公开(公告)号：CN104969357A

公开(公告)日：2015-10-07

申请号：CN201480007472.8

申请日：2014-02-04

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 香川泰宏 ,  田中梨菜 ,  福井裕 ,  三浦成久 ,  阿部雄次 ,  今泉昌之

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12

CPC classification number: H01L21/0259 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/26586 ,  H01L29/04 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7813

Abstract: 提供能够缓和栅极绝缘膜的电场并且抑制导通电阻的增大的绝缘栅型碳化硅半导体装置及其制造方法。其特征在于，具备：在主面是设置了大于0°的偏离角的{0001}面4H型的碳化硅基板1上的第1导电类型的漂移层(2a)、在漂移层(2a)的表层侧的第2导电类型的第1基区(3)、第1导电类型的源极区域(4)、沟槽(5)、在沟槽侧壁处的栅极绝缘膜(6)、与沟槽(5)的底部相接地设置在漂移层(2a)内的第2导电类型的保护扩散层(13)、以及为了将保护扩散层(13)与第1基区(13)连接而与沟槽侧壁的多个面中的一面的至少一部分相接地设置了的第2导电类型的第2基区(14)，第2基区(14)相接的沟槽侧壁面是对与 方向平行的面朝向 方向附加大于0°的沟槽偏离角而得到的面。

公开(公告)号：CN102334190B

公开(公告)日：2014-05-14

申请号：CN200980157510.7

申请日：2009-04-30

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 三浦成久 ,  中田修平 ,  大塚健一 ,  渡边昭裕 ,  油谷直毅

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/12 ,  H01L29/739

CPC classification number: H01L29/7811 ,  H01L23/53209 ,  H01L29/0611 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0638 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/42372 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/45 ,  H01L29/4916 ,  H01L29/4941 ,  H01L29/4975 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7805 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 在第一导电类型的半导体基板的第一主面内的单元区域中在表层形成第二导电类型的第一阱。在第一阱内的表层形成第一导电类型的扩散区。在第一阱上形成第一栅极绝缘膜，其上形成第一栅电极。在单元区域的外周部中在第一主面的表层形成第二导电类型的第二阱。在第二阱上形成第二栅极绝缘膜，在其外周侧形成厚的场氧化膜。在栅极绝缘膜和场氧化膜上连续地形成与第一栅电极连接的第二栅电极。在第一、第二阱和扩散区中连接有第一电极。在半导体基板的第二主面形成有第二电极。以在单元区域的外周绕一周的方式在场氧化膜上形成与第二栅电极连接的栅极布线。栅极布线是对第二栅电极的构成物质进行硅化物化而成的。

公开(公告)号：CN102870217A

公开(公告)日：2013-01-09

申请号：CN201180016343.1

申请日：2011-02-08

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 日野史郎 ,  三浦成久 ,  中田修平 ,  大塚健一 ,  渡边昭裕 ,  古川彰彦 ,  中尾之泰 ,  今泉昌之

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/1095 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0638 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/402 ,  H01L29/42372 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/7805 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/8611

Abstract: 在高速切换的功率用半导体装置中，存在在切换时流过位移电流从而与其流路的电阻互相作用，而发生高电压，由于该电压，栅极绝缘膜那样的薄的绝缘膜发生绝缘破坏，而半导体装置发生破坏的情况。本发明涉及的半导体装置具备：第1导电类型的半导体基板；第1导电类型的漂移层，被形成于所述半导体基板的第1主面；第2导电类型的第2阱区域，被形成为包围漂移层的单元区域；以及源极焊盘，经由贯通第2阱区域上的栅极绝缘膜而设置的第1阱接触孔、贯通第2阱区域上的场绝缘膜而设置的第2阱接触孔、以及源极接触孔，而使第2阱区域彼此和单元区域的源极区域电连接。

公开(公告)号：CN101946322A

公开(公告)日：2011-01-12

申请号：CN200880126600.5

申请日：2008-02-12

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 樽井阳一 ,  大塚健一 ,  三浦成久 ,  松野吉德 ,  今泉昌之

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/12 ,  H01L29/47 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861 ,  H01L29/872

CPC classification number: H01L29/66068 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/3192 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0638 ,  H01L29/0661 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/6606 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/8611 ,  H01L29/8613 ,  H01L29/872 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/00

Abstract: 为了得到在作为半导体元件而驱动的单元部的周围设置的同时实现用于电场弛豫的终端部中的耐电压的稳定性与高温动作时的可靠性的碳化硅半导体装置，在该终端部中，在设置于单元部侧的作为第1区域的井区域所露出的表面上，设置耐热性高的无机保护膜，在与井区域的外侧面相接并远离单元部而设置的电场弛豫区域与碳化硅层所露出的表面上，设置绝缘性高且不易受到电荷的影响的有机保护膜。

公开(公告)号：CN101395701B

公开(公告)日：2010-06-02

申请号：CN200780007843.2

申请日：2007-03-19

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 大塚健一 ,  三浦成久 ,  今泉昌之 ,  大森达夫

IPC: H01L21/28 ,  H01L29/12 ,  H01L29/417 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/45 ,  H01L29/4925 ,  H01L29/4941 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7828

Abstract: 本发明的目的在于提供一种电力用半导体器件，在高温工作中难以发生布线的金属材料与连接到半导体区上的电极等的反应而且在高温工作中难以发生变形。为了达到该目的，根据本发明的电力用半导体器件是SiC功率器件等的电力用半导体器件，在源区(4)等的半导体区之上形成的源电极(11)上形成了包含Pt、Ti、Mo、W、Ta中的至少一种的第1金属层(14)。在第1金属层(14)上形成了包含Mo、W、Cu中的至少一种的第2金属层(15)。在第2金属层(15)上形成了包含Pt、Mo、W中的至少一种的第3金属层(16)。

公开(公告)号：CN100593243C

公开(公告)日：2010-03-03

申请号：CN200680038948.X

申请日：2006-10-06

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 藤平景子 ,  三浦成久 ,  大塚健一 ,  今泉昌之

IPC: H01L29/12 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L21/046 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068

Abstract: 本发明提供一种MOSFET以及MOSFET的制造方法，实现高耐压以及低导通损失(高沟道迁移率以及低栅极阈值电压)并且容易地实现正常截止化。此处，本发明的由碳化硅构成的MOSFET所具备的漂移层具有第一区域和第二区域。第一区域为从表面到第一预定深度的区域。第二区域为形成在比第一预定深度深的区域的区域。另外，第一区域的杂质浓度低于第二区域的杂质浓度。

公开(公告)号：CN101395701A

公开(公告)日：2009-03-25

申请号：CN200780007843.2

申请日：2007-03-19

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 大塚健一 ,  三浦成久 ,  今泉昌之 ,  大森达夫

IPC: H01L21/28 ,  H01L29/12 ,  H01L29/417 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/45 ,  H01L29/4925 ,  H01L29/4941 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7828

Abstract: 本发明的目的在于提供一种电力用半导体器件，在高温工作中难以发生布线的金属材料与连接到半导体区上的电极等的反应而且在高温工作中难以发生变形。为了达到该目的，根据本发明的电力用半导体器件是SiC功率器件等的电力用半导体器件，在源区(4)等的半导体区之上形成的源电极(11)上形成了包含Pt、Ti、Mo、W、Ta中的至少一种的第1金属层(14)。在第1金属层(14)上形成了包含Mo、W、Cu中的至少一种的第2金属层(15)。在第2金属层(15)上形成了包含Pt、Mo、W中的至少一种的第3金属层(16)。

公开(公告)号：CN101366105A

公开(公告)日：2009-02-11

申请号：CN200680052573.2

申请日：2006-11-17

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 三浦成久 ,  藤平景子 ,  大塚健一 ,  今泉昌之

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/0661 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/7811

Abstract: 本发明涉及一种半导体装置及其制造方法，其的目的在于恰当地决定场缓和区的杂质浓度分布并降低通态电阻。为了实现上述目的，该半导体装置具备：基板(1)、第1漂移层(2)、第2漂移层(3)、第1阱区(4a)、第2阱区(4b)、电流控制区(15)以及电场缓和区(8)。第1阱区(4a)，毗连第2漂移层(3)的与外周附近邻接的端部以及外周附近的下方的第1漂移层(2)而配置。电场缓和区(8)与第1阱区(4a)邻接地配置于第1漂移层(2)上。

公开(公告)号：CN101310388A

公开(公告)日：2008-11-19

申请号：CN200680038948.X

申请日：2006-10-06

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 藤平景子 ,  三浦成久 ,  大塚健一 ,  今泉昌之

IPC: H01L29/12 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L21/046 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068

Abstract: 本发明提供一种MOSFET以及MOSFET的制造方法，实现高耐压以及低导通损失(高沟道迁移率以及低栅极阈值电压)并且容易地实现正常截止化。此处，本发明的由碳化硅构成的MOSFET所具备的漂移层(2)具有第一区域(2a)和第二区域(2b)。第一区域(2a)为从表面到第一预定深度的区域。第二区域(2b)为形成在比第一预定深度深的区域的区域。另外，第一区域(2a)的杂质浓度低于第二区域(2b)的杂质浓度。

公开(公告)号：CN107431091B

公开(公告)日：2020-05-19

申请号：CN201580078411.5

申请日：2015-11-19

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 田中梨菜 ,  香川泰宏 ,  菅原胜俊 ,  三浦成久

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/12

Abstract: 本发明涉及碳化硅半导体装置及其制造方法。第1导电型的漂移层(2)包含碳化硅。第2导电型的主体区域(5)设置在漂移层(2)上。第1导电型的源极区域(3)设置在主体区域(5)上。源极电极(11)连接于源极区域(3)。栅极绝缘膜(9)设置在贯通主体区域(5)和源极区域(3)的沟槽(6)的侧面上和底面上。栅极电极(10)隔着栅极绝缘膜(9)设置在沟槽(6)内。第2导电型的沟槽底面保护层(15)在漂移层(2)内设置在沟槽(6)的底面的下方，电连接于源极电极(11)。沟槽底面保护层(15)具有：高浓度保护层(8)；和设置在高浓度保护层(8)的下方、杂质浓度比高浓度保护层(8)低的第1低浓度保护层(7)。