公开(公告)号：CN104425471B

公开(公告)日：2017-07-28

申请号：CN201410429065.8

申请日：2014-08-27

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 井本裕儿 ,  吉松直树 ,  藤野纯司

IPC: H01L25/07 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L23/495 ,  H01L21/50 ,  H01L23/043 ,  H01L23/24 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/49861 ,  H01L24/00 ,  H01L24/33 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/37599 ,  H01L2224/40137 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014

Abstract: 即使在利用壳体的半导体装置的引脚端子处产生应力的情况下，也可以抑制由该引脚端子引起的故障的产生。半导体装置(100)具有：导电部，其包含设置在基板(2)上的半导体元件(3)；壳体(5)，其收容该导电部；以及引脚端子(4)，其与壳体(5)一体化，并且直接与半导体元件(3)或者基板(2)的配线连接。引脚端子(4)具有缓和在引脚端子(4)处产生的应力的应力缓和形状。

公开(公告)号：CN104517913A

公开(公告)日：2015-04-15

申请号：CN201410409776.9

申请日：2014-08-19

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 吉松直树 ,  新饲雅芳 ,  鹿野武敏 ,  村田大辅 ,  木本信义 ,  井本裕儿 ,  石原三纪夫

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/498 ,  H01L21/48 ,  H01L21/56

CPC classification number: H05K1/18 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/13055 ,  H05K1/0203 ,  H05K1/0306 ,  H05K3/06 ,  H05K3/20 ,  H05K3/284 ,  H05K2201/0373 ,  H05K2201/09036 ,  H05K2201/2072 ,  H05K2203/049 ,  H05K2203/1184 ,  H05K2203/1316 ,  Y10T29/41 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的目的在于提供一种以低成本兼顾半导体装置的小型化和可靠性的提高的半导体装置及其制造方法。本发明涉及的半导体装置的特征在于，具有：陶瓷衬底(1)；多个电路图案(1a)，其配置在陶瓷衬底(1)表面；半导体元件(2)，其配置在至少1个电路图案(1a)的表面；以及封装树脂(4)，其封装陶瓷衬底(1)、多个电路图案(1a)以及半导体元件(2)，在相邻的电路图案(1a)的相对的侧面形成欠切部(1aa)，在欠切部(1aa)中，电路图案(1a)的表面的端部(11)与电路图案(1a)的和陶瓷衬底(1)接触的面的端部(12)相比，向该电路图案(1a)的外侧突出，在欠切部(1aa)中也填充封装树脂(4)。

公开(公告)号：CN1203542C

公开(公告)日：2005-05-25

申请号：CN01123243.9

申请日：2001-07-20

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 西堀弘 ,  深田雅一 ,  吉田贵信 ,  吉松直树 ,  高尾治雄 ,  木本信义 ,  上贝康己

IPC: H01L23/15

CPC classification number: H05K3/0061 ,  C04B37/026 ,  C04B2237/121 ,  C04B2237/122 ,  C04B2237/123 ,  C04B2237/343 ,  C04B2237/366 ,  C04B2237/402 ,  C04B2237/407 ,  C04B2237/704 ,  C04B2237/706 ,  C04B2237/708 ,  C04B2237/72 ,  C04B2237/86 ,  H01L23/049 ,  H01L23/3735 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/1532 ,  H01L2924/16195 ,  H01L2924/19107 ,  H05K1/0306 ,  H05K1/09 ,  H05K3/341 ,  H05K2201/2036 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/20755 ,  H01L2924/20756 ,  H01L2924/20757 ,  H01L2924/20758 ,  H01L2924/20759 ,  H01L2924/2075 ,  H01L2924/2076 ,  H01L2924/20754

Abstract: 在Cu合金形成的金属基板1上，装载半导体元件衬底2。半导体元件衬底2配有例如陶瓷形成的绝缘衬底3，而且在其上面和下面配有均为Al合金制的电路图形4和下面图形5。下面图形5被配置在整个绝缘衬底3上，通过图形层8被连接在金属基板1上。将金属基板1和绝缘衬底3的厚度例如分别设定为3.5～5.5mm和0.5～1mm，将电路图形4的厚度设定为0.4～0.6mm，将下面图形5和图形层8C的厚度分别设定为0.2mm以下和100～300μm。

公开(公告)号：CN115699300B

公开(公告)日：2025-04-04

申请号：CN202080101360.4

申请日：2020-05-29

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 吉松直树 ,  村井亮司

IPC: H01L23/473

Abstract: 提供在对多个冷却对象物进行冷却时冷却程度不易变得不均匀的冷却器。为此，冷却器内部的致冷剂的流路包含：外周侧集管区域，其设置于环形状的外周侧，沿环形状的周向延伸；内周侧集管区域，其在环形状的内周侧与外周侧集管区域隔着分离区域而设置，沿周向延伸；以及鳍片区域，其是分离区域，配置有鳍片。

公开(公告)号：CN119072784A

公开(公告)日：2024-12-03

申请号：CN202280095145.7

申请日：2022-04-26

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 村井亮司 ,  河面英夫 ,  吉松直树

IPC: H01L25/07 ,  H01L23/48 ,  H01L25/18

Abstract: 抑制装置的尺寸的增大。半导体装置具有：P电极，其设置为从基板的第1侧面延伸至外侧；AC电极，其设置为从与第1侧面相反侧的第2侧面延伸至外侧；以及第1、第2连接电极，它们设置为从与第1侧面交叉的第3侧面以及与第3侧面相反侧的第4侧面之中的至少一者延伸至外侧，在基板的上方，第1连接电极与P电极以及AC电极均不重叠，在基板的上方，第2连接电极与P电极以及AC电极均不重叠。

公开(公告)号：CN118891814A

公开(公告)日：2024-11-01

申请号：CN202280093658.4

申请日：2022-03-18

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 吉松直树 ,  荒木慎太郎

IPC: H02M7/48 ,  H02M7/5387 ,  H02M1/08 ,  H02M1/088 ,  H02M1/32 ,  H05K7/20 ,  H01L23/473

Abstract: 本发明的目的在于减小包含并联连接的Si开关元件及SiC开关元件的逆变器的总损耗。逆变器(101)具有SiC MOSFET模块(1)、与SiC MOSFET模块(1)并联连接的Si IGBT模块(2)、对SiC MOSFET模块(1)进行控制的SiC MOSFET模块用控制电路(7)和对Si IGBT模块(2)进行控制的Si IGBT模块用控制电路(8)。SiC MOSFET模块用控制电路(7)在SiC MOSFET模块(1)的元件温度高于第1阈值的情况下，停止SiC MOSFET模块(1)的驱动。Si IGBT模块用控制电路(8)在Si IGBT模块(2)的元件温度高于第2阈值的情况下，停止Si IGBT模块(2)的驱动。

公开(公告)号：CN118872051A

公开(公告)日：2024-10-29

申请号：CN202280093562.8

申请日：2022-03-17

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 吉松直树 ,  境纪和 ,  河面英夫

IPC: H01L23/48

Abstract: 半导体装置具有：半导体基板(1)，其形成有半导体元件；表面电极(2)，其形成于半导体基板(1)的表面之上；保护膜(3)，其具有将表面电极(2)的一部分露出的开口部；镀敷电极(4)，其形成于在保护膜(3)的开口部露出的表面电极(2)之上；以及引线框(6)，其经由接合材料(5)与镀敷电极(4)连接。半导体基板(1)、表面电极(2)、保护膜(3)、镀敷电极(4)、引线框(6)被模塑树脂(7)封装。接合材料(5)将开口部的缘部的保护膜(3)覆盖，开口部的缘部的保护膜(3)被接合材料(5)覆盖的部分的宽度大于引线框(6)和镀敷电极(4)之间的接合材料(5)的厚度。

公开(公告)号：CN118266075A

公开(公告)日：2024-06-28

申请号：CN202180104327.1

申请日：2021-11-22

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 川濑达也 ,  吉松直树 ,  山田一树 ,  饭塚新

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/12

Abstract: 使向引线框插入了信号端子后的信号端子的插入部的视觉辨认性提高。半导体装置具有绝缘基板、半导体元件、主端子框、信号端子框和将绝缘基板的一部分、半导体元件、主端子框的一部分及信号端子框的一部分封装的封装树脂，信号端子框在从封装树脂露出的部分具有容纳部，半导体装置还具有以沿与绝缘基板的上表面交叉的方向延伸的方式经由信号端子框的容纳部与信号端子框连接的至少1个信号端子管脚。

公开(公告)号：CN117855184A

公开(公告)日：2024-04-09

申请号：CN202311259399.0

申请日：2023-09-27

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 川濑达也 ,  吉松直树

IPC: H01L23/498 ,  H01L23/31 ,  H01L23/367

Abstract: 提供一种半导体装置，其降低因接合材料的孔洞引起的局部的温度上升。半导体装置具有导电部件、半导体元件、接合部以及引线。半导体元件包含开关元件。半导体元件经由第1接合材料保持于导电部件。接合部设置于半导体元件的上表面。接合部与开关元件的栅极电极之外的电极电连接。引线经由第2接合材料与接合部接合。接合部和第2接合材料设置于半导体元件的上表面的包含中央部的区域。

公开(公告)号：CN116705721A

公开(公告)日：2023-09-05

申请号：CN202310161259.3

申请日：2023-02-24

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 西山正幸 ,  吉松直树

IPC: H01L23/367 ,  H01L23/373 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31

Abstract: 目的在于提供在半导体装置的制造时能容易地将保护半导体模块与散热部件之间的接合部的树脂材料配置于规定位置的技术。半导体装置具有散热部件(1)和半导体模块(10)。半导体模块具有：金属板(11)，通过接合材料(19)与散热部件的上表面的接合区域接合；绝缘层(12)，设置于金属板的上表面；金属部件(13)，设置于绝缘层的上表面；半导体元件(14)，搭载于金属部件的上表面；及封装材料(18)，在金属板的下表面露出的状态下将金属板、绝缘层、金属部件及半导体元件封装。在散热部件的比接合区域更靠外周侧的部分以与接合区域相比高度位置低的方式设置有台阶(2)，在台阶配置有保护半导体模块与散热部件之间的接合部的树脂材料(3)。