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公开(公告)号：CN101114687A
公开(公告)日：2008-01-30
申请号：CN200710147742.7
申请日：2004-02-06
Applicant: 三洋电机株式会社
Abstract: 本发明提供一种可使元件工作稳定化的半导体元件。该半导体元件包含以下部件，即：至少在背面一部分上具有错位集中的区域的基板、在基板表面上形成的半导体元件层、在基板背面上错位集中区域上形成的绝缘膜、和以与基板背面错位集中区域以外的区域相接触的方式形成的背面侧电极。
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公开(公告)号：CN1331282C
公开(公告)日：2007-08-08
申请号：CN03159420.4
申请日：2003-09-19
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: B82Y20/00 , H01S5/0218 , H01S5/0425 , H01S5/2231 , H01S5/3211 , H01S5/32341 , H01S5/34333
Abstract: 本发明提供氮化物系半导体激光元件，能谋求激光的稳定化，同时抑制阈值电流和动作电流的增大。该氮化物系半导体激光元件包括由经掺杂的氮化物系半导体及硅化物系材料二者之一组成的基板，形成于基板上的n型包层，由形成于n型包层上的氮化物系半导体构成的活性层，形成于活性层上的p型包层，活性层，仅在n型包层及p型包层之间中的活性层与p型包层之间形成的光导层。
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公开(公告)号：CN1992457A
公开(公告)日：2007-07-04
申请号：CN200610171456.X
申请日：2006-12-27
Applicant: 三洋电机株式会社
Abstract: 本发明提供一种氮化物半导体激光装置元件(20)，具备在光出射面(5a)上形成具有由AlN构成的电介质层(5b)的氮化物系半导体激光元件(5)和气密密封氮化物系半导体激光元件(5)的封装部(1)。并且，封装部(1)内的气氛是水分浓度为5000ppm以下的含氮气氛。通过调整封装部(1)内的气氛，能够抑制由在半导体激光元件的端面形成的由氮化物构成的电介质层的变质引起的输出的降低和可靠性的下降。
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公开(公告)号：CN1215620C
公开(公告)日：2005-08-17
申请号：CN01131277.7
申请日：2001-08-29
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H01S5/16 , H01S5/0425 , H01S5/168
Abstract: 本发明涉及半导体激光元件及其制造方法。P型AlGaInP第1覆盖层上，在脊部的侧面及开孔区域的上方的脊部的上表面区域形成有n型GaAs电流阻挡层。端面近旁的区域上的p型GaAs顶盖层上形成隆起部，端面近旁的第1电极区域上形成隆起区域。第1电极的隆起区域间的区域上形成具有比隆起区域的高度大的厚度的第2电极。
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公开(公告)号：CN102244364A
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：CN201110134781.X
申请日：2011-05-16
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01S5/022
CPC classification number: H01S5/02216 , H01L2224/48091 , H01L2224/49107 , H01L2224/73265 , H01L2924/16195 , H01S5/02212 , H01S5/0222 , H01S5/02228 , H01S5/02244 , H01S5/02292 , H01S5/02296 , H01S5/02469 , H01S5/0683 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明提供半导体激光装置、半导体激光装置的制造方法和光学装置。该半导体激光装置具有半导体激光元件和将半导体激光元件密封的封装体。封装体具有用于安装半导体激光元件的基部、密封用部件和窗用部件。半导体激光元件由基部、密封用部件和窗用部件密封。基部、密封用部件和窗用部件中的至少二个部件相互通过由乙烯-聚乙烯醇共聚物构成的密封剂接合。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102148295A
公开(公告)日：2011-08-10
申请号：CN201010619582.3
申请日：2004-02-06
Applicant: 三洋电机株式会社
Abstract: 本发明提供一种可使元件工作稳定化的半导体元件。该半导体元件包含以下部件，即：至少在背面一部分上具有错位集中的区域的基板、在基板表面上形成的半导体元件层、在基板背面上错位集中区域上形成的绝缘膜、和以与基板背面错位集中区域以外的区域相接触的方式形成的背面侧电极。
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公开(公告)号：CN102142488A
公开(公告)日：2011-08-03
申请号：CN201010620144.9
申请日：2004-02-06
Applicant: 三洋电机株式会社
Abstract: 本发明提供一种可使元件工作稳定化的半导体元件。该半导体元件包含以下部件，即：至少在背面一部分上具有错位集中的区域的基板、在基板表面上形成的半导体元件层、在基板背面上错位集中区域上形成的绝缘膜、和以与基板背面错位集中区域以外的区域相接触的方式形成的背面侧电极。
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公开(公告)号：CN101501947A
公开(公告)日：2009-08-05
申请号：CN200780029764.1
申请日：2007-08-08
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H01L33/483 , B82Y20/00 , H01L33/16 , H01S5/0202 , H01S5/0224 , H01S5/02268 , H01S5/02272 , H01S5/02476 , H01S5/0425 , H01S5/2009 , H01S5/2027 , H01S5/22 , H01S5/2201 , H01S5/3202 , H01S5/34333
Abstract: 本发明提供半导体元件和其制造方法。即使在半导体元件部在面内方向中包括具有不同的热膨胀系数的多个方向的情况下，也能够抑制元件特性的下降。该半导体激光元件(半导体元件)包括：在主面的面内方向中包括热膨胀系数不同的[1－100]方向和[0001]方向的半导体元件部；以及在主面的面内方向中包括热膨胀系数不同的箭头E方向和箭头F方向的基台。而且，以半导体元件部的[1－100]方向，相比于基台的箭头F方向更靠近箭头E方向一侧的方式，半导体元件部相对于基台被接合。
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公开(公告)号：CN100470970C
公开(公告)日：2009-03-18
申请号：CN200510008473.7
申请日：2005-02-21
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01S5/00 , H01L21/00 , H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/0243 , H01L21/02389 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/02639 , H01L33/0075 , H01L33/025
Abstract: 本发明提供一种氮化物系半导体元件的制造方法，在具有从表面贯通到背面的条状的位错集中区域的GaN基板的表面上将氮化物系半导体各层以均匀的膜厚进行层叠。氮化物系半导体基板，例如，沿GaN基板表面的位错集中区域，在位错集中区域附近的非位错集中区域形成槽。在形成了该槽的GaN基板的表面上形成氮化物系半导体的各层，作为结晶成长层。
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公开(公告)号：CN101355232A
公开(公告)日：2009-01-28
申请号：CN200810134056.0
申请日：2008-07-24
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01S5/0206 , H01S5/2201 , H01S5/3202 , H01S2301/173
Abstract: 本发明提供一种半导体激光元件，其包括：由氮化物类半导体构成的基板；和在上述基板的主表面上形成的光波导，其中，基板包括以相对基板的主表面在倾斜方向上延伸的方式配置的位错集中区域，光波导以位于位错集中区域的上方，并位于基板的主表面中的除去出现位错集中区域的部分的区域上的方式形成。
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