器组组成电路。至少该第一电极通过经由第一馈送管线(45)提供的电传导流体形成。该设备还具有充电器(51)和第一高电感单元(50)。该充电器连接到所述终端中的至少一个。该第一高电感单元被设置在该第一馈送管线中的该第一终端上游以电解耦该电路。
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公开(公告)号：CN118311702A
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202410484298.1
申请日：2015-07-02
申请人： ASML荷兰有限公司
发明人： 安德雷·亚历山德罗维奇·尼基佩洛夫 , V·Y·班尼恩 , 约瑟夫·帕卓斯·亨瑞克瑞·本叔普 , 阿尔扬·布格阿德 , 弗洛里安·迪迪埃·阿尔滨·达鲁因 , 阿列克谢·谢尔盖耶维奇·库兹涅佐夫 , 玛丽亚·皮特 , L·斯卡克卡巴拉兹 , 威廉·琼·范德赞德 , 彼得-詹·范兹沃勒 , A·M·雅库尼恩
摘要： 本发明披露一种对极紫外线(EUV)辐射透射的膜，所述膜可用作光刻设备中的表膜或光谱滤光片。该膜包括：一个或更多个高掺杂区，其中所述膜是以大于1017cm‑3的掺杂剂浓度而掺杂；及具有低掺杂(或未掺杂)的一个或更多个区。所述膜可具有具备低掺杂的主衬底和一个或更多个附加层，其中所述高掺杂区被包括于所述附加层中的一些或全部内。
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公开(公告)号：CN107924118B
公开(公告)日：2022-08-09
申请号：CN201680047436.3
申请日：2016-08-03
申请人： ASML荷兰有限公司
摘要： 通过至少第一次用由逆康普顿散射而产生的EUV辐射(304)来照射通过光刻术制成或用于光刻术中的目标结构(T)来检查所述结构。检测(312)在反射或透射中由所述目标结构散射的辐射(308)，且通过处理器(340)基于所检测的散射辐射来计算所述目标结构的属性。所述辐射可以具有在0.1纳米至125纳米的EUV范围内的第一波长。通过使用同一源且控制电子能量，可以用在所述EUV范围内的不同波长和/或用较短(x射线)波长和/或用较长(UV光、可见光)波长来照射所述结构多次。通过在逆康普顿散射源中快速切换电子能量，可以每秒多次进行用不同波长的照射。
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